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公开(公告)号：CN112844349B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911191738.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN113097321B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110345225.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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公开(公告)号：CN111530483B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380226.4
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/188 , B01J35/10 , B01J37/16 , B01J37/28 , B01J37/08 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化镍混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Ni掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的镍掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为镍掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111495399B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380228.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸和六氯化钨混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠和硫粉作为磷源和掺杂硫源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的三氧化钨纳米片阵列磷化还原为二磷化钨纳米片阵列，并在此过程中将硫掺杂到二磷化钨纳米片中，得到S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113073355A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110344063.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/55 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极的制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，在双温控真空气氛管式炉中在惰性气体保护下进行化学气相沉积，在导电基底材料上沉积二硫化锡纳米片阵列，导电基底/SnS2纳米片阵列；(2)将导电基底/SnS2纳米片阵列放入高温马弗炉中表面氧化反应一段时间后取出，然后在空气中冷却得到表面含有SnO2氧化膜的SnS2纳米片阵列光阳极。本发明方法制得到SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极具有较高的光电催化析氧的活性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112604697A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011513107.8
申请日：2020-12-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 一种铜离子掺杂的氧化锌/硫化镉高性能分解水产氢光催化剂及制备方法，它涉及到铜离子掺杂的氧化锌/硫化镉光催化剂及其制备方法。它要解决现有分解水制氢光催化剂在可见光下制氢速率较低的问题。本发明的铜离子掺杂氧化锌/硫化镉光催化剂由氧化锌，硝酸，柠檬酸，四水硝酸镉，二水氯化铜，硫脲制成。方法：用浓硝酸溶解氧化锌，加入柠檬酸溶解并经干燥焙烧得到纳米氧化锌；将硫脲、四水硝酸镉溶解于蒸馏水中，加入纳米氧化锌后放入80℃的水浴锅中边搅拌边加热90分钟，再将二水氯化铜加入，边搅拌边加热90分钟，结束后取烧杯底部粉末，经洗涤烘干后放入450℃氩气中退火90分钟，得到铜离子掺杂氧化锌/硫化镉复合光催化剂。
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公开(公告)号：CN112499681A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011513112.9
申请日：2020-12-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 一种纳米花状碘硫化锑(SbSI)晶体的生长方法，它涉及到一种纳米花状碘硫化锑(SbSI)晶体的生长方法。目的是开发一种能够在自由选择衬底上生长高质量碘硫化锑纳米结构的方法。本发明的一种纳米花状碘硫化锑(SbSI)晶体是由三氯化锑，碘化钾，硫代乙酰胺，冰醋酸制成。方法：取一定量的SbCl3，KI和硫代乙酰胺溶于一定量的冰醋酸，搅拌半小时。取3毫升溶液于5毫升的离心管中，在离心管中加入FTO或其他衬底，指定温度下放置60小时一定时间得到密集花状的碘硫化锑。
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公开(公告)号：CN111530483A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010380226.4
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化镍混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100-220℃的条件下进行溶剂热反应6-12h，再在马弗炉中烧结得到Ni掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的镍掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为镍掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN110639582A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910820417.5
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂的制备方法。首先将g-C3N4加入乙醇，然后加入WCl6，超声分散后，转移至高压反应釜中进行水热反应，冷却、洗涤、干燥。最后将所得粉末样品放入马弗炉中以5℃/min的升温速率升至450℃，保温3小时，即制得具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂。所制备的样品是WO3量子点分布在g-C3N4纳米片表面，是一种2D/0D结构的复合光催化剂。本发明方法操作简便、产率高，所制备的具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂具有较高的光催化活性，且光催化析氢性能稳定。
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公开(公告)号：CN107164780B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710250255.7
申请日：2017-04-17
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种WO3/GQDs复合光阳极的制备方法，解决了WO3光电转换效率较低的问题。本发明以钨片为基体，含有石墨烯量子点的氟化钠、硫酸钠水溶液为电解液，通过脉冲阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的多孔三氧化钨复合膜。将复合膜在氮气管式炉中，升至300～700℃，保温3小时，有利于提高WO3/GQDs复合膜的结晶性。相较于单纯的WO3薄膜样品，GQDs/WO3复合膜光电流明显增大，且具有很好的循环寿命。本发明方法简便，易于操作，所制备的GQDs/WO3复合膜具有很高的光催化活性和稳定性。
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