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公开(公告)号：CN108091535B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711165278.4
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层；在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域，从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此，能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。
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公开(公告)号：CN112885696B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202011516097.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置有多个加热器。多个加热器经由多个供电线而与加热器控制器电连接。在多个供电线上分别设置有多个滤波器。多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸。
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公开(公告)号：CN111584339B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010396274.2
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层；在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域，从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此，能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。
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公开(公告)号：CN112614768A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011010375.8
申请日：2020-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基板支承台和等离子体处理装置。提供用于响应性良好地控制载置于基板支承台的基板的温度的技术。在一个例示性的实施方式中提供一种基板支承台。基板支承台包括第1构件、第2构件、基板支承部以及一个以上的热电元件。第1构件在上部具有凹部，并为金属制。第2构件设于第1构件上，用于密封凹部，并为金属制。基板支承部设于第2构件上。热电元件配置于凹部。凹部由传热介质填满。
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公开(公告)号：CN111584339A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010396274.2
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层；在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域，从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此，能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111095501B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201980004528.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 用于载置基板的载置台具有：基台，其在内部具备吸附电极；聚焦环，其设于所述吸附电极的上方，并被吸附保持在所述基台上；以及沉积物控制环，在所述基台上、且是所述聚焦环的径向内侧设置该沉积物控制环。在所述聚焦环与所述沉积物控制环的沿着径向之间形成有使该聚焦环与沉积物控制环分离开的间隙。
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公开(公告)号：CN111095501A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004528.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 用于载置基板的载置台具有：基台，其在内部具备吸附电极；聚焦环，其设于所述吸附电极的上方，并被吸附保持在所述基台上；以及沉积物控制环，在所述基台上、且是所述聚焦环的径向内侧设置该沉积物控制环。在所述聚焦环与所述沉积物控制环的沿着径向之间形成有使该聚焦环与沉积物控制环分离开的间隙。
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公开(公告)号：CN114914144A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210108834.9
申请日：2022-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法。本发明要解决的技术问题是在等离子体处理中恰当地控制相对于基片的等离子体分布。在等离子体处理装置中使用的基片支承器包括：基台；配置在基台上的陶瓷板，其具有基片支承区域和将基片支承区域包围的环部件支承区域；配置在基台和陶瓷板的周围的绝缘环状部件；固定边缘环，其具有内侧部分和外侧部分，内侧部分被支承在环部件支承区域上，外侧部分被支承在绝缘环状部件上，外侧部分具有第一宽度；可动边缘环，其配置在固定边缘环的外侧部分的上方，且具有比第一宽度小的第二宽度；和致动器，其能够使可动边缘环相对于固定边缘环在上下方向上移动。
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公开(公告)号：CN112885696A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011516097.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置有多个加热器。多个加热器经由多个供电线而与加热器控制器电连接。在多个供电线上分别设置有多个滤波器。多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸。
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公开(公告)号：CN109285755B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810794660.X
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置有多个加热器。多个加热器经由多个供电线而与加热器控制器电连接。在多个供电线上分别设置有多个滤波器。多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸。
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