公开(公告)号：CN107029755B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201710246895.0

申请日：2017-04-16

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  耿鹏 ,  吕慧丹 ,  王吉祥 ,  林剑飞

IPC: B01J27/04 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02W10/37

Abstract: 本发明公开了一种Ag2S/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。首先通过水热法合成SnS2纳米片，再在含有SnS2纳米片的水溶液中加入银离子，使其与二硫化锡发生离子交换反应，得到Ag2S/SnS2异质结复合光催化剂。Ag2S纳米颗粒与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，Ag2S(8wt％)/SnS2复合物，光生电密度是的SnS22倍。异质结光催化降解甲基橙的活性显然优于Ag2S和SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。

公开(公告)号：CN107029755A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710246895.0

申请日：2017-04-16

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  耿鹏 ,  吕慧丹 ,  王吉祥 ,  林剑飞

IPC: B01J27/04 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02W10/37 ,  B01J27/04 ,  B01J35/004 ,  B01J37/031 ,  C02F1/30 ,  C02F2101/308 ,  C02F2305/10

Abstract: 本发明公开了一种Ag2S/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。首先通过水热法合成SnS2纳米片，再在含有SnS2纳米片的水溶液中加入银离子，使其与二硫化锡发生离子交换反应，得到Ag2S/SnS2异质结复合光催化剂。Ag2S纳米颗粒与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，Ag2S(8wt％)/SnS2复合物，光生电密度是的SnS22倍。异质结光催化降解甲基橙的活性显然优于Ag2S和SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。

公开(公告)号：CN104941662A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510329077.8

申请日：2015-06-15

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  刘勇平 ,  闫艺 ,  王吉祥 ,  郭春龙

IPC: B01J23/89

Abstract: 本发明提供了一种Ag/BFeO3复合光催化剂的制备方法。解决了BiFeO3可见光吸收弱、光催化性能较差的问题。采用溶胶-凝胶制备了纯相BiFeO3粒子，通过化学还原法在BiFeO3表面负载纳米银，制备了Ag/BiFeO3复合光催化剂。本发明用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PVA)或聚乙二醇(PEG)代替硼氢化钠等常用还原剂，减缓银粒子的生长，使粒径20-50nm的金属银在BiFeO3表面均匀分布，增强可见光吸收，提高了可见光催化效率。本发明制备方法简单，易于操作，有利于大规模推广，所制备的复合光催化剂在可见光降解有机污染物领域有广泛的应用。

公开(公告)号：CN104874408A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510329136.1

申请日：2015-06-15

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  吕慧丹 ,  王吉祥 ,  郭倩倩

IPC: B01J27/04 ,  C01G19/00

Abstract: 本发明公开了一种二硫化锡超薄纳米片光催化剂的制备方法。采用溶剂热反应合成有机单胺插层的SnS2，将0.1~10mmol四氯化锡和0.2~20mmol硫源加入到30mL的有机单胺溶剂中，四氯化锡和硫源摩尔比为1：2，混合均匀后加入聚四氟乙烯反应釜中，110~180℃下反应0.5~5天，得到有机单胺插层的SnS2有机-无机杂化物。再将杂化物加入到0.5~3mol/L硝酸溶液中，通过离子交换进行剥离，最后得到SnS2超薄纳米片。本发明操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。

公开(公告)号：CN106994355A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710250266.5

申请日：2017-04-17

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  米喜红 ,  吕慧丹 ,  耿鹏 ,  王吉祥 ,  林剑飞

IPC: B01J27/04 ,  B82Y30/00 ,  C02F1/30 ,  C02F101/34 ,  C02F101/38 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02W10/37 ,  B01J27/04 ,  B01J35/004 ,  B82Y30/00 ,  C02F1/30 ,  C02F2101/308 ,  C02F2101/34 ,  C02F2101/38 ,  C02F2305/10

Abstract: 本发明公开了一种GQDs/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。采用简单的一步水热法：将石墨烯量子点加入到含有硫源和四氯化锡(硫源与四氯化锡的摩尔比为2.2：1)水溶液中，120～180℃下水热反应一段时间就得到GQDs/SnS2异质结光催化剂。GQDs与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，光生电流密度为是纯SnS2的5倍。异质结光催化降解甲基橙的活性优于SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的GQDs/SnS2超薄纳米片具有很高的光催化及光电化学析氧能力。