一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN113151858B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202110344123.7

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法,包括以下步骤:(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源,采用气相沉积法,在导电基底上沉积二硫化锡,获得SnS2纳米片;亚磷酸钠为掺杂P源,将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中,并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟,将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上,并放置在下游加热区的中心;在氩气氛围中,加热升温,保温一段时间,冷却到室温后,得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂,以次

    一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN111514911B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202010380130.8

    申请日:2020-05-08

    Abstract: 本发明提供了一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂制备方法,包括以下步骤:(1)制备片层WO3·2H2O粉末:(2)WO3/胺类物质杂化物前驱体粉末的制备:取WO3·2H2O块状粉末和胺类物质加入到聚四氟乙烯反应釜中在100‑200℃下反应24‑72h得到白色沉淀,用乙醇离心清洗数次,然后干燥得到WO3/胺类物质杂化物前驱体白色固体粉末;(3)WP@C的制备:以次亚磷酸钠作为磷源,使用双温控真空气氛管式炉先使WO3/胺类物质杂化物前驱体分解为WOx@C复合物,然后将WOx@C复合物磷化还原为片状WP@C电催化材料。本发明方法制得的碳掺杂WP纳米片电催化材料具有较高的比表面积和导电性。

    一种NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN110898858B

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN201911288416.7

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本发明提供了一种NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜;(2)在反应釜中,加入草酸和无水乙醇,搅拌溶解后,通入氩气排出空气,加入WCl6,将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应,反应完成后清洗干燥,再进行煅烧;(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2‑甲基咪唑和乙醇的反应器中,搅拌后加热反应,反应完后冷却,取出干燥即得到NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。

    一种WP2/g-C3N4异质结光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN110639581B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN201910820408.6

    申请日:2019-09-01

    Abstract: 本发明公开了一种WP2/g‑C3N4异质结光催化剂的制备方法。采用原位固相合成技术,通过双控温区管式炉,氩气保护,磷化WO3·2H2O/有机胺复合物,合成WP2纳米片,然后将WP2纳米片加入到乙醇中,再加入g‑C3N4,混合均匀后倒入高压反应釜,一定温度下反应3h,取出沉淀产物放入马弗炉中以0.5℃/min的升温速率升温到350℃,保温3小时,冷却至室温后,即制得WP2/g‑C3N4异质结光催化剂。该方法操作简便,产率高,所制备的WP2/g‑C3N4异质结光催化剂不加助催化剂也具有较高的产氢效率,同时具有很高的光催化活性,这对于WP2/g‑C3N4异质结光催化剂在光催化领域的应用具有重要的意义。

    一种C3N4/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN113097320A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110344916.9

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法,包括以下步骤:(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管;(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片,得到SnSe2/H‑TiO2异质结;(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液,通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上,最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

    一种镍离子掺杂的氧化锌/硫化镉高性能分解水产氢光催化剂及制备方法

    公开(公告)号:CN112619669A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011513113.3

    申请日:2020-12-20

    Abstract: 一种镍离子掺杂的氧化锌/硫化镉高性能分解水产氢光催化剂及制备方法,本发明的镍离子掺杂的氧化锌/硫化镉光催化剂由氧化锌,硝酸,柠檬酸,四水硝酸镉,乙酸镍,硫脲制成。方法:使用一定量的蒸馏水和浓硝酸溶解氧化锌,加入乙酸镍、柠檬酸并溶解,放入60℃烘箱干燥,形成白色凝胶,在马弗炉中500℃保温半小时,得到纳米级掺杂镍氧化锌;将硫脲、硝酸镉溶解于蒸馏水,加入掺杂镍纳米氧化锌后放入80℃水浴锅边搅拌边加热180分钟,取烧杯底部粉末经洗涤烘干放入450℃氩气中退火90分钟,得到镍离子掺杂的氧化锌/硫化镉复合光催化剂。

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