公开(公告)号：CN105633083A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510437327.X

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  倪俊龙 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103456775A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310052078.3

申请日：2013-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  林志翰 ,  黄仁安 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明涉及集成电路制造，更具体地涉及半导体器件的金属栅电极。用于半导体器件的示例性结构包括：衬底，包括主表面；第一矩形栅电极，位于主表面上并包括第一多层材料层；第一介电材料，与第一矩形栅电极的一侧相邻；以及第二介电材料，与第一矩形栅电极的另外三侧相邻，第一介电材料和第二介电材料共同围绕第一矩形栅电极。

公开(公告)号：CN101980358A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN201010158581.3

申请日：2010-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林益安 ,  连浩明 ,  陈嘉仁 ,  林志忠 ,  林毓超 ,  林志翰

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 本发明提供一种隔离结构(isolation structure)的制法，且特别是有关于一种不存在缺角(divot)的隔离结构的电子元件。此种隔离结构的制法，包括以下步骤：形成垫氧化层(pad oxide layer)于基材的上表面上；形成开口于垫氧化层中，以暴露基材的一部分；蚀刻基材的暴露部分，以形成沟槽(trench)于该基材中；用绝缘体(insulator)填充沟槽；将垫氧化层的一表面与绝缘体的一表面暴露于气相混合物(vapor mixture)，其中气相混合物包括至少氨气(NH3)与含氟的化合物；以及于温度约100℃～200℃的条件下加热基材。本发明的方法可制作几乎不存在缺角的绝缘结构。

公开(公告)号：CN101685771A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910173267.X

申请日：2009-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  陈嘉仁 ,  林益安 ,  林志忠

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32862 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种用以预处理及稳定蚀刻腔室的方法及蚀刻腔室的清洁方法，其中用以蚀刻腔室的清洁方法包含提供一蚀刻腔室；导入一含有一惰性气体的第一气体至蚀刻腔室中持续一第一时间；以及在持续第一时间后，传送一第一晶片进入蚀刻腔室，对第一晶片进行蚀刻工艺。本实施例提供一或多个如下所述的优点：(1)减少工艺腔室中的污染物及杂质；(2)减少头片晶片效应；(3)改进晶片关键尺寸的变化；(4)使长期使用工艺腔室所带来的损害最小化；(5)减少用于清洁的平均时间；(6)减少对晶片批作工艺处理的成本：(7)增加每小时可对晶片作工艺处理的数量。

公开(公告)号：CN113206084A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011390390.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  周昀亭 ,  林志翰 ,  林志忠

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种实施例器件包括：第一源极/漏极区域，位于半导体衬底之上；以及虚设鳍，与第一源极/漏极区域相邻。虚设鳍包括：第一部分，包括第一膜；以及第二部分，位于第一部分之上，其中，第二部分包括第二膜和第三膜。第三膜在第一膜和第二膜之间，并且第三膜是由与第一膜和第二膜不同的材料制成的。第二部分的宽度小于第一部分的宽度。器件还包括：栅极堆叠，沿着虚设鳍的侧壁。

公开(公告)号：CN111668217A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010473668.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  倪俊龙 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN104659083B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410669921.7

申请日：2014-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志翰 ,  林志忠 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 一种结构，包括：衬底、位于衬底上的栅极结构，位于所述衬底上方的介电层和位于所述栅极结构的栅电极上方的盖。介电层与栅电极的顶面共平面。栅极结构在第一和第二栅极结构侧壁之间延伸栅极横向距离。盖在第一和第二盖侧壁之间延伸。第一盖部分从栅极结构的中线朝向第一栅极结构侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达第一盖侧壁，并且第二盖部分从所述中线朝向第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达第二盖侧壁。第一盖横向距离和第二盖横向距离至少为栅极横向距离的一半。本发明还公开了栅极保护盖及其形成方法。

公开(公告)号：CN105895697A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510843655.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7842

Abstract: 一种半导体器件包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、栅极堆叠件以及源极和漏极。栅极堆叠件包括栅电极层和栅极介电层，栅极结构覆盖鳍结构的部分并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸。每个源极和漏极均包括设置在鳍结构上方的应力源层。应力源层将应力施加至位于栅极堆叠件下面的鳍结构的沟道层。应力源层穿透至栅极堆叠件的下面。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上的应力源层和位于栅极堆叠件下面的鳍结构之间的垂直界面包括平坦部分。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN105405888A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410817547.0

申请日：2014-12-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  巫柏奇 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：具有中心部分和边缘部分的衬底；位于衬底上方的隔离层；部分地设置在隔离层中且具有顶面和侧壁表面的半导体鳍；设置在衬底的边缘部分处的、覆盖半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分的第一栅极；以及设置在衬底的中心部分处的、覆盖半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分的第二栅极。第一栅极的接近隔离层的下部宽度小于第一栅极的接近半导体鳍的顶面的上部宽度。本发明还提供了一种在衬底上制造该半导体结构的方法以及一种FinFET器件。

公开(公告)号：CN104659083A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410669921.7

申请日：2014-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志翰 ,  林志忠 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 一种结构，包括：衬底、位于衬底上的栅极结构，位于所述衬底上方的介电层和位于所述栅极结构的栅电极上方的盖。介电层与栅电极的顶面共平面。栅极结构在第一和第二栅极结构侧壁之间延伸栅极横向距离。盖在第一和第二盖侧壁之间延伸。第一盖部分从栅极结构的中线朝向第一栅极结构侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达第一盖侧壁，并且第二盖部分从所述中线朝向第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达第二盖侧壁。第一盖横向距离和第二盖横向距离至少为栅极横向距离的一半。本发明还公开了栅极保护盖及其形成方法。