公开(公告)号：CN101325084A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710045642.3

申请日：2007-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  丁益青 ,  刘欣

IPC: G11C5/14

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为对交叉型电阻转换型存储单元阵列提供动态偏置电压的方法。交叉型存储阵列依靠交叉的两条金属导线上施加的电信号进行选择操作。本发明设计了一种能够根据阵列的电阻分布情况以及外加操作信号的不同来动态产生对其他非操作的金属线对上施加的电压偏置，使高低两个阻态有较大比值的电阻转换型存储单元的交叉型阵列能够可靠工作。

公开(公告)号：CN1838312A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510027622.4

申请日：2005-07-07

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  洪洋 ,  丁益青 ,  刘欣 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法。其中包括步进字线电压补偿和反馈式字线电压补偿两种方式，该方法是利用字线电压对存储单元内选通开关的输出电阻进行调制，使得不同行的选通开关具有不同的等效输出电阻，补偿相应的位线分布电阻，从而提高不同单元写电流的均匀性。

公开(公告)号：CN100585728C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510027622.4

申请日：2005-07-07

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  洪洋 ,  丁益青 ,  刘欣 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法。其中包括步进字线电压补偿和反馈式字线电压补偿两种方式，该方法是利用字线电压对存储单元内选通开关的输出电阻进行调制，使得不同行的选通开关具有不同的等效输出电阻，补偿相应的位线分布电阻，从而提高不同单元写电流的均匀性。

公开(公告)号：CN101118784A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710045649.5

申请日：2007-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  丁益青 ,  唐立

IPC: G11C11/4072

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器不挥发存储器的复位操作方法。本发明设计了一种脉冲幅度以步进式增长的复位编程方式，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。

公开(公告)号：CN101325084B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710045642.3

申请日：2007-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  丁益青 ,  刘欣

IPC: G11C5/14

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为对交叉型电阻转换型存储单元阵列提供动态偏置电压的方法。交叉型存储阵列依靠交叉的两条金属导线上施加的电信号进行选择操作。本发明设计了一种能够根据阵列的电阻分布情况以及外加操作信号的不同来动态产生对其他非操作的金属线对上施加的电压偏置，使高低两个阻态有较大比值的电阻转换型存储单元的交叉型阵列能够可靠工作。

公开(公告)号：CN1794352A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510110252.0

申请日：2005-11-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  刘欣 ,  丁益青 ,  李莹 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明属于大规模数字集成电路技术领域，具体为一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路。它通过多个存储单元共享一个选通器件(如二极管、三极管、场效应晶体管等)来减小每个存储单元平均所占的面积。针对一种特殊的存储单元布局形式，采用了“层次位线”的存储器电路体系结构设计，其中，将位线通过多级的多路选择器，最后与读出放大器和写驱动电路相连接，从而提高读写操作的可靠性，减少误操作。

公开(公告)号：CN1734674A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510026502.2

申请日：2005-06-06

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  洪洋 ,  刘欣 ,  丁益青 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: G11C13/00 ,  G11C13/04 ,  G11C7/00 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种利用对称位线补偿相变存储单元阵列写电流不均匀性的方法。该方法利用一根与原位线相同的连接线，按比例模拟位线的电阻分布，进而对称地补偿原位线分布电阻引起的电压降，以提高写电流的均匀性，同时用分段对称位线补偿方法进一步提高写电流的均匀性，并通过存储单元阵列中相邻列的驱动位线和补偿位线共享以减少存储单元阵列面积。本发明方法没有增加外围电路的规模和复杂性，但获得了远优于位线电流调整方法的补偿效果。