-
公开(公告)号：CN101490842A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780001659.7
申请日：2007-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/01
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/28114 , H01L21/823456 , H01L21/84 , H01L29/42376 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶体管器件及其形成方法，所述晶体管器件包括：衬底；在所述衬底之上的第一栅极电极；在所述衬底之上的第二栅极电极；以及接合衬垫，其包括一对凸缘端部覆盖所述第二栅极电极，其中所述第二栅极电极的结构与所述接合衬垫的结构是不连续的。
-
公开(公告)号：CN101488488A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910001875.2
申请日：2009-01-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法。该方法在多层集成电路结构的低K绝缘层中图案化至少一个开口，从而铜导体在该开口的底部暴露。然后该方法在第一腔中用第一氮化钽层装衬该开口的侧壁和底部并在第一腔中在第一氮化钽层上形成钽层。接着，在第一腔中对该开口进行溅射蚀刻，从而在开口的底部暴露导体。仍在第一腔中，第二氮化钽层形成在导体、钽层和第一氮化钽层上。在第二氮化钽层形成之后，这里该方法在不同的第二腔中在第二氮化钽层上形成包括铂族金属的闪光层。在此工艺之后，该结构可以移到第三腔，在第三腔中铜沉积在开口中的闪光层上直到该开口用铜涂覆。
-
公开(公告)号：CN100499107C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610136621.8
申请日：2006-10-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/7682 , H01L21/76849 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10S438/942 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了同时包含高k和低k电介质区域的制造方法及后端(BEOL)金属化结构。互连结构包含第一层间电介质(ILD)层和第二ILD层，该第一ILD层位于第二ILD层下方。多个柱状空气间隙形成于第一ILD层内。由双相光致抗蚀剂材料产生该柱状空气间隙结构，其中该双相光致抗蚀剂材料用于提供在后续工艺中的不同蚀刻选择性。
-
公开(公告)号：CN101438404A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780015989.1
申请日：2007-05-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/288 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76852 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种可靠的和机械强度高的互连结构，所述互连结构不包括在开口的底部中的刨槽特征。替代地，本发明的互连结构利用了包含Co的缓冲层，所述包含Co的缓冲层被选择性地淀积在下互连层中的导电特征的暴露表面上。通过存在于上互连层的介质材料中的至少一个开口进行所述选择性淀积。所述包含Co的缓冲层包括Co和至少P和B中的一种。可选地在所述包含Co的缓冲层中还存在W。
-
公开(公告)号：CN100483715C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610142995.0
申请日：2006-10-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L23/525 , H01L21/8238 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L21/268 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括位于半导体衬底(大块或绝缘体上半导体)中的沟槽内嵌入的至少一个e-熔丝的半导体结构。根据本发明，该e-熔丝与位于该半导体衬底内的掺杂剂区域电接触。本发明还提供了一种制造这种半导体结构的方法，其中该嵌入的e-熔丝基本上与沟槽隔离区域同时形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101256978A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810082602.0
申请日：2008-02-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L21/76807 , H01L21/76892 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种电熔丝的制造方法和半导体结构。提供一种结构的制造方法，该方法包括提供一种结构。该结构包括(a)衬底层，(b)在衬底层中的第一熔丝电极，以及(c)在衬底层和第一熔丝电极上的熔丝电介质层。该方法还包括(i)在熔丝电介质层中形成开口，以便第一熔丝电极通过该开口暴露于周围环境，(ii)在该开口的侧壁和底壁上形成熔丝区域，以便将熔丝区域电耦合到第一熔丝电极，以及(iii)在所述形成熔丝区域之后，用电介质材料填充该开口。
-
公开(公告)号：CN101248531A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680027650.9
申请日：2006-07-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迈克尔·C.·加迪斯 , 卡尔·莱登斯 , 劳伦斯·A.·克莱温格 , 蒂莫西·J.·达尔顿 , 许履尘 , 黄洸汉 , 杨智超
IPC: H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/062 , H01L31/113 , H01L31/119
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 一种磁性随机访问存储器(MRAM)器件包括形成在下布线层上方的磁性隧道结(MTJ)叠层，形成在MTJ叠层上的硬质掩模，以及形成在硬质掩模上方的上布线层。该上布线层包括形成在其中的缝隙过孔位线，该缝隙过孔位线与硬质掩模相接触，并与部分环绕硬质掩模的侧壁的蚀刻停止层相接触。
-
公开(公告)号：CN101246847A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810003821.5
申请日：2008-01-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L21/76856 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种制作具有双层金属盖的互连结构的结构和制作方法。在一个实施例中，该方法包括在介电材料层中形成互连特征；以及在互连特征的顶表面上形成双层金属盖。该方法还包括沉积介电盖层的毯式层，其中该沉积覆盖介电材料层的暴露的表面和双层金属盖的表面。双层金属盖包括形成在互连特征的导电表面上的金属盖层；以及形成在金属盖层的顶部分上的金属氮化物。互连结构也描述为具有形成在介电层中的互连特征；形成在互连特征的顶部分上的双层金属盖；以及形成在双层金属盖上方的介电盖层。
-
公开(公告)号：CN101159257A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710149955.3
申请日：2007-10-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 杨智超
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5228 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了互连即BEOL结构，包括至少一个薄膜电阻器，该薄膜电阻器与相邻的导电互连处于相同层中。本发明还提供了一种制造这种互连结构的方法，其使用与当前互连工艺相容的工艺步骤。此外，就更高的密度方面而言，本发明的创造性的方法提供了比现有技术方案更好的技术扩展性。
-
公开(公告)号：CN101099235A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580046544.0
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76852 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
112
records
(took 0.032 seconds)
