公开(公告)号：CN114220842A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111537531.0

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 胡巍 ,  刘鹏飞 ,  覃荣震 ,  王梦洁 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种功率晶体管的结终端，包括介质层、多个场限环组以及多个与场限环组对应的场板；场板在介质层的投影面积大于场限环组在介质层的投影面积；其中，场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；主场限环通过介质层的接触孔与对应的场板相连，辅助场限环通过介质层与对应的场板隔离。这样，一个场板、一个主场限环和多个辅助场限环形成一个复合结构，在相同阻断电压的约束下，场板的数量更少，场板之间的间隙的数量也越少，终端暴露面积随之减少，在后续芯片工艺、封装过程以及外部环境中，尽可能的减少电荷通过这些间隙进入到介质层中，避免因为集聚的电荷过多，破坏结终端的电场分布，防止功率晶体管的耐压降低。

公开(公告)号：CN112687749A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011471302.9

申请日：2020-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘鹏飞 ,  覃荣震 ,  王梦洁 ,  朱利恒 ,  丁杰

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请涉及一种快恢复二极管及其制作方法，属于半导体器件技术领域。本申请提供了一种快恢复二极管，包括第一导电类型的衬底；第二导电类型的阳极区，位于衬底上方；其中，阳极区内嵌设有第一导电类型的掺杂区；位于阳极区上方的阳极金属层；位于衬底下方的第一导电类型的阴极区；以及，位于阴极区下方的阴极金属层由于在第二导电类型的阳极区内部引入第一导电类型的掺杂区，因此，不影响阳极区表面与金属之间的接触，在快恢复二极管导通时第一导电类型的掺杂区能够抑制阳极区的空穴注入效率；在快恢复二极管关断时第一导电类型的掺杂区能够产生电子，从而快速复合体区的空穴，进而起到降低器件关断损耗的目的，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN108538912B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201810425729.1

申请日：2018-05-07

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱春林 ,  罗海辉 ,  刘国友 ,  戴小平 ,  肖强 ,  覃荣震

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提出了一种沟槽台阶栅IGBT芯片，包括衬底和位于衬底表面内的第一沟槽栅，所述第一沟槽栅结构为实栅，所述第一沟槽栅的栅极氧化层由不同的栅氧厚度组成，位于上方的栅极氧化层的栅氧厚度小于位于下方的栅极氧化层的栅氧厚度。本发明的沟槽台阶栅IGBT芯片有效沟道工作区采用比较薄的栅极氧化层，而在沟槽底部采用比较厚的栅极氧化层，从而提升了芯片密度、降低了通耗和增强了栅极对开关的控制能力，增加了沟道底部的耐压能力和降低输出电容，从而降低开关损耗；同时增加P阱剂量以维持Vth在同一水平并增强了器件的反闩锁能力，从而实现在提升芯片电流密度的同时还优化了芯片的电学性能和可靠性。

公开(公告)号：CN111987089A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010837962.8

申请日：2020-08-19

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  肖强 ,  朱利恒 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  刘鹏飞

IPC: H01L25/18 ,  H01L27/02 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT功率集成模块，包括衬板和设置于所述衬板上的逆导型IGBT芯片；所述衬板包括发射极导电层和集电极导电层；所述逆导型IGBT芯片包括终端区、若干IGBT器件和若干FRD器件；其中，所述IGBT器件的总面积为所述逆导型IGBT芯片的面积的50％至90％，所述IGBT器件的发射极PAD区与所述FRD器件的阳极PAD区通过绑定线与所述发射极导电层连接，所述IGBT器件的集电极PAD区和所述FRD器件的阴极PAD区通过焊层与所述集电极导电层连接。通过将若干IGBT器件和FRD器件集成在一个芯片上，形成逆导型IGBT芯片，使得IGBT器件和FRD器件共用芯片的终端区，提高了衬板通流能力。

公开(公告)号：CN109755300B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201811435318.7

申请日：2018-11-28

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱春林 ,  王亚飞 ,  王彦刚 ,  覃荣震 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种沟槽IGBT芯片，包括：N型衬底；多个条形沟槽栅极，其沿N型衬底表面延伸且平行分布；多个辅助栅极，其垂直于条形沟槽栅极的长度方向，以将多个条形沟槽栅极之间的区域隔离为多个有源区和多个陪区，有源区和陪区交替排列；其中，有源区设置有N+区、P+区、P阱区和N阱区：陪区未设置N+区、P+区、P阱区和N阱区；发射极金属层，其与N+区和P+区接触。本发明可以通过在沟槽IGBT芯片单胞内有源区和陪区之间引入辅助栅极，从而对有源区和陪区两者间进行有效隔离，避免二者之间工作中相互干扰，进而可以分别对有源区和陪区有针对性设计以实现芯片性能的总体优化。