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公开(公告)号：CN113270533A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110519862.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。
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公开(公告)号：CN112670371A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011566704.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。
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公开(公告)号：CN111474703A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071616.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G02B26/02
Abstract: 本发明公开了一种可适用于高能激光的连续衰光装置，此装置主要包括一个介质膜透镜、一个偏折补偿透镜和一个热沉；其中，介质膜透镜和偏折补偿透镜均能够围绕各自中心轴旋转，它们的旋转角度相同，但方向相反；热沉能够围绕介质膜透镜的中心轴旋转，旋转角度是介质膜透镜的两倍，旋转方向与介质膜透镜的相同。本发明可以在不改变入射激光传播方向和光强在空间中的相对分布的前提下，对高能激光的功率进行连续衰减。
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公开(公告)号：CN109659220A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710939614.X
申请日：2017-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019
Abstract: 本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，包括：取一待加工的碳化硅材料；对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照；以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，解决了碳化硅高深宽比深槽孔结构的加工难题，实现了无掩膜的刻蚀，工艺简单，提高了制备效率，可选择性的重复激光辐照与干法刻蚀步骤，由此满足了对碳化硅沟槽深度的更高需求。
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公开(公告)号：CN105529246B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489755B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510874184.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺实施难度低；另一方面，该结构的锥形电极能够把两个电极间的电场在锥尖端附近强化，相当于减小了接触电极的尺寸，减小了有效相变体积，降低了功耗。此外，由于可用的相变材料储备充分，该结构还具有较好的疲劳特性，提高了器件的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN105070827B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510416091.1
申请日：2015-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长第一电热绝缘材料层，旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层；在第一电热绝缘层上淀积第一功能材料层，并形成第一功能材料层缝隙；之其上制备一层相变材料层；退火、腐蚀，将相变材料层去除，形成相变材料层纳米线；光刻，形成形成水平对置电极层局域化的相变材料量子点；去除第二掩模层，淀积第二电热绝缘层；去除第三掩模层；淀积第三电热绝缘材料层；光刻出第四掩模层，腐蚀，薄膜淀积第二功能材料层，并剥离形成测试电极，完成器件制备。本发明具有工艺精度要求低、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低和经济高效的优点。
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公开(公告)号：CN104465748B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410708477.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
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公开(公告)号：CN103647016B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310681449.4
申请日：2013-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝缘材料层，并淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，保留的第一金属材料层在核壳结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN104916725A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510192623.8
申请日：2015-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/0687 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种三结叠层太阳能电池及其制造方法，采用分子束外延方法，以p型GaSb单晶片为衬底材料依次外延生长底电池(p-GaSb，n-GaSb)、第一隧穿结(n++GaSb、p++GaSb)、中间电池(p-CdSe、n-CdSe)、第二隧穿结(n++CdSe、p++ZnTe)和顶电池(p-ZnTe、n-ZnTe)。本发明的叠层太阳能电池既充分利用了II-VI族和III-V族半导体材料在禁带宽度上互补的特点，又利用了它们在晶格匹配方面的优势，克服了仅依赖III-V族半导体材料很难同时满足禁带宽度互补和晶格匹配双重技术要求的难题，可以大幅度提高太阳能电池的光电转换效率。
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