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公开(公告)号：CN106463446B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580024261.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。
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公开(公告)号：CN113690161B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110836298.X
申请日：2017-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有：保持部，其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个分割区域测定加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个分割区域，参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度，控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。
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公开(公告)号：CN107546150A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710471019.8
申请日：2017-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05B1/0233
Abstract: 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统和温度控制方法。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有：保持部，其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个分割区域测定加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个分割区域，参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度，控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。
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公开(公告)号：CN106463446A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024261.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。
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公开(公告)号：CN117378286A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280036616.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明的等离子体监控系统包含：监控装置；及控制装置。监控装置为载置于等离子体处理装置内的工作台上的装置。监控装置包含：板状的基底基板；及多个分光器，所述多个分光器具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并取得等离子体的发光强度。控制装置基于由多个分光器分别取得的发光强度而取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113690161A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110836298.X
申请日：2017-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有：保持部，其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个分割区域测定加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个分割区域，参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度，控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。
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公开(公告)号：CN117769755A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052235.8
申请日：2022-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变形的、针对上述温度调节对象体的传热层的步骤；和对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤。
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公开(公告)号：CN117321404A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280034060.8
申请日：2022-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N15/14
Abstract: 本发明的粒子监控系统，具备：发光装置，对等离子体处理装置内照射光；及监控装置，载置于等离子体处理装置内的工作台上。监控装置包含：基底基板；多个拍摄装置；及控制装置。基底基板呈板状。多个拍摄装置具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并拍摄包含来自被光照射的粒子的散射光的图像。控制装置判别由多个拍摄装置所拍摄到的图像内的粒子。
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公开(公告)号：CN107546150B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201710471019.8
申请日：2017-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统和温度控制方法。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有：保持部，其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个分割区域测定加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个分割区域，参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度，控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。
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公开(公告)号：CN119949022A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380067985.7
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的等离子体处理装置在等离子体处理腔室内包括至少一个电功率消耗部件。至少一个电功率消耗部件与受电线圈电连接。受电线圈与送电线圈电磁感应耦合。送电线圈接收来自送电部的电功率。控制部决定与参数值对应的所需电功率水平，控制送电部来输出具有所需电功率水平的输出电功率，参数值包含根据从送电部向送电线圈输入的输入电压和输入电流来求取的输入阻抗或至少一个电功率消耗部件所具有的负载电阻值。
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