多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置

    公开(公告)号:CN204014246U

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201420501783.7

    申请日:2014-09-02

    Abstract: 本实用新型涉及材料表面处理技术领域,具体公开了一种多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置,包括功率源和DBD等离子体反应器,DBD等离子体反应器的反应室内设置有2个金属电极,其中一个金属电极连接功率源的高压输出端,另一个金属电极接地,2个金属电极相对的两个端面相互平行,两个金属电极之间设置有至少3层介质板,相邻介质板之间具有间隙。本实用新型的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体,处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理薄膜材料,覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层薄膜,能够提高单次处理的薄膜的数量和面积;处理效率高。

    中子发生器
    43.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206851129U

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201720607579.7

    申请日:2017-05-27

    Abstract: 本实用新型公开了中子发生器,包括绝缘管壁,绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口,在安装基板上设置有一个环状阳极板,在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极,环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接,在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶;还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本实用新型结构采用了径向引出的方法,保持轴向放电的方式,金属离子仍然会分布在轴线上,最终大部分会损失在边壁上,而氘离子由于分布在边沿处,受引出电场的影响,会有较高的引出效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种流强可调的真空弧离子源

    公开(公告)号:CN203787380U

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201420218057.4

    申请日:2014-04-30

    Abstract: 本实用新型公开了一种流强可调的真空弧离子源,包括阳极(1)、阴极(4)、触发极(2)、阴极-触发绝缘体(3)、主弧电源(6),所述阴极(4)和阳极(1)均连接到主弧电源(6)上,且各连接主弧电源(6)的一个电极,所述触发极(2)与阴极(4)通过阴极-触发绝缘体(3)隔开,还包括可调电阻(5),所述可调电阻(5)连接在触发极(3)和阳极(1)之间,本实用新型的离子源不需要调节电源参数、不必改变主弧放电电流,只需调节可调电阻就可以实现离子流在较大范围内变化,具有结构简单紧凑、成本低、调节范围大等优点。

    一体式离子迁移谱仪离子门

    公开(公告)号:CN204577397U

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201520344905.0

    申请日:2015-05-26

    Abstract: 一体式离子迁移谱仪离子门,包括绝缘板和印刷在绝缘板上的第一连接导线、第一金属丝组、第二连接导线、第二金属丝组,第一金属丝组包括多根呈梳状排布的第一金属导线,第二金属丝组包括多根呈梳状排布的第二金属导线,且第一金属导线与第二金属导线相互交错排布;第一连接导线与所有第一金属导线相连,第二连接导线与所有第二金属导线相连;绝缘板上在第一金属导线与第二金属导线之间开设有供离子通过的通孔。本实用新型将金属导线印刷在绝缘板上,保证了金属导线的平整度、平行度以及之间的距离精度;金属导线与绝缘板采用一体式的设计,避免了缠绕金属线的复杂工艺问题,设计简单,可靠性高;绝缘板布设在金属导线的后面,对离子流无影响。

    电阻触发式真空弧离子源装置

    公开(公告)号:CN203774244U

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201420189753.7

    申请日:2014-04-18

    Abstract: 本实用新型公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置,包括阳极(1)、阴极(2)、触发极(3)、阴极-触发极绝缘件(4)、触发电阻(5)以及连接在阴极(2)下端的阴极固定导电接头(6),上述阳极(1)由中空圆筒状的阳极支撑体(11)和连接在阳极支撑体(11)上端的环形阳极(12)构成,上述触发电阻(5)、触发极(3)、阴极-触发极绝缘件(4)和阴极(2)从外至内依次设置在阳极支撑体(11)内。本实用新型的触发电阻内置在真空弧离子源装置内,结构紧凑、体积小、节省安装空间,并且保证了电接触和绝缘可靠性,并能有效改善分布参数。

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