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公开(公告)号：CN1310290C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200410038015.3
申请日：2004-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供了一种可抑制更换部件的成本增加，可降低运转成本，与先前比较，可提高温度控制性能，可以进行高精度的等离子体处理的上部电极和等离子体处理装置。设在真空腔室(1)上的上部电极(3)由电极基体(30)、冷却块体(31)和电极板(32)构成。在电极基体(30)和冷却块体(31)之间，形成有处理气体扩散用空隙(33)。在冷却块体(31)上形成多个通孔(34)，在这些通孔(34)之间，形成细的弯曲状的冷却介质流路(35)。电极板(32)通过作为具有柔软性的传热部件的硅橡胶片(36)，可自由安装和脱开地固定在冷却块体(31)的下侧，分别与通孔(34)对应而形成有喷出口(37)。
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公开(公告)号：CN1551302A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038015.3
申请日：2004-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供了一种可抑制更换部件的成本增加，可降低运转成本，与先前比较，可提高温度控制性能，可以进行高精度的等离子体处理的上部电极和等离子体处理装置。设在真空腔室(1)上的上部电极(3)由电极基体(30)、冷却块体(31)和电极板(32)构成。在电极基体(30)和冷却块体(31)之间，形成有处理气体扩散用空隙(33)。在冷却块体(31)上形成多个通孔(34)，在这些通孔(34)之间，形成细的弯曲状的冷却介质流路(35)。电极板(32)通过作为具有柔软性的传热部件的硅橡胶片(36)，可自由安装和脱开地固定在冷却块体(31)的下侧，分别与通孔(34)对应而形成有喷出口(37)。
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公开(公告)号：CN111584339B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010396274.2
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层；在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域，从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此，能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。
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公开(公告)号：CN114078731A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110912886.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供运送装置、运送系统和末端执行器，其目的在于能够削减含运送装置在内的系统全体的空间量，运送装置是用于同时或分别运送晶片和具有圆形的外形的消耗品的运送装置，其包括末端执行器、机械臂和控制装置，消耗品能够配置在晶片处理模块内，消耗品的外径比晶片的外径大，在末端执行器以同时或分别载置晶片和消耗品的方式构成，机械臂以使末端执行器移动的方式构成，控制装置在运送消耗品的情况下，控制机械臂，以使得消耗品以消耗品的重心与第一位置一致的方式载置在末端执行器上，此外，控制装置在运送晶片的情况下，控制机械臂，以使得晶片以晶片的重心与第一位置和末端执行器的前端之间的第二位置一致的方式载置在末端执行器上。
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公开(公告)号：CN111801779A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016960.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/683
Abstract: 提供一种载置台，其用于放置被处理体及边缘环，该载置台包括：第一流路和第二流路，用于使流体在所述载置台的内部流动；分岔部，将所述第一流路的入口与所述第二流路的入口连接；汇合部，将所述第一流路的出口与所述第二流路的出口连接；以及部件，设置在所述分岔部或所述汇合部中的至少任意一者处，并且具有与所述第一流路和所述第二流路连通的开口部。
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公开(公告)号：CN111584339A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010396274.2
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层；在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域，从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此，能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。
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公开(公告)号：CN106463446A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024261.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。
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公开(公告)号：CN101853777B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010102550.6
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种提供在确保气体流路的设置空间方面不存在布局上的问题且能随着可动的电极移动、切实地供给气体的可靠性较高的气体流路结构体以及具有该气体流路结构体的基板处理装置。基板处理装置包括：对内部减压的处理室；以使配置在处理室内的对置电极相对于载置电极移动的方式支承对置电极的轴；环状的第1波纹管，在轴贯穿处理室的壁面的贯穿部处吸收对置电极相对于壁面的位移，与轴同轴状配置在轴的外周部，密封处理室内以使处理室内免受轴的周边气氛影响；与第1波纹管同轴状地配置在第1波纹管的外周部的第2波纹管，利用第1波纹管和第2波纹管形成环状的气体流路。
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公开(公告)号：CN101853777A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010102550.6
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种提供在确保气体流路的设置空间方面不存在布局上的问题且能随着可动的电极移动、切实地供给气体的可靠性较高的气体流路结构体以及具有该气体流路结构体的基板处理装置。基板处理装置包括：对内部减压的处理室；以使配置在处理室内的对置电极相对于载置电极移动的方式支承对置电极的轴；环状的第1波纹管，在轴贯穿处理室的壁面的贯穿部处吸收对置电极相对于壁面的位移，与轴同轴状配置在轴的外周部，密封处理室内以使处理室内免受轴的周边气氛影响；与第1波纹管同轴状地配置在第1波纹管的外周部的第2波纹管，利用第1波纹管和第2波纹管形成环状的气体流路。
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公开(公告)号：CN101853767A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010140503.0
申请日：2010-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32018 , H01J37/32458 , H01J37/32577 , H01J37/32908 , H01J2237/024 , H01J2237/1502 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在筒状容器的一方的端壁和移动电极之间的空间内产生等离子体的基板处理装置。基板处理装置(10)包括用于收纳晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的簇射头(23)、在腔室(11)内与簇射头(23)相对的基座(12)、和用于将簇射头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于簇射头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并导入处理气体，簇射头(23)和腔室(11)的侧壁(13)不接触，在位于簇射头(23)和盖(14)之间的上部空间(US)内配置有第1电容层(32)以及第2电容层(33)。
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