公开(公告)号：CN110289215B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201910551761.9

申请日：2019-06-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  黄柘源 ,  胡艳 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  尚艺 ,  别佳瑛 ,  王林军

IPC: H01L21/465 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底‑半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN110289215A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910551761.9

申请日：2019-06-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  黄柘源 ,  胡艳 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  尚艺 ,  别佳瑛 ,  王林军

IPC: H01L21/465 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底-半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN110190133A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910455480.3

申请日：2019-05-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  周新雨 ,  黄柘源 ,  胡艳 ,  尚艺 ,  马云诚 ,  别佳瑛 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/227 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法，制备了MgZnO薄膜，对太阳能电池逆变器的结构进行了设计，本发明逆变器的结构采用电极-绝缘层-沟道层-电极的结构的组合形式，依次由Cr电极、SiO2衬底、MZO沟道和Au电极四部分进行层叠组装而成。本发明相比传统的逆变器，具有较高的阻断电压以及夹断电压，并且安全无毒，适宜使用于日常生活中的太阳能发电中。本发明价格相较IGZO材料的价格低廉，适用于大规模太阳能电池中。本发明的衬底使用的是玻璃，且MZO薄膜为透明薄膜，所以相比传统太阳能电池，在美观程度上具有较大的优势。