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公开(公告)号：CN113380825B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110516834.8
申请日：2021-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 吕俊颉 , 杨世海 , 林佑明 , 马礼修 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯
Abstract: 一种铁电存储器器件包括多层堆叠件、沟道层和基于III‑V的铁电层。该多层堆叠件布置在衬底上并包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层。该沟道层穿透多层堆叠件的多个导电层和多个介电层。该基于III‑V的铁电层布置在沟道层与多层堆叠件之间，并包括选自III族元素的至少一种元素、选自V族元素的至少一种元素和选自过渡金属元素的至少一种元素。本发明的实施例还公开了形成铁电存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN113497044B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110690774.1
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 铁电隧道结(FTJ)存储器器件包括：位于衬底上方的底部电极；位于底部电极上面的顶部电极；以及位于底部电极和顶部电极之间的铁电隧道结存储器元件。该铁电隧道结存储器元件包括至少一个铁电材料层和至少一个隧穿介电层。本发明的实施例还涉及铁电隧道结存储器器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN113540100B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110728558.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 存储器结构包括：第一字线和第二字线；在该第一字线和该第二字线上设置的高k介电层；在该高k介电层上设置的沟道层并且该沟道层包括半导体材料；电接触该沟道层的第一源极电极和第二源极电极；在该第一源极电极和该第二源极电极之间的该沟道层上设置的第一漏极电极；电连接至该第一漏极电极的存储器单元；以及电连接至该存储器单元的位线。本申请的实施例还涉及形成存储器结构的方法。
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公开(公告)号：CN115116950A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210110694.9
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 马礼修
IPC: H01L21/8234 , H01L29/786
Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括互连结构和形成在互连结构上方的电极层。半导体结构还包括形成在电极层上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的氧化物半导体层。半导体结构还包括覆盖氧化物半导体层表面的含铟部件和形成在含铟部件上方的源极/漏极接触件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113555384A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110635531.8
申请日：2021-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/11504 , H01L27/11507 , H01L27/11587 , H01L27/1159
Abstract: 一种半导体装置，包含至少一个选择器装置。每个选择器装置包括自底部至顶部包含底部电极、金属氧化物半导体通道层、以及顶部电极，且位于一基板上方的垂直堆叠；接触底部电极、金属氧化物半导体通道层、以及顶部电极的侧壁的栅极介电层；以及形成于栅极介电层之中，且所具有的顶部表面与顶部电极的顶部表面共平面的栅极电极。上述至少一个选择器装置的每个顶部电极或每个底部电极可接触对应的非易失性存储器元件，以提供单选择器‑单电阻器存储器单元。
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公开(公告)号：CN113540344A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110727994.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 布兰丁·迪里耶 , 马礼修
Abstract: 提供了一种存储器器件，其可以包括第一电极、包括至少一个半导体金属氧化物层和至少一个含氢金属层的存储器层堆叠、以及第二电极。提供一种半导体器件，其可包括含有源极区、漏极区和沟道区的半导体金属氧化物层，位于沟道区表面的含氢金属层，以及位于沟道区上的栅电极。含氢金属层。每个含氢金属层可以包括至少90％的原子百分比的选自铂、铱、锇和钌的至少一种金属，并且可以包括0.001％至10％的原子百分比的氢原子％。氢原子可以可逆地浸入相应的半导体金属氧化物层中以改变电阻率并编码存储位。本发明的实施例还涉及半导体器件及其操作方法。
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公开(公告)号：CN113540147A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110719238.X
申请日：2021-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体器件包括位于下部层级介电材料层上方的半导体金属氧化物鳍、位于半导体金属氧化物鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层、位于栅极介电层上并且跨越半导体金属氧化物鳍的栅电极、嵌入有栅电极和半导体金属氧化物鳍的存取层级介电材料层、嵌入在存储器层级介电材料层中并且包括第一电极、存储器元件和第二电极的存储器单元以及位于存储器单元上面的位线。第一电极可以通过第一导电路径电连接至半导体金属氧化物鳍内的漏极区域，并且第二电极电连接至位线。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法、存储器阵列。
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公开(公告)号：CN113497152A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110692352.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/34 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L27/11509 , H01L27/11592 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 一种场效应晶体管及其制造方法。该等场效应晶体管包括处于沟道层中的有源区对、位于该对有源区之间的沟道区以及位于该对有源区的表面上的自对准钝化层。
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公开(公告)号：CN113497044A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110690774.1
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 铁电隧道结(FTJ)存储器器件包括：位于衬底上方的底部电极；位于底部电极上面的顶部电极；以及位于底部电极和顶部电极之间的铁电隧道结存储器元件。该铁电隧道结存储器元件包括至少一个铁电材料层和至少一个隧穿介电层。本发明的实施例还涉及铁电隧道结存储器器件的制造方法。
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