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公开(公告)号：CN107871743B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201710864922.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造三维半导体器件的方法。该方法包括：提供具有外围电路区和单元阵列区的基板；在基板的外围电路区上形成外围结构；以及在单元阵列区上形成电极结构。电极结构包括下电极、在下电极上的下绝缘平坦化层、以及竖直地且交替地堆叠在下绝缘平坦化层上的上电极和上绝缘层，下绝缘平坦化层可以延伸以覆盖外围电路区上的外围结构。上绝缘平坦化层被形成为覆盖电极结构和外围电路区上的下绝缘平坦化层。
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公开(公告)号：CN117082864A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310013390.5
申请日：2023-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B43/27 , H01L21/762
Abstract: 半导体器件可以包括：栅堆叠，包括交替堆叠的绝缘图案和导电图案；穿透栅堆叠的第一块沟道结构；穿透栅堆叠的第二块沟道结构；以及穿透栅堆叠的隔离结构。隔离结构可以包括：块隔离结构、第一字线隔离结构和第二字线隔离结构。块隔离结构可以包括：第一侧表面，连接到第一字线隔离结构的侧表面；以及第二侧表面，连接到第二字线隔离结构的侧表面，并且第一块沟道结构包括在块隔离结构的第一侧表面与第二侧表面之间的中间沟道结构。
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公开(公告)号：CN118591178A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311315871.8
申请日：2023-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：外围电路结构；源极结构，在外围电路结构上；第一电容器电极，在外围电路结构上；电极绝缘层，至少部分地围绕第一电容器电极；栅极堆叠，在源极结构上；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠；阶梯绝缘层，在栅极堆叠和电极绝缘层上；第二电容器电极，在第一电容器电极上并延伸穿过阶梯绝缘层；以及贯穿通孔，延伸穿过阶梯绝缘层和电极绝缘层。
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公开(公告)号：CN110880511A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910837421.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L21/311
Abstract: 本申请提供了包括间隙填充层的装置、形成间隙填充层的方法、以及半导体装置。包括间隙填充层的装置可包括在下层上的上层，其限定从上层的顶表面朝着下层延伸的沟槽，并且间隙填充层可以是填充沟槽的多层结构。间隙填充层可包括：第一介电层，其填充沟槽的第一部分并具有靠近上层的顶表面的顶表面；第二介电层，其填充沟槽的第二部分并具有靠近上层的顶表面并且比第一介电层的顶表面更朝着下层凹陷的顶表面；以及第三介电层，其填充沟槽的剩余部分并覆盖第二介电层的顶表面。
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公开(公告)号：CN107871743A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710864922.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11582 , H01L27/11556
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/02636 , H01L21/283 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/249 , H01L27/115 , H01L27/11556
Abstract: 提供了一种制造三维半导体器件的方法。该方法包括：提供具有外围电路区和单元阵列区的基板；在基板的外围电路区上形成外围结构；以及在单元阵列区上形成电极结构。电极结构包括下电极、在下电极上的下绝缘平坦化层、以及竖直地且交替地堆叠在下绝缘平坦化层上的上电极和上绝缘层，下绝缘平坦化层可以延伸以覆盖外围电路区上的外围结构。上绝缘平坦化层被形成为覆盖电极结构和外围电路区上的下绝缘平坦化层。
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