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公开(公告)号：CN113629055B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110830765.8
申请日：2021-07-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上具有鳍顶面的鳍状结构、设置在鳍结构上的源/漏(S/D)区、设置在鳍顶面上的栅极结构、以及具有设置在栅极结构和源/漏区之间的第一和第二间隔件部分的栅极间隔件。第一间隔件部分在鳍顶面上方延伸并且沿着栅极结构的侧壁设置。第二间隔件部分在鳍顶面下方延伸并沿着源/漏区的侧壁设置。
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公开(公告)号：CN111668217A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010473668.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106328711A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610511247.9
申请日：2016-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种FinFET器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括：鳍结构，形成在衬底的上方；以及栅极结构，横越在鳍结构上方。栅极结构包括栅电极层，栅电极层包括位于鳍结构之上的上部和位于鳍结构下方的下部，在上部和下部之间形成虚拟界面，并且下部具有从虚拟界面至下部的底面逐渐减小的减小的宽度。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106206727A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510245445.0
申请日：2015-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和形成在衬底上的隔离结构。FinFET结构也包括在衬底之上延伸的鳍结构，并且鳍结构嵌入在隔离结构中。FinFET结构还包括形成在鳍结构上的外延结构，外延结构具有五边形形状，并且外延结构和鳍结构之间的界面低于隔离结构的顶面。
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公开(公告)号：CN106206580A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510245425.3
申请日：2015-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66795 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和在衬底之上延伸的鳍结构。FinFET结构包括形成在鳍结构上的外延结构，并且外延结构具有第一高度。FinFET结构也包括形成为邻近外延结构的鳍侧壁间隔件。鳍侧壁间隔件具有第二高度，并且第一高度大于第二高度，并且鳍侧壁间隔件配置为控制外延结构的体积和第一高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105405888A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410817547.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：具有中心部分和边缘部分的衬底；位于衬底上方的隔离层；部分地设置在隔离层中且具有顶面和侧壁表面的半导体鳍；设置在衬底的边缘部分处的、覆盖半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分的第一栅极；以及设置在衬底的中心部分处的、覆盖半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分的第二栅极。第一栅极的接近隔离层的下部宽度小于第一栅极的接近半导体鳍的顶面的上部宽度。本发明还提供了一种在衬底上制造该半导体结构的方法以及一种FinFET器件。
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公开(公告)号：CN112447713B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010387082.5
申请日：2020-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件，包括：隔离绝缘层，设置在衬底上；半导体鳍，设置在衬底上；半导体鳍的上部从隔离绝缘层突出；半导体鳍的下部嵌入隔离绝缘层中；栅极结构设置在半导体鳍的上部上方，并且包括栅极介电层和栅电极层；栅极侧壁间隔件，其设置在栅极结构的相对侧面上方；以及源极/漏极外延层。半导体鳍的上部包括由与半导体鳍的其余部分不同的半导体材料制成的第一外延生长增强层。第一外延生长增强层与源极/漏极外延层接触。栅极介电层覆盖包括第一外延生长增强层的半导体鳍的上部。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113299608A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110373196.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/762 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/165
Abstract: 本发明的实施例提供了形成FinFET器件结构的方法，包括：在半导体鳍结构的侧壁上形成鳍侧壁间隔件，半导体鳍结构延伸穿过隔离结构，其中，形成鳍侧壁间隔件包括：在半导体鳍结构和隔离结构上方形成介电层，介电层覆盖半导体鳍结构的侧壁和顶面，并且至少暴露隔离结构的部分；和蚀刻介电层，以暴露出半导体鳍结构的顶面；使半导体鳍结构的部分凹陷以在鳍侧壁间隔件之间形成凹槽；在凹槽内外延生长具有柱状形状的外延结构；以及外延生长外延结构以在凹槽上方延伸，其中，外延结构在凹槽内的柱状形状之上和鳍侧壁间隔件的最顶面之上形成菱形部分，其中，外延结构的菱形部分与柱状形状之间的接合处在鳍侧壁间隔件的最顶面之上。
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公开(公告)号：CN105336739B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201410804686.X
申请日：2014-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括：具有顶面的衬底；位于衬底上方的栅极，栅极包括邻近顶面的基脚区，基脚区包括在顶面之上的低于10nm的高度处横向测量的基脚长度；以及围绕栅极的侧壁的间隔件，间隔件包括在顶面之上的从约10nm至约200nm的高度处横向测量的间隔件宽度。基脚长度为沿着顶面，从基脚区的最宽部分的末端至从栅极主体和间隔件之间的界面延伸的垂直线测量所得，并且间隔件宽度基本上等于或大于基脚长度。本发明还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN106158658B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201510193573.5
申请日：2015-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 一种制造Fin‑FET器件的方法包括在衬底中形成多个鳍，其中，该衬底包括中心区域和围绕该中心区域的外围区域。栅极材料层沉积在鳍上方，且用蚀刻气体蚀刻栅极材料层以形成栅极，其中，该蚀刻气体以中心区域处的流速与外围区域处的流速的比率在从0.33至3的范围内进行供给。本发明还涉及制造Fin‑FET器件的装置。
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