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公开(公告)号：CN101859599B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201010142475.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1657 , G11C11/1659
Abstract: 一种使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流的方法，包括：设置MRAM单元，其包括磁性隧道结(MTJ)器件；以及选择器，包括串联至MTJ器件的源极‑漏极路径。该方法还包括向选择器的栅极施加过度驱动电压以导通选择器。
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公开(公告)号：CN101908540A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010196907.1
申请日：2010-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/082 , H01L29/73 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/0823 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/7322 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一上表面；至少一绝缘区，自该上表面延伸进入该半导体基板；多个基区接触，具有一第一导电型，彼此电性连接；以及多个发射极与多个集电极，具有一第二导电型，与该第一导电型相反。每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔。该集成电路元件还包括一埋层，具有该第二导电型，于该半导体基板中，其中该埋层具有一上表面，邻近所述多个集电极的下表面。本发明优点特征包括高电流获得、低芯片使用面积以及低基区电阻。
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公开(公告)号：CN101814314A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010110918.3
申请日：2010-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/409
CPC classification number: G11C11/1677 , G11C11/1675
Abstract: 一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。
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公开(公告)号：CN103199857B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210187425.9
申请日：2012-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种PLL电路包括：相位频率检测器；可编程电荷泵，连接至相位频率检测器的输出端；环路滤波器，连接至电荷泵的输出端，环路滤波器提供微调电压；第一电压电流转换器，第一电压至电流转换器提供对应微调电压的微调电流；电流控制振荡器(CCO)；反馈除法器，连接至CCO的输出端和相位频率检测器的输入端；和模拟校准电路。模拟校准电路提供用于粗调CCO的振荡频率的频率基准点的粗调电流，其中，CCO响应于粗调电流和微调电流在输出端处生成频率信号，其中，频率基准点是连续可调的。本发明还提供了一种基于电流控制振荡器(CCO)的PLL。
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公开(公告)号：CN103514834A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310116389.1
申请日：2013-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3406 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/045 , G09G2330/028
Abstract: 本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及调节第一像素的晶体管的阈值电压值。调节第二像素的电流值涉及调节第二像素的晶体管的阈值电压值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103107802A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210146727.1
申请日：2012-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H02H9/04 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H03F2200/294 , H03F2203/45638 , H03G1/0023 , H03K3/35613 , H03K19/018514 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有电感器的输入/输出(I/O)电路包括与I/O电路的输出节点电连接的静电放电(ESD)保护电路。至少一个电感器和至少一个负载以串联方式且在I/O电路的输出节点和电源线之间进行电连接。电路与至少一个电感器和至少一个负载之间的节点电连接。电路用于增加信号变换期间流过至少一个电感器的电流。
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公开(公告)号：CN105161056B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510616544.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G09G3/3233
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3406 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/045 , G09G2330/028
Abstract: 本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及利用第一像素的第一开关和第一像素的第二开关，调节第一像素的晶体管的阈值电压值，其中，第一像素的第一开关与第一像素的晶体管的栅极端电连接，第一像素的第二开关与第一像素的晶体管的源极端电连接，并且第一像素的LED与第一像素的晶体管的源极端电连接。调节第二像素的电流值涉及利用第二像素的第一开关和第二像素的第二开关，调节第二像素的晶体管的阈值电压值，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，其中，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，第二像素的第二开关与第二像素的晶体管的源极端电连接，并且第二像素的LED与第二像素的晶体管的源极端电连接。
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公开(公告)号：CN104049662B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310583338.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0025
Abstract: 一种调压器包括：驱动电路、反馈电路、第一和第二控制电路以及电阻器。驱动电路连接至输入节点和输出节点，并且根据输入节点处的输入电压在输出节点处生成输出电压。反馈电路连接至输出节点并且基于输出电压生成反馈电压。第一控制电路连接至反馈电路和驱动电路，以基于反馈电压来控制输出电压。电阻器具有相对的第一端和第二端。电阻器的第一端连接至输出节点。第二控制电路连接至输出级电阻器的第二端和反馈电路，以基于输出级电阻器的第二端处的调节电压来控制反馈电压。
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公开(公告)号：CN103107802B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210146727.1
申请日：2012-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H02H9/04 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H03F2200/294 , H03F2203/45638 , H03G1/0023 , H03K3/35613 , H03K19/018514 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有电感器的输入/输出(I/O)电路包括与I/O电路的输出节点电连接的静电放电(ESD)保护电路。至少一个电感器和至少一个负载以串联方式且在I/O电路的输出节点和电源线之间进行电连接。电路与至少一个电感器和至少一个负载之间的节点电连接。电路用于增加信号变换期间流过至少一个电感器的电流。
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公开(公告)号：CN101814314B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010110918.3
申请日：2010-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/409
CPC classification number: G11C11/1677 , G11C11/1675
Abstract: 一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。
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