公开(公告)号：CN106463446A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024261.X

申请日：2015-06-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 喜多川大 ,  小泉克之 ,  永井力 ,  林大辅 ,  照内怜

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。

公开(公告)号：CN116544167A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310050087.2

申请日：2023-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  针生大辉 ,  佐藤隆彦 ,  永井力 ,  津田垒文 ,  丰田启吾

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。

公开(公告)号：CN106463446B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580024261.X

申请日：2015-06-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 喜多川大 ,  小泉克之 ,  永井力 ,  林大辅 ,  照内怜

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。