-
公开(公告)号：CN116553927A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310850112.5
申请日：2023-07-12
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种无铅压电陶瓷及制备方法，压电陶瓷的化学通式为：0.95K0.48Na0.52Nb0.95Sb0.05O3‑0.035(Bi0.5Ag0.5)ZrO3‑0.015BaZrO3‑xF2x‑0.004Fe2O3，其中，x为用BaF2替代原料中的BaCO3的摩尔百分数，x=20~100%。本发明采用BaF2取代BaCO3作为原料,实现氟离子对氧离子的取代，即阴离子掺杂，使制备的压电陶瓷材料的相变处介电峰锐化，相对介电常数为2303~3001，压电系数为410~480 pC/N，制备过程采用Fe2O3作为助烧剂，能够有效地降低材料的烧结温度，有助于提升陶瓷的致密性，获得高质量的陶瓷。
-
公开(公告)号：CN113013631B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110216997.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种双频功能性超表面及其设计方法，所述双频功能性超表面为太赫兹波段中的二氧化钒复合铝天线单元，包括从下到上依次设置的铝片层、聚合物层及复合图案层；本发明通过引入相变材料二氧化钒，实现了超表面中对太赫兹线偏振和圆偏振波动态调控，提高了太赫兹波的调制深度；将正将正结构式双D型谐振器和反结构式双C型谐振器组合形成的超表面单元，实现了在0.52THz和0.98THz频点下相互不串扰的功能设计。
-
公开(公告)号：CN113013631A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110216997.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种双频功能性超表面及其设计方法，所述双频功能性超表面为太赫兹波段中的二氧化钒复合铝天线单元，包括从下到上依次设置的铝片层、聚合物层及复合图案层；本发明通过引入相变材料二氧化钒，实现了超表面中对太赫兹线偏振和圆偏振波动态调控，提高了太赫兹波的调制深度；将正将正结构式双D型谐振器和反结构式双C型谐振器组合形成的超表面单元，实现了在0.52THz和0.98THz频点下相互不串扰的功能设计。
-
公开(公告)号：CN119620251A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510072206.3
申请日：2025-01-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了C2对称手性超表面及相位控制的应用、验证方法，属于微纳光学领域，包括由上到下依次设置的表层、中间层和背板层，表层由中心对称布置的左弧形环和右弧形环组成，左弧形环和右弧形环相对的一侧均设置有凸起，且左弧形环上的凸起和右弧形环上的凸起关于圆心对称布置，左弧形环和右弧形环的缺口圆心角β为钝角。采用上述C2对称手性超表面及相位控制的应用、验证方法，利用无镜像对称性、具有二阶旋转(C2)对称性的超原子和其镜像原子，仅通过手性相位即可实现同极化圆偏振太赫兹波的自旋解耦相位控制。
-
公开(公告)号：CN119100786A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411292255.X
申请日：2024-09-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷化学通式为(K0.48Na0.52)NbO3‑xLa2O3，x表示氧化镧La2O3的摩尔数，x为0.005～0.04。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、称量原料；S2、对原料进行一次球磨；S3、对一次混合粉料进行预烧；S4、对预烧料进行二次球磨；S5、在二次混合粉料中加入聚乙烯醇水溶液进行造粒；S6、对造粒后的粉料进行过筛；S7、将细粉依次进行压片、排胶处理；S8、对陶瓷坯体进行烧结；S9、将陶瓷体镀银电极，施加电压进行极化。采用本发明所述的铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，获得致密性高、低介电损耗的透明铁电陶瓷材料，具有透光性与铁电性综合性能好的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118534681B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410595482.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型：定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数，并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系，获得MIM超表面相位理论模型；S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构，构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构：利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变，介电常数随温度发生变化的性质，调节MIM结构的反射系数，实现温度对光自旋霍尔效应的调控；S3、利用仿真实验获取最佳结构参数：改变MIM结构参数，调整MIM超表面相位理论模型，并进行仿真实验，确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，通过在MIM超表面中引入活性物质VO2，实现了对光自旋霍尔效应的热光调控，所产生的PSHE位移变化值ΔH增加，为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。
-
公开(公告)号：CN118896911A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410962186.2
申请日：2024-07-17
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N21/21 , G01N21/01 , G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，属于偏振态检测领域，包括以下步骤：S1、设计由各向异性十字型超单元组成的超构表面的相位，并计算全斯托克斯参数的理论值；S2、构建超构表面的仿真模型，并计算全斯托克斯参数的仿真值；S3、将不同偏振态入射光的斯托克斯参数的理论值与仿真值进行对比，对全斯托克斯参数的理论值进行验证；S4、制备超构表面样品，计算全斯托克斯参数的实验值；S5、将不同偏振态入射光的全斯托克斯参数的理论值与实验值进行对比，以对全斯托克斯参数的理论值再次验证。本发明采用上述基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，有效实现了太赫兹波段偏振信息的准确检测。
-
公开(公告)号：CN117886601A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410060575.6
申请日：2024-01-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。
-
公开(公告)号：CN117330514A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311283130.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弱值放大药物手性多功能检测装置及方法，属于光学领域，包括紫外光谱检测光路、旋光性检测光路和圆二色谱检测光路；紫外光谱检测光路包括光源发生器、光阑、半波片、第一分光镜以及对应第一分光镜的第一出射端设置的第二比色皿和第二光谱仪；旋光性检测光路包括设置于第一分光镜的第二出射端的第一格兰偏振镜、第一比色皿、第二分光镜以及对应第二分光镜的第一出射端设置的第三格兰偏振镜和光功率计；圆二色谱检测光路包括对应第二分光镜的第二出射端设置的四分之一波片、第二格兰偏振镜和第一光谱仪。本发明采用上述基于弱值放大药物手性多功能检测装置及方法，集成了紫外吸收谱、圆二色谱和旋光谱检测。
-
公开(公告)号：CN116986896A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311241871.8
申请日：2023-09-25
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了阴离子取代改性的钛酸铋钠无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠无铅压电陶瓷的化学通式为：Bi0.51(Na0.82K0.18)0.5TiO3‑0.41xF0.41x，其中，0.2≤x≤1.0。本发明利用NaF取代Na2CO3，实现F‑取代O2‑，在钛酸铋钠基陶瓷中实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，非等价取代有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强极化强度，进而同时提升钛酸铋钠基陶瓷的压电性能和退极化温度，使之具有高的压电性能和宽的使用温度范围，压电常数d33可达122~170 pC/N，退极化温度Td可达77‑142℃。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.049 seconds)
