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公开(公告)号：CN117286461A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311263336.2
申请日：2023-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/30 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/35 , C23C14/08 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/26
Abstract: 本发明涉及一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用，制备方法采用电子束蒸发法，在衬底上制备镓金属层，于空气氛围下对其进行氧化退火得到镓缓冲层，最后采用磁控溅射法在镓缓冲层表面制备得到高性能的氧化镓薄膜。与现有技术相比，本发明具有操作简单、成本较低、效果显著等优点，本发明得到的氧化镓薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN112103354A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010872254.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种透明Ga2O3的p‑i‑n异质结构日盲型紫外光探测器及其制备方法，制备了Ga2O3薄膜，对日盲紫外光探测器的结构进行了设计，本发明探测器的结构采用衬底、p型NiO薄膜、i层Ga2O3薄膜、n型硼、镓共掺的氧化锌(BGZO)薄膜和Au电极五部分进行层叠组装而成。本发明相对于商业上使用的光电倍增管结构简单，性能优异，并且安全无毒，适用于大规模日盲紫外光探测器中。同时，p‑i‑n型结构的设计扩展了耗尽区的宽度，增大了光电转换的有效工作区域，提高了器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN108546995A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810204992.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: C30B29/48 , C30B23/02 , C30B23/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/10 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。
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公开(公告)号：CN117199168A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311231217.9
申请日：2023-09-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0296 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/24 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种低噪声高灵敏度的碲锌镉厚膜核辐射探测器及其制备方法，包括由下至上依此堆叠而成的衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道层以及响应层；所述沟道层为氧化锌基薄膜，所述响应层为碲锌镉厚膜；所述沟道层上方沉积了由源电极和漏电极构成晶体管，所述碲锌镉厚膜位于源电极和漏电极之间；所述沟道层与响应层构成异质结，其中制备方法为S1衬底清洗及预处理；S2栅电极的制备；S3栅绝缘层的制备；S4沟道层的制备；S5响应层的制备；S6源电极、漏电极的制备。与现有技术相比，本发明提高了载流子迁移率、实现了极低剂量和高灵敏度的检测。
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公开(公告)号：CN115632065A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211379415.5
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法，实现与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极，与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极结构采用低阻复合中间层‑金属电极的组合形式，整体依次由氧化镓材料、低阻掺杂氧化镓中间层、低阻氧化物半导体中间层和金属电极四部分进行层叠组装而成；其中氧化镓材料可以包括单晶、多晶以及非晶氧化镓。本发明设计的复合电极引入低阻复合中间层，解决传统多层金属叠层电极在合金化的过程中易引起界面反应的问题，新型复合电极减少界面的影响，改善氧化镓材料电极接触特性，实现对氧化镓材料更稳定的欧姆接触，使氧化镓器件的电学性能更加可靠，在氧化镓电力电子器件领域中有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115799281A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211379432.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碲锌镉厚膜像素阵列探测器及其制备方法，还涉及这种具有像素阵列结构的大尺寸碲锌镉厚膜探测器的制备方法。所述探测器采用衬底‑背电极‑半导体‑面电极的叠层结构的组合形式。相较于传统碲锌镉探测器，本方法采用碲锌镉厚膜、像素阵列结构的面电极以及导电氧化物薄膜电极，所制备的探测器尺寸大、具有空间分辨能力且服役性能好。本发明制备的探测器对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN108546995B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810204992.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: C30B29/48 , C30B23/02 , C30B23/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/10 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。
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公开(公告)号：CN112522735A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011347355.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 上海大学
IPC: C25B11/069 , C25B11/075 , C25B1/04 , C25B1/55 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/30 , C30B28/12 , C30B29/46 , H01L31/0296
Abstract: 本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN117293217A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311230354.0
申请日：2023-09-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18 , C30B28/12 , C30B29/46 , C23C14/30 , C23C14/18
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉X射线探测器及其制备方法与应用，包括Al2O3衬底、碲锌镉厚膜、金属电极和带有像素电极的厚膜晶体管。Al2O3衬底上依次沉积碲锌镉厚膜和金属电极，金属电极与厚膜晶体管上的像素电极倒置连接。厚膜晶体管采用倒装结构，通过倒装结构使Al2O3衬底成为X射线的入射窗口。与现有技术相比，本发明采用Al2O3衬底和厚膜晶体管倒装结构，可以提升碲锌镉厚膜的质量和探测器的检测能力，对X射线响应良好。
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公开(公告)号：CN115642197A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211379413.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法，所述异质结依次由单晶p‑Si衬底、本征Ga2O3薄膜和n型Ga2O3薄膜叠加而成，分别在p‑Si衬底和n型Ga2O3薄膜上生长欧姆接触电极制备日盲紫外探测器。本发明采用插入高阻本征层的方法来改善日盲紫外探测器的性能，相比于传统的pn结器件结构，PIN型探测器具有更小的暗电流以及更高的信噪比。此外，本发明以Si为p型层制备PIN型日盲紫外探测器，与其它探测器相比具有低成本，易集成的优势，在导弹追踪、无线通信、火焰探测、臭氧层空洞监测、电弧检测等军事和民用领域具有重要意义和应用前景。
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