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公开(公告)号：CN113903647A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110743919.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供边缘环和蚀刻装置。提供能够抑制边缘环的内周部的消耗的边缘环。一种边缘环，其围绕在被等离子体处理腔室内的基板支承部支承着的被蚀刻物的外周，其中，所述边缘环具有自外周部朝向内周部去而变低的倾斜面，将位于所述倾斜面上的比距离所述边缘环的最内周和最外周为等距离的中间线靠内周部的地点Xa处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T1，将位于所述倾斜面上的比所述中间线靠外周的地点Xb处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T2，将所述地点Xa处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T3，将所述地点Xb处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T4，此时，满足T2/T1＞T4/T3的关系。
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公开(公告)号：CN112655076B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980058555.2
申请日：2019-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C14/50 , C23C16/46 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 本发明载置台包括：基片载置部件，其具有载置被处理基片的载置面；支承基片载置部件的支承部件；致冷剂流路，其在支承部件的内部沿载置面形成，在与配置于载置面侧的顶面相反一侧的底面设置有致冷剂的导入口；以及隔热部件，其至少具有覆盖顶面中的与导入口相对的部分的第一面状部和覆盖致冷剂流路弯曲的部分的内侧面的第二面状部。
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公开(公告)号：CN101527258B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910126356.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石田寿文
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/44 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种确保基板等离子体处理的面内均匀性的基板处理装置用盖部件、处理气体扩散供给装置和基板处理装置。等离子体处理装置(10)具备收容晶片(W)的处理室(11)；向该处理室(11)扩散供给处理气体的喷淋头(13)；和用于将处理气体导入到喷淋头(13)的处理气体导入管(40)。喷淋头(13)具有形成于其内部且与收容在处理室(11)内的晶片(W)的表面平行地扩展的内部空间(38)；使该内部空间(38)与处理室(11)内连通的多个气体孔(42)；和盖部件(50)。处理气体导入管(40)通过开口部(39)与内部空间(38)连接，开口部(39)与多个气体供给孔(42)的一部分相对置，盖部件(50)包括配置在内部空间(38)且具有与开口部(39)相对置的面的底部(51)和将底部(51)支承在规定的位置的侧壁(52)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527258A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126356.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石田寿文
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/44 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种确保基板等离子体处理的面内均匀性的基板处理装置用盖部件、处理气体扩散供给装置和基板处理装置。等离子体处理装置(10)具备收容晶片(W)的处理室(11)；向该处理室(11)扩散供给处理气体的喷淋头(13)；和用于将处理气体导入到喷淋头(13)的处理气体导入管(40)。喷淋头(13)具有形成于其内部且与收容在处理室(11)内的晶片(W)的表面平行地扩展的内部空间(38)；使该内部空间(38)与处理室(11)内连通的多个气体孔(42)；和盖部件(50)。处理气体导入管(40)通过开口部(39)与内部空间(38)连接，开口部(39)与多个气体供给孔(42)的一部分相对置，盖部件(50)包括配置在内部空间(38)且具有与开口部(39)相对置的面的底部(51)和将底部(51)支承在规定的位置的侧壁(52)。
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公开(公告)号：CN112655076A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058555.2
申请日：2019-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C14/50 , C23C16/46 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 本发明载置台包括：基片载置部件，其具有载置被处理基片的载置面；支承基片载置部件的支承部件；致冷剂流路，其在支承部件的内部沿载置面形成，在与配置于载置面侧的顶面相反一侧的底面设置有致冷剂的导入口；以及隔热部件，其至少具有覆盖顶面中的与导入口相对的部分的第一面状部和覆盖致冷剂流路弯曲的部分的内侧面的第二面状部。
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公开(公告)号：CN1310290C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200410038015.3
申请日：2004-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供了一种可抑制更换部件的成本增加，可降低运转成本，与先前比较，可提高温度控制性能，可以进行高精度的等离子体处理的上部电极和等离子体处理装置。设在真空腔室(1)上的上部电极(3)由电极基体(30)、冷却块体(31)和电极板(32)构成。在电极基体(30)和冷却块体(31)之间，形成有处理气体扩散用空隙(33)。在冷却块体(31)上形成多个通孔(34)，在这些通孔(34)之间，形成细的弯曲状的冷却介质流路(35)。电极板(32)通过作为具有柔软性的传热部件的硅橡胶片(36)，可自由安装和脱开地固定在冷却块体(31)的下侧，分别与通孔(34)对应而形成有喷出口(37)。
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公开(公告)号：CN1551302A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038015.3
申请日：2004-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供了一种可抑制更换部件的成本增加，可降低运转成本，与先前比较，可提高温度控制性能，可以进行高精度的等离子体处理的上部电极和等离子体处理装置。设在真空腔室(1)上的上部电极(3)由电极基体(30)、冷却块体(31)和电极板(32)构成。在电极基体(30)和冷却块体(31)之间，形成有处理气体扩散用空隙(33)。在冷却块体(31)上形成多个通孔(34)，在这些通孔(34)之间，形成细的弯曲状的冷却介质流路(35)。电极板(32)通过作为具有柔软性的传热部件的硅橡胶片(36)，可自由安装和脱开地固定在冷却块体(31)的下侧，分别与通孔(34)对应而形成有喷出口(37)。
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公开(公告)号：CN303912674S
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201630168565.0
申请日：2016-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用静电吸盘用吸附板。2．本外观设计产品的用途：用于半导体制造装置的静电吸盘用吸附板。3．本外观设计的设计要点：产品的形状。4．最能表明设计要点的视图：主视图。
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