公开(公告)号：CN112992836A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911275842.7

申请日：2019-12-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  曹俊

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。

公开(公告)号：CN112928109A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201911243260.0

申请日：2019-12-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  吴佳蒙 ,  曾丹 ,  曹俊

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/082 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。

公开(公告)号：CN112701165A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911008459.5

申请日：2019-10-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅二极管的制备方法，包括如下步骤：在SiC衬底上外延SiC，形成SiC外延层；热氧化所述SiC外延层表面，形成SiO2层；在所述SiO2层上沉积掩膜层；刻蚀有源区掩膜层，暴露有源区离子注入区域；部分刻蚀JTE区掩膜层，暴露JTE区离子注入区域；离子注入，形成P掺杂的JTE区和P+掺杂的有源区。本发明通过一次离子注入同时制作SiC JBS有源区P+和JTE终端区，简化工艺，降低了制作难度，降低了成本。

公开(公告)号：CN112670339A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201910984806.1

申请日：2019-10-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制造方法；氮化镓功率器件包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本发明的氮化镓功率器件及其制造方法采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112310188A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910668739.2

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  吴佳蒙 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/266

Abstract: 本申请涉及功率半导体领域，具体而言，涉及一种横向变掺杂终端结构的制造方法及其制备得到的横向变掺杂终端结构。横向变掺杂终端结构的制造方法包括以下步骤：在衬底上生长的氧化层上刻蚀出一阶梯状区域；在氧化层的阶梯状区域上方向衬底内注入掺杂离子，然后高温推进；在结构表面生长一层隔离氧化层；在隔离氧化层表面形成场板。通过控制终端氧化层的刻蚀厚度，形成阶梯渐变结构，离子注入推进后，实现终端离子注入剂量的沿着阶梯渐变方向的变掺杂，实现了终端窗口的大角度倾斜边缘和阶梯渐变结构，综合了结终端扩展结构和横向变掺杂结构的特点，解决了现有技术在实现横向变掺杂结构中由于终端环注入离子断开而出现漏电的问题。

公开(公告)号：CN112234030A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910635287.8

申请日：2019-07-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。

公开(公告)号：CN112216666A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201910626038.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曹俊 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  曾丹 ,  史波 ,  江伟 ,  廖勇波

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN111952282A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910405081.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  曾丹 ,  史波 ,  陈兆同 ,  刘勇强

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/06 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8252

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；形成于衬底一侧的缓冲层、沟道层、势垒层、第一漏极电极、第一栅极电极、第一源极电极、第一漏极金属引线区、第一栅极金属引线区和第一源极金属引线区；形成于衬底另一侧的第一介质层和位于第一介质层内的第二漏极电极、第二栅极电极、第二源极电极、第二漏极金属引线区、第二栅极金属引线区和第二源极金属引线区；第一源极金属引线区与第二漏极金属引线区通过贯穿于衬底的第一过孔电连接；第一栅极金属引线区与第二源极金属引线区通过贯穿于衬底的第二过孔电连接。本申请公开的晶体管缩短了互联线的长度，降低了寄生效应，也减小了芯片面积，降低了成本。

公开(公告)号：CN111834439A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910323441.8

申请日：2019-04-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  陈兆同 ,  何昌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。

公开(公告)号：CN111504477A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010374872.X

申请日：2020-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  林苡任 ,  马颖江

IPC: G01J5/12

Abstract: 本发明公开了一种红外温度传感器及其制造方法、温度检测设备，红外温度传感器包括：衬底、位于所述衬底一侧上的红外温度传感单元，其用于采集被测对象的温度信号；位于所述衬底的背离所述红外温度传感单元的另一侧上的信号处理单元，其与所述红外温度传感单元信号连接，用于对所述温度信号进行处理，以得到所述被测对象的温度信息。本发明实现了自身采集温度信号，并对温度信号进行计算、校正和转换等处理后得到温度信息，避免了后期应用时需适配专用的外部信号处理器，提高了红外温度传感器的实用性，同时减小了后期应用红外温度传感器多的温度检测设备的体积。