公开(公告)号：CN111430308A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010027445.4

申请日：2020-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴慧圣 ,  朴钟爀 ,  裵珍宇 ,  尹普彦 ,  尹一永 ,  崔捧植

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/22 ,  H01L23/544

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在基板上形成具有第一开口的第一图案结构和具有第二开口的第二图案结构；在第二开口中形成间隙填充层；在第一开口中形成围栏和接触结构；去除第二开口中的间隙填充层；形成上导电层以覆盖第一图案结构和第二图案结构、围栏和接触结构；基于使用由上导电层覆盖的第二图案结构作为对准标记的光刻工艺来形成掩模图案；以及使用该掩模图案蚀刻上导电层以形成上导电图案。第二开口的宽度大于第一开口的宽度。上导电层的厚度小于第二开口的深度。

公开(公告)号：CN109427803A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811018562.3

申请日：2018-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申美笑 ,  权明颜 ,  闵忠基 ,  权炳昊 ,  尹普彦

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件。该器件其可以包括：包括外围电路区域和单元阵列区域的衬底、设置在衬底的外围电路区域上的外围栅堆叠、以及设置在衬底的单元阵列区域上的电极结构。电极结构可以包括下电极、覆盖下电极的下绝缘层、以及在竖直方向上交替地堆叠在下绝缘层上的上电极和上绝缘层。下绝缘层可以从单元阵列区域延伸到外围电路区域以覆盖外围栅堆叠，并且下绝缘层在外围电路区域上的顶面可以高于在单元阵列区域上的顶面。

公开(公告)号：CN107871743A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710864922.0

申请日：2017-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金孝亭 ,  徐基银 ,  张气薰 ,  权炳昊 ,  尹普彦

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11556

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556

Abstract: 提供了一种制造三维半导体器件的方法。该方法包括：提供具有外围电路区和单元阵列区的基板；在基板的外围电路区上形成外围结构；以及在单元阵列区上形成电极结构。电极结构包括下电极、在下电极上的下绝缘平坦化层、以及竖直地且交替地堆叠在下绝缘平坦化层上的上电极和上绝缘层，下绝缘平坦化层可以延伸以覆盖外围电路区上的外围结构。上绝缘平坦化层被形成为覆盖电极结构和外围电路区上的下绝缘平坦化层。

公开(公告)号：CN107301946A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710243397.0

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彩姈 ,  金兑洪 ,  吴政玟 ,  金荣俊 ,  金仁基 ,  尹普彦 ,  李晓山 ,  韩率

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/20 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67023

Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括：第一清洁单元，包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴，第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体；以及第二清洁单元，包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴，第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。

公开(公告)号：CN106449399A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610631559.3

申请日：2016-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  金镐永 ,  朴起宽 ,  裴显敬 ,  尹普彦 ,  尹一永

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04 ,  B24B53/017

CPC classification number: H01L21/7684 ,  B24B37/042 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/3212 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供了形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置，形成插塞的方法包括：在衬底上的绝缘夹层图案中形成开口；形成金属层以填充开口；在将衬底按压至第一抛光垫上的同时，在第一时间段内执行第一CMP工艺直至暴露出绝缘夹层图案的顶表面，来抛光金属层；在将衬底按压至第二抛光垫上的同时，在第二时间段内执行第二CMP工艺，以抛光金属层和绝缘夹层图案，从而在绝缘夹层图案中形成金属插塞；以及在保持衬底与第二台板上的第二抛光垫间隔开的同时，对第二抛光垫执行第一清洁处理。

公开(公告)号：CN104347717A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN101256960A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710169154.3

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟欣 ,  洪昌基 ,  尹普彦 ,  尹煋圭 ,  崔锡宪 ,  韩相晔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种包含沟道层的半导体器件的制造方法，其包括在半导体衬底上形成单晶半导体层。该单晶半导体层具有从其表面延伸的突起。对单晶半导体层执行第一抛光工艺以除去部分突起，使得单晶半导体层包括突起的保留部分。执行不同于第一抛光工艺的第二抛光工艺以除去突起的保留部分并定义具有基本均匀厚度的大致平坦的单晶半导体层。在单晶半导体层上形成牺牲层并用作第一抛光工艺的抛光停止以定义牺牲层图案，该牺牲层图案可以在第二抛光工艺之前移除。也论述了堆叠半导体存储器件的相关制造方法。根据本发明，形成具有改善表面粗糙特性和大致均匀厚度的硅沟道层，因而，形成在硅沟道层上的晶体管可以具有改善的特性。

公开(公告)号：CN1441017A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03103408.X

申请日：2003-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在东 ,  尹普彦 ,  韩镛弼

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了用于化学机械抛光(CMP)的浆料，包括高平面性浆料和高选择比浆料。高平面性浆料含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂。高选择比浆含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子；第二浓度的钝化剂，钝化剂的第二浓度比高平面性浆中钝化剂的第一浓度低；季胺及其盐之一；和pH调节剂。高选择比浆的pH在约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点的范围内。另外，还提供了使用具有高平面性和高选择比CMP浆料的CMP方法。

公开(公告)号：CN112117323B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202010565331.5

申请日：2020-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴慧圣 ,  裵珍宇 ,  高荣浩 ,  朴钟爀 ,  尹普彦 ,  蒋明在

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：基底，具有单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在单元区域中分别布置在单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在单元栅极结构上并且连接到第一杂质区域；外围栅极结构，设置在外围区域上；外围盖层，设置在外围区域上，覆盖外围栅极结构，并且具有与位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于导电阻挡件上的接触材料层，其中，导电阻挡件覆盖位线结构的上端。

公开(公告)号：CN109494236B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201811055002.5

申请日：2018-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基喆 ,  金基雄 ,  石瀚率 ,  权炳昊 ,  尹普彦

IPC: H10B61/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。