公开(公告)号：CN101393769A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810201662.X

申请日：2008-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  万海军 ,  尹明 ,  周鹏 ,  宋雅丽

IPC: G11C11/21 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为tf的宽脉冲电信号，其脉宽tf大于电阻存储器均能从初始高阻态向低阻态转变所需时间的上限值tc，以确保阵列中所有电阻存储器均能从高阻值转变为低阻值。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。

公开(公告)号：CN101359502A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810040931.9

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  徐乐 ,  胡倍源 ,  廖启宏

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。

公开(公告)号：CN101339805A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810040933.8

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  徐乐 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  廖启宏 ,  胡倍源

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括两个相变存储单元和两个选通器件。两个相变存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的位线相连，共用同一根字线。其优点在于可以实现高读取速度的应用，并可防止存储操作时产生对选中单元的误读操作。

公开(公告)号：CN101325084A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710045642.3

申请日：2007-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  丁益青 ,  刘欣

IPC: G11C5/14

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为对交叉型电阻转换型存储单元阵列提供动态偏置电压的方法。交叉型存储阵列依靠交叉的两条金属导线上施加的电信号进行选择操作。本发明设计了一种能够根据阵列的电阻分布情况以及外加操作信号的不同来动态产生对其他非操作的金属线对上施加的电压偏置，使高低两个阻态有较大比值的电阻转换型存储单元的交叉型阵列能够可靠工作。

公开(公告)号：CN101226988A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810032765.8

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法。在生长CuxO存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在CuxO层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟CuxO材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高CuxO性能。

公开(公告)号：CN101159309A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710047973.0

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降低。所插入的金属氧化物介质层具有容易制作形成、工艺兼容性强的优点。

公开(公告)号：CN101145598A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN101097778A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710042333.0

申请日：2007-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明

IPC: G11C13/00 ,  H03K19/00

CPC classification number: G11C14/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C14/009 ,  G11C2213/31

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的FPGA器件。该器件由可编程逻辑功能块CLB、输入输出模块IOB和可编程互联资源组成，其中可编程逻辑功能块CLB和可编程互联资源都应用编程单元复用的结构，由复用的编程单元控制各编程点。复用的编程单元以金属氧化物作为存储介质，并由一个传统的SRAM与多个存储电阻和一个参考电阻构成。工作时，通过一个译码器控制与各存储电阻上电极连接的nmos选通管，从而实现对同一编程单元的各个不同的存储电阻的读写操作。使用本发明器件，大量的配置数据一次下载即可，用户每次只需导入少量功能数据，可以节省大量时间。

公开(公告)号：CN1812124A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510111154.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  蔡燕飞 ,  廖菲菲 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种多值相变存储器的实现方法。它利用相变薄膜材料或相变薄膜材料与其它半导体材料的复合材料的半导体特性构建半导体薄膜晶体管，利用相变材料可以在电学作用下电阻发生可逆变化的特性来改变半导体薄膜晶体管的沟道长度，达到在单个存储单元中存储多位数据的多值存储的功能。由于薄膜晶体管可以构成空间的立体结构提高密度，而不占用硅衬底的面积。因此采用本发明方法的存储器件可以极大的提高存储密度，同时解决目前基于1T1R结构的相变存储器的外围电路占用硅衬底面积大的问题。

公开(公告)号：CN1744295A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510028246.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限制、电限制，同时减小电极接触面积的目的。利用本发明制备的相变存储器，写操作电流小，热量利用率高，功耗小，响应速度快，可提高器件性能。