公开(公告)号：CN108546995B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201810204992.8

申请日：2018-03-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  谷青苗 ,  周新雨 ,  杨帆 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  黄浩斐 ,  王林军

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。

公开(公告)号：CN112522735A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011347355.X

申请日：2020-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  黄浩斐 ,  陈卓睿 ,  尚艺 ,  张志洛 ,  唐可 ,  王林军

IPC: C25B11/069 ,  C25B11/075 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C30B28/12 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN110530567A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910811853.6

申请日：2019-08-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱建 ,  黄健 ,  陈斯琦 ,  唐可 ,  王林军

IPC: G01L5/24 ,  G01N29/06

Abstract: 本发明公开了一种SOI键合片键合力的检测方法，能够对SOI键合片的键合力进行检测。本发明的测试过程包括待测SOI键合片的制备，超声波扫描显微镜的准备，刀片插入过程，测试过程等四个主要步骤。本发明方法测试过程简单易操作，对测试片损伤较小，得到的图片测试结果易于计算及分析。本发明方法采用超声波扫描显微镜来测量裂纹长度，相对于其他方法操作简便易于实施；本发明方法得到的检测结果更加直观，能得到的是直观的图像和分析，能得到键合面的具体细节特性及缺陷分布，分析与计算更加简便。

公开(公告)号：CN110289215A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910551761.9

申请日：2019-06-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  黄柘源 ,  胡艳 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  尚艺 ,  别佳瑛 ,  王林军

IPC: H01L21/465 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底-半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN110190133A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910455480.3

申请日：2019-05-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  周新雨 ,  黄柘源 ,  胡艳 ,  尚艺 ,  马云诚 ,  别佳瑛 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/227 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法，制备了MgZnO薄膜，对太阳能电池逆变器的结构进行了设计，本发明逆变器的结构采用电极-绝缘层-沟道层-电极的结构的组合形式，依次由Cr电极、SiO2衬底、MZO沟道和Au电极四部分进行层叠组装而成。本发明相比传统的逆变器，具有较高的阻断电压以及夹断电压，并且安全无毒，适宜使用于日常生活中的太阳能发电中。本发明价格相较IGZO材料的价格低廉，适用于大规模太阳能电池中。本发明的衬底使用的是玻璃，且MZO薄膜为透明薄膜，所以相比传统太阳能电池，在美观程度上具有较大的优势。

公开(公告)号：CN108615786A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810538191.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 王处泽 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  薛瑶 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  师好智 ,  黄健 ,  唐可 ,  凌立文

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN103904160A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410107249.2

申请日：2014-03-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  陶骏 ,  唐荣烨 ,  秦凯丰 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/115

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/115 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明公开了一种应用于X射线探测的CdZnTe薄膜的制备方法。所述制备方法是基于近空间升华（CSS）技术。该方法以CdZnTe单晶切片为升华源，使用氩气作为工作气体，并通过一定的表面处理获得理想的整流电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备应用于大面积、低漏电流、高分辨率的X射线探测器的薄膜，有望X射线薄膜探测器的产业化生产。

公开(公告)号：CN103531662A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310507778.7

申请日：2013-10-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  沈萍 ,  张继军 ,  沈敏 ,  吴文其 ,  周捷 ,  姚蓓玲 ,  唐可 ,  黄健

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L21/02008 ,  C30B11/00 ,  C30B29/46 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种移动加热器法（THM）生长的CdZnTe晶体欧姆结构器件的制备方法，属于辐射探测器材料及其器件制造工艺技术领域，本发明是采用移动加热器法制备CdZnTe晶体，并将CdZnTe晶体进行切片、倒角、磨片、抛光和腐蚀等后期工艺，最后在CdZnTe晶体上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金电极，为制作CdZnTe晶体欧姆结构器件提供了一种新的方法，也为最后制作CdZnTe探测器奠定基础。本发明的特点在于：采用移动加热器法制备单晶率高、尺寸大、晶体缺陷少、电阻率高的CdZnTe晶体样品。晶体的尺寸一般为10mm×10mm×3mm，电阻率2×1010Ω·cm；金电极的厚度为100~300nm。

公开(公告)号：CN101859704B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201010185685.3

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  张凤娟 ,  黄健 ,  唐可 ,  曾庆锴 ,  夏辅元 ,  张继军 ,  闵嘉华

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/365 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。

公开(公告)号：CN101950769A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010215805.X

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  曾庆锴 ,  唐可 ,  张凤娟 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。