公开(公告)号：CN112103354A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010872254.8

申请日：2020-08-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  尚艺 ,  陈卓睿 ,  别佳瑛 ,  黄浩斐 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种透明Ga2O3的p‑i‑n异质结构日盲型紫外光探测器及其制备方法，制备了Ga2O3薄膜，对日盲紫外光探测器的结构进行了设计，本发明探测器的结构采用衬底、p型NiO薄膜、i层Ga2O3薄膜、n型硼、镓共掺的氧化锌(BGZO)薄膜和Au电极五部分进行层叠组装而成。本发明相对于商业上使用的光电倍增管结构简单，性能优异，并且安全无毒，适用于大规模日盲紫外光探测器中。同时，p‑i‑n型结构的设计扩展了耗尽区的宽度，增大了光电转换的有效工作区域，提高了器件的响应速度。

公开(公告)号：CN112103175A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010884690.7

申请日：2020-08-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  胡艳 ,  尚艺 ,  陈卓睿 ,  李洪伟 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，采用射频磁控溅射方法，制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜，与本征氧化镓薄膜相比，五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子，显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快，晶体质量高，导电性好，对于功率电子器件，日盲型紫外光探测器，气体传感器和薄膜晶体管等光电子领域具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN112522735A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011347355.X

申请日：2020-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  黄浩斐 ,  陈卓睿 ,  尚艺 ,  张志洛 ,  唐可 ,  王林军

IPC: C25B11/069 ,  C25B11/075 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C30B28/12 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN112103350A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010835636.3

申请日：2020-08-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈哲 ,  别佳瑛 ,  陈卓睿 ,  尚艺 ,  黄浩斐 ,  李洪伟 ,  黄健 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法，属半导体探测材料制造技术领域。本方法是先通过近空升华法在导电玻璃衬底上沉积碲锌镉膜，在进行抛光和腐蚀之后，再在碲锌镉膜上通过磁控溅射方法依此沉积碲化镉、硫化锌的复合钝化层。之后在N2氛围下进行退火。经过光刻和干法刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在膜上上沉积金电极。钝化层的存在使得抛光、腐蚀后的碲锌镉膜表面受到良好的保护，碲锌镉膜表面漏电流减小，从而改善碲锌镉探测器的性能，本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN110299287A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910547459.6

申请日：2019-06-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  杨帆 ,  别佳瑛 ,  邹天宇 ,  王同营 ,  马云诚 ,  陈卓睿 ,  黄浩斐 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L21/463 ,  H01L21/465 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法，所述CdZnTe薄膜表面进行机械抛光和化学抛光，即依次进行使用Al2O3抛光粉的物理机械抛光和使用溴甲醇溶液的化学腐蚀抛光。相比于未经表面处理的CdZnTe薄膜，本发明所采用的表面处理得到的CdZnTe薄膜表面缺陷和杂质更少，表面粗糙度更小，薄膜表面质量更好。本发明制备的薄膜材料对于射线探测、辐射探测、天体物理、国防安保以及医疗检测等方面具有重要意义和应用前景。