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公开(公告)号：CN112309981A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010475964.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开实施例提供一种具有金属栅极的半导体结构的形成方法。半导体结构是先于半导体基板之上制造鳍片，再形成源极与漏极凹口。接着，可于源极与漏极凹口之中沉积源极与漏极区。栅极结构可沉积于鳍片之间的区域之中。栅极结构包括介电与金属层。在鳍片之间的区域中，绝缘层隔离了栅极结构以及源极与漏极区。
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公开(公告)号：CN110931484A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910894197.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包括：半导体层。栅极结构位于半导体层上。间隔物位于栅极结构的侧壁上。间隔物的高度大于该栅极结构的高度。衬垫层位于栅极结构与间隔物上。间隔物与衬垫层的材料组成不同。
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公开(公告)号：CN105322941B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201410808386.9
申请日：2014-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/018507 , H03K19/0185 , H03K19/018521
Abstract: 本发明提供了电平位移装置，包括第一电容器，第一电容器的第一侧被配置为接收第一电压。电平位移装置还包括被配置为接收第一电压的边沿检测器。电平位移装置还包括连接至第一电容器的第二侧的输出反相器，输出反相器被配置为输出电平位移装置的电压电平位移信号。电平位移装置还包括锁存器回路，锁存器回路被配置为将输出信号反馈至输出反相器的输入端，其中，边沿检测器被配置为选择性地中断输出信号至输出反相器的输入端的反馈。本发明还提供了一种使用电平位移装置的方法。
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公开(公告)号：CN105161056B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510616544.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G09G3/3233
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3406 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/045 , G09G2330/028
Abstract: 本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及利用第一像素的第一开关和第一像素的第二开关，调节第一像素的晶体管的阈值电压值，其中，第一像素的第一开关与第一像素的晶体管的栅极端电连接，第一像素的第二开关与第一像素的晶体管的源极端电连接，并且第一像素的LED与第一像素的晶体管的源极端电连接。调节第二像素的电流值涉及利用第二像素的第一开关和第二像素的第二开关，调节第二像素的晶体管的阈值电压值，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，其中，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，第二像素的第二开关与第二像素的晶体管的源极端电连接，并且第二像素的LED与第二像素的晶体管的源极端电连接。
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公开(公告)号：CN106469684A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510859677.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/485
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置的形成方法包括形成第一栅极结构于基板上，形成源极/漏极特征于基板中且邻近第一栅极结构，形成介电层于第一栅极结构及源极/漏极特征之上，移除介电层的一部分，以形成暴露出第一栅极结构及源极/漏极特征的第一沟槽，形成第一导电特征结构于第一沟槽中，移除第一栅极结构的第一部分，以形成第二沟槽，以及形成第二导电特征结构于第二沟槽中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104049662B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310583338.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0025
Abstract: 一种调压器包括：驱动电路、反馈电路、第一和第二控制电路以及电阻器。驱动电路连接至输入节点和输出节点，并且根据输入节点处的输入电压在输出节点处生成输出电压。反馈电路连接至输出节点并且基于输出电压生成反馈电压。第一控制电路连接至反馈电路和驱动电路，以基于反馈电压来控制输出电压。电阻器具有相对的第一端和第二端。电阻器的第一端连接至输出节点。第二控制电路连接至输出级电阻器的第二端和反馈电路，以基于输出级电阻器的第二端处的调节电压来控制反馈电压。
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公开(公告)号：CN102237869B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110021189.9
申请日：2011-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/01855 , H03K3/012 , H03K3/356008 , H03K3/35625 , H03K19/0016 , H03K19/0963
Abstract: 本发明提供一种集成电路，用以消除负偏温度不稳定性，包括一逻辑门驱动器的一操作型PMOS晶体管；一控制电路，用以在一待命模式下，停止导通操作型PMOS晶体管；一第一PMOS晶体管；以及一输出节点；其中操作型PMOS晶体管耦接至输出节点，并且在待命模式下，第一PMOS晶体管用以使输出节点的逻辑电平为逻辑1。本发明能够消除负偏温度不稳定性，减少对逻辑门驱动器的损害。
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公开(公告)号：CN103107802B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210146727.1
申请日：2012-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H02H9/04 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H03F2200/294 , H03F2203/45638 , H03G1/0023 , H03K3/35613 , H03K19/018514 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有电感器的输入/输出(I/O)电路包括与I/O电路的输出节点电连接的静电放电(ESD)保护电路。至少一个电感器和至少一个负载以串联方式且在I/O电路的输出节点和电源线之间进行电连接。电路与至少一个电感器和至少一个负载之间的节点电连接。电路用于增加信号变换期间流过至少一个电感器的电流。
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公开(公告)号：CN104917369A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410310873.2
申请日：2014-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电压源单元，包括稳压单元、分压器和第一电流镜。稳压单元被配置为接收第一电压信号和第二电压信号，并且被配置为生成第三电压信号。分压器连接在第一电流镜和稳压单元之间，并且控制第二电压信号。第一电流镜连接至稳压单元、输入电压源和分压器。第一电流镜被配置为生成第一电流信号和第二电流信号，第二电流信号是第一电流信号的镜像，通过第三电压信号控制第一电流信号，而第二电流信号控制输出电压源信号。本发明还提供了电压源单元的操作方法。
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公开(公告)号：CN104049662A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310583338.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0025
Abstract: 一种调压器包括：驱动电路、反馈电路、第一和第二控制电路以及电阻器。驱动电路连接至输入节点和输出节点，并且根据输入节点处的输入电压在输出节点处生成输出电压。反馈电路连接至输出节点并且基于输出电压生成反馈电压。第一控制电路连接至反馈电路和驱动电路，以基于反馈电压来控制输出电压。电阻器具有相对的第一端和第二端。电阻器的第一端连接至输出节点。第二控制电路连接至输出级电阻器的第二端和反馈电路，以基于输出级电阻器的第二端处的调节电压来控制反馈电压。
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