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公开(公告)号：CN112382513A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011064878.3
申请日：2020-10-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01G11/84 , H01G11/86 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/32 , H01G11/46 , H01G11/62 , H01M4/26 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M10/28
Abstract: 本发明公开了一种双离子水系储能器件的制备方法。(1)将金属铜片经过清洗等预处理，通过一定条件的阳极氧化，在管式炉中高温烧结，得到CuO纳米阵列电极；(2)将商用碳布经过清洗等预处理，通过一定条件的电化学沉积、碳包覆和高温碳化，得到VC/V2O3/C纳米复合电极；(3)将上述两种电极通过隔膜分开，在KOH电解液中，组装成水系储能器件，这种储能器件具有独特的双离子储能特性，即CuO与OH‑氧化还原反应，VC/V2O3/C与K+氧化还原反应。因此，本发明使用制备简单的方法，发明了一种双离子水系储能器件，其优异的电化学性能，在电化学储能器件中是很有应用前景的。
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公开(公告)号：CN112259381A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011069542.6
申请日：2020-10-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01G11/84 , H01G11/52 , H01M50/403 , H01M50/497 , H01M50/446 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种非织物的多功能隔膜的制备及应用。(1)将一定比例的去离子水和甲酰胺溶液与商用五氧化二钒药品混合，在一定条件的反应釜中进行水热反应，抽滤干燥得到五氧化二钒纳米片；(2)将一定浓度的五氧化二钒纳米片与聚乙烯醇缩丁醛酯、聚乙二醇辛基苯基醚和邻苯二甲酸二丁酯在无水乙醇中混合，并干燥成隔膜，测试其吸水率；(3)将一定浓度的五氧化二钒纳米片隔膜与两片尺寸相同的商用碳布组装成储能器件，探索出隔膜的最佳五氧化二钒纳米片浓度，并计算其离子电导率。因此，本发明通过操作简单、快捷的方法，制备出了成本低、离子电导率高、电化学性能稳定、吸附性可调整的隔膜，为储能器件隔膜的研究和发展提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN110639581A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910820408.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种WP2/g-C3N4异质结光催化剂的制备方法。采用原位固相合成技术，通过双控温区管式炉，氩气保护，磷化WO3·2H2O/有机胺复合物，合成WP2纳米片，然后将WP2纳米片加入到乙醇中，再加入g-C3N4，混合均匀后倒入高压反应釜，一定温度下反应3h，取出沉淀产物放入马弗炉中以0.5℃/min的升温速率升温到350℃，保温3小时，冷却至室温后，即制得WP2/g-C3N4异质结光催化剂。该方法操作简便，产率高，所制备的WP2/g-C3N4异质结光催化剂不加助催化剂也具有较高的产氢效率，同时具有很高的光催化活性，这对于WP2/g-C3N4异质结光催化剂在光催化领域的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN107230551A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710385073.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。
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公开(公告)号：CN107029755A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710246895.0
申请日：2017-04-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/04 , B01J35/004 , B01J37/031 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种Ag2S/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。首先通过水热法合成SnS2纳米片，再在含有SnS2纳米片的水溶液中加入银离子，使其与二硫化锡发生离子交换反应，得到Ag2S/SnS2异质结复合光催化剂。Ag2S纳米颗粒与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，Ag2S(8wt％)/SnS2复合物，光生电密度是的SnS22倍。异质结光催化降解甲基橙的活性显然优于Ag2S和SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104941662A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510329077.8
申请日：2015-06-15
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J23/89
Abstract: 本发明提供了一种Ag/BFeO3复合光催化剂的制备方法。解决了BiFeO3可见光吸收弱、光催化性能较差的问题。采用溶胶-凝胶制备了纯相BiFeO3粒子，通过化学还原法在BiFeO3表面负载纳米银，制备了Ag/BiFeO3复合光催化剂。本发明用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PVA)或聚乙二醇(PEG)代替硼氢化钠等常用还原剂，减缓银粒子的生长，使粒径20-50nm的金属银在BiFeO3表面均匀分布，增强可见光吸收，提高了可见光催化效率。本发明制备方法简单，易于操作，有利于大规模推广，所制备的复合光催化剂在可见光降解有机污染物领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN104874408A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510329136.1
申请日：2015-06-15
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化锡超薄纳米片光催化剂的制备方法。采用溶剂热反应合成有机单胺插层的SnS2，将0.1~10mmol四氯化锡和0.2~20mmol硫源加入到30mL的有机单胺溶剂中，四氯化锡和硫源摩尔比为1：2，混合均匀后加入聚四氟乙烯反应釜中，110~180℃下反应0.5~5天，得到有机单胺插层的SnS2有机-无机杂化物。再将杂化物加入到0.5~3mol/L硝酸溶液中，通过离子交换进行剥离，最后得到SnS2超薄纳米片。本发明操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。
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公开(公告)号：CN102698780A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210198243.1
申请日：2012-06-15
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化银/磷酸银异质结膜可见光催化材料及其制备方法。卤化银/磷酸银异质结膜可见光催化材料的化学式为：AgX/Ag3PO4，X为Cl、Br或I。将磷酸盐、卤化盐和聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中配制成电解液，Ag膜为研究电极，铂电极为辅助电极，汞-硫酸亚汞电极为参比电极，在0~1V电位下阳极氧化20~50分钟后，所得材料用蒸馏水冲洗干净，黑暗中自然晾干后得到卤化银/磷酸银异质结膜可见光催化材料；所述Ag膜为纯度高于99%的银箔或者导电基体通过沉积法制得的银膜，所述化学试剂纯度均为化学纯以上纯度。本发明制备的异质结膜，可进一步提高磷酸银的光催化活性，同时解决粉末光催化剂回收难的问题。
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公开(公告)号：CN120058336A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411820093.2
申请日：2024-12-11
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种低成本常压干燥方法，制备了一种超疏水气凝胶复合材料，通过溶胶浸渍法，经常压干燥改性后得到纤维气凝胶复合材料，具体包括以下步骤：以硅酸铝纤维作为骨架结构通过制备二氧化硅溶胶，硅溶胶均匀的浸渍在纤维毡得到纤维/溶胶混合体；再凝胶老化，常压干燥。本发明制备工艺简单，成本低，无需超临界干燥设备并省去了繁杂的表面改性和溶剂置换过程，原料价格低，设备简单，对环境要求较低，整个工艺流程耗时短，适合工业化生产，材料使用温度高，可达到1300℃，疏水性好、密度小。同时实现了对纳米隔热材料力学性能的增强，提升了纳米隔热材料的机械加工性能。
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公开(公告)号：CN113097320B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110344916.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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