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公开(公告)号：CN113380897B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110601485.X
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L21/34 , H10B61/00 , H10B63/00
Abstract: 提供了晶体管、集成半导体器件及制造方法。该晶体管包括图案化的栅电极、位于图案化的栅电极上方的介电层和图案化的第一氧化物半导体层，该图案化的第一氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区的侧上的源极/漏极区。源极/漏极区的厚度大于沟道区的厚度。该晶体管还包括置于图案化的第一氧化物半导体层上并连接到图案化的第一氧化物半导体层的源极/漏极区的接触件。
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公开(公告)号：CN113380898B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110603926.X
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H10B61/00 , H10B63/00 , H10B63/10
Abstract: 一种半导体晶体管，包括沟道结构，该沟道结构包括沟道区域和位于沟道区域的相应侧上的两个源极/漏极区域，其中，沟道区域和两个源极/漏极区域沿第一方向堆叠。栅极结构围绕沟道区域。本发明的实施例还涉及一种半导体器件、以及形成半导体晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN114927563A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210019105.6
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 马礼修
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 半导体器件包括沟道层、源极/漏极接触件和第一阻挡衬垫。沟道层包括氧化物半导体材料。源极/漏极接触件设置为与沟道层电接触。第一阻挡衬垫分别围绕源极/漏极接触件，并且包括氢阻挡材料以防止氢通过第一阻挡衬垫扩散至沟道层。本申请的实施例还涉及半导体结构和用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116230749A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210901370.7
申请日：2022-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 奥雷斯特·马迪亚 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 马可·范·达尔
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 场效应晶体管可以包括有源层，该有源层包含至少两种原子元素的氧化物化合物材料并且位于衬底上方，至少两种原子元素包括锡的第一元素和选自Ge、Si、P、S、F、Ti、Cs和Na的第二元素。场效应晶体管还可以包括位于有源层上的栅极电介质、位于栅极电介质上的栅电极以及接触有源层的相应部分的源电极和漏电极。氧化物化合物材料可以包括至少锗和锡。氧化物化合物半导体材料可以用作BEOL结构中的p型半导体材料。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113299830A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110564957.9
申请日：2021-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/11507
Abstract: 实施例包含制造具有多个金属接触件的金属‑铁电金属电容器的结构和方法。实施例可包含：第一金属条带，设置在衬底上且在第一方向上延伸；铁电毯覆层，设置在第一金属条带上；第二金属条带，设置在铁电毯覆层上且在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及多个金属接触件，设置在第一金属条带与第二金属条带之间且位于第一金属条带与第二金属条带的相交区内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115377209A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210131674.X
申请日：2022-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马礼修 , 马可·范·达尔 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 荷尔本·朵尔伯斯
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/11509 , H01L27/11507
Abstract: 可以通过以正向顺序或以反向顺序在衬底上方形成栅电极、半导体金属氧化物衬垫、栅极电介质和有源层并且通过在有源层的端部上形成源电极和漏电极来提供晶体管。半导体金属氧化物衬垫包括用作氢阻挡材料的薄半导体金属氧化物材料。本申请的实施例还涉及晶体管及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113380898A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110603926.X
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 一种半导体晶体管，包括沟道结构，该沟道结构包括沟道区域和位于沟道区域的相应侧上的两个源极/漏极区域，其中，沟道区域和两个源极/漏极区域沿第一方向堆叠。栅极结构围绕沟道区域。本发明的实施例还涉及一种半导体器件、以及形成半导体晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN113380897A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110601485.X
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L21/34 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 提供了晶体管、集成半导体器件及制造方法。该晶体管包括图案化的栅电极、位于图案化的栅电极上方的介电层和图案化的第一氧化物半导体层，该图案化的第一氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区的侧上的源极/漏极区。源极/漏极区的厚度大于沟道区的厚度。该晶体管还包括置于图案化的第一氧化物半导体层上并连接到图案化的第一氧化物半导体层的源极/漏极区的接触件。
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公开(公告)号：CN113540344B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110727994.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 布兰丁·迪里耶 , 马礼修
Abstract: 提供了一种存储器器件，其可以包括第一电极、包括至少一个半导体金属氧化物层和至少一个含氢金属层的存储器层堆叠、以及第二电极。提供一种半导体器件，其可包括含有源极区、漏极区和沟道区的半导体金属氧化物层，位于沟道区表面的含氢金属层，以及位于沟道区上的栅电极。含氢金属层。每个含氢金属层可以包括至少90％的原子百分比的选自铂、铱、锇和钌的至少一种金属，并且可以包括0.001％至10％的原子百分比的氢原子％。氢原子可以可逆地浸入相应的半导体金属氧化物层中以改变电阻率并编码存储位。本发明的实施例还涉及半导体器件及其操作方法。
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公开(公告)号：CN113380800B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110591884.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H10B61/00 , H10B63/00
Abstract: 提供了晶体管、集成半导体器件及制造方法。该晶体管包括：具有多个介电突起的介电层；共形地覆盖介电层的突起以在两个相邻的介电突起之间形成多个沟槽的沟道层；设置在沟道层上的栅极层。栅极层106具有配接到沟槽中的多个栅极突起。该晶体管还包含栅极层旁边的有源区。有源区电连接至沟道层。
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