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公开(公告)号：CN111388705A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010405043.3
申请日：2020-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种便携式紫外LED杀菌消毒盒，包括：消毒盒体，包括一带有底面的基础部和连接于所述基础部的折叠部，所述折叠部能收缩或伸展以调整所述消毒盒体的内部体积；消毒盒盖，压设于所述折叠部上，设置有紫外LED、压力传感器、控制电路和控制开关，其中：所述紫外LED设置于所述消毒盒盖的底部，所述压力传感器设置于所述消毒盒盖上与所述折叠部压接的位置，所述控制开关设置于所述消毒盒盖的顶面，所述控制电路连接至所述紫外LED、压力传感器和控制开关，能够接收所述压力传感器和控制开关的信号并对所述紫外LED进行控制。本发明的紫外LED杀菌消毒盒具有结构简单、便于携带、安全可靠、操作便捷的优点。
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公开(公告)号：CN110269950A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810208011.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统，包括：分布式深紫外LED杀菌消毒模块，分布于消毒区域的多个不同位置；人体识别模块，用于采集侵入人员信息，对侵入所述消毒区域的人员进行识别；以及主控制器，与所述人体识别模块及分布式深紫外LED杀菌消毒模块连接，用于接收所述人体识别模块发送的侵入人员信息，并根据侵入人员信息控制所述分布式深紫外LED杀菌消毒模块的启停。本公开基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统，能够快速智能识别出人体安全，既达到杀菌消毒的目的又避免了紫外线伤害，具有重要的实际应用意义。
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公开(公告)号：CN110071177A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910438467.7
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件，该肖特基二极管自下而上依次包括：衬底层；第一基材层，其生长在衬底层上，作为后续生长的模板缓冲层；第二基材层，其生长在第一基材层上，用于生长阴极电极；第三基材层，其生长在第二基材层上，作为肖特基二极管的有源区；墨烯层，其设置在第三基材层上；欧姆接触电极，其设置在第二基材层上，形成阴极电极；以及肖特基接触电极，其设置在石墨烯层上，形成阳极电极。本发明制作的肖特基二极管将具有高反向击穿电压和低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN109285758A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811009044.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法，包括：在图形衬底材料上生长出只在平面区域存在的亚单层石墨烯；将材料进行等离子体处理，形成具有缺陷的亚单层石墨烯；采用金属有机化学气相沉积方法分三段进行外延生长，生长出表面结构平整且位错密度在108/cm2量级的较高质量氮化物薄膜。本发明采用在图形衬底选区生长的亚单层石墨烯作为生长氮化物薄膜的插入层，有效提高了金属原子生长过程中在基底表面的横向迁移速率，能够短时间内覆盖图形部分，形成表面平整且较高晶体质量的氮化物薄膜。
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公开(公告)号：CN108922947A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810722927.4
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明涉及半导体微电子技术领域，具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板，然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层有源区的材料质量，释放外延层应力，提高内量子效率，还能通过多孔结构降低光的内部反射提高出光效率，同时相对于传统图形衬底外延技术，该外延模板制备方法更加简单，外延层合并更容易。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106441485A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611164611.5
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G01F15/12 , C02F1/32 , C02F2303/04
Abstract: 本发明提出了一种具有紫外杀菌消毒功能的水表，包括计量装置、感应装置和发光装置，其中，通过在计量装置中水表本体上设置一个透明窗口，正对该透明窗口固定一个发光装置的紫外光源，紫外光源能够产生紫外光线并透过透明窗口对流经水表本体的水进行杀菌消毒。在保证原水表计量功能的同时，对流经水表本体的水进行高效高速的杀菌消毒。
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公开(公告)号：CN104465905A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410817187.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L2933/0008
Abstract: 一种采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，包括：在基底上依次生长AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlGaN有源区、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和p型InGaN电极接触层；从所述p型InGaN电极接触层顶部开始向下刻蚀，刻蚀深度至n型AlGaN层内，形成发光二极管pn结脊形结构及其两侧的台面；在所述台面上制作n型接触电极；在所述脊形结构上的p型InGaN电极接触层上制作p型接触电极；在脊形结构及两侧台面上沉积电绝缘层，该电绝缘层覆盖n型接触电极和p型接触电极；在n型接触电极和p型接触电极的上方，分别形成上电极窗口区和下电极窗口区；在所述上电极窗口区及两侧的电绝缘层制作上电极层；在所述下电极窗口区上制作下电极层，完成方法的制作。
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公开(公告)号：CN104357805A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410641935.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/458 , C30B25/12
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/4581 , C30B25/12
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD设备的石墨盘，其包括至少一个片坑，所述片坑面积大于衬底面积，且为衬底面积的整数倍，所述至少一个片坑边缘具有与衬底的角相吻合的凸角，且一定数量的衬底紧密排列后正好覆盖住所述至少一个片坑。本发明提出的石墨盘上衬底和衬底之间无间隔，整个石墨盘只有一个巨型片坑，或者是只有很少几个间隔将整个石墨盘分成几个巨型片坑。无间隔的设计能够大幅度提高石墨盘的利用率。同时，采用的衬底尽量用较小的倒角或无倒角。因此能够使得巨型片坑内的方形衬底排列的更加紧密，防止片子之间有空隙。如果有空隙，和高出的边沿一样也会引起湍流，影响气流的稳定性，从而影响外延样品的晶体质量。
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公开(公告)号：CN103811609A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410056782.0
申请日：2014-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法。该氮化物发光二极管外延片包括：衬底；以及依次沉积于衬底上的氮化物材料的模板层、n型层、量子阱有源区、载流子阻挡层和p型层；其中，p型层中掺杂元素至少包括Mg；载流子阻挡层为含有Al元素的氮化物材料，且除后期由p型层渗入的Mg元素之外，其前期沉积工艺中未掺入Mg元素。本发明通过在量子阱有源区和p型层之间插入合适厚度的非有意掺杂载流子阻挡层，可以有效减少p型层中掺杂剂Mg往量子阱有源区中的扩散效应，从而提高量子阱的辐射复合效率，即有效提高氮化物LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN103199164A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310118141.9
申请日：2013-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。
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