公开(公告)号：CN105742356A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510657339.3

申请日：2015-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  倪俊龙 ,  陈科维

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种FinFET结构，包括多个鳍部、栅极和第一掺杂剂层。在多个鳍部上方基本垂直地设置栅极，以覆盖多个鳍部的部分顶面和部分侧壁。第一掺杂剂层覆盖第一鳍部的结部的顶面和侧壁，该第一掺杂剂层被配置为向第一鳍部的结部提供第一导电类型的掺杂剂。该结部与栅极相邻。本发明还提供了一种用于制造FinFET结构的方法。

公开(公告)号：CN111668217A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010473668.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  倪俊龙 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN105633083A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510437327.X

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  倪俊龙 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN111668217B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010473668.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  倪俊龙 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN116264188A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202310082891.9

申请日：2023-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林耿纬 ,  游家齐 ,  倪俊龙 ,  谢瑞夫

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/423

Abstract: 提供半导体装置的形成方法。两步骤蚀刻技术用于氧化物界定边缘上连续多晶硅(CPODE)凹蚀制程，以形成其中要形成CPODE结构的凹槽。两步骤制程包含使用等向性蚀刻技术进行第一蚀刻操作，其中虚设栅极结构中的凹槽形成至第一深度。使用非等向性蚀刻技术进行第二蚀刻操作以将凹槽形成至第二深度。使用非等向性蚀刻技术造成第二蚀刻操作中虚设栅极结构的高度定向(例如垂直)蚀刻。在虚设栅极结构的底部或其附近由非等向性蚀刻技术提供的高度定向蚀刻减少、最小化及/或防止蚀刻到层间介电(ILD)层的相邻部分及/或在层间介电层的所述部分下方的源极/漏极区中。

公开(公告)号：CN105633083B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201510437327.X

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  倪俊龙 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN105742356B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510657339.3

申请日：2015-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  倪俊龙 ,  陈科维

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供了一种FinFET结构，包括多个鳍部、栅极和第一掺杂剂层。在多个鳍部上方基本垂直地设置栅极，以覆盖多个鳍部的部分顶面和部分侧壁。第一掺杂剂层覆盖第一鳍部的结部的顶面和侧壁，该第一掺杂剂层被配置为向第一鳍部的结部提供第一导电类型的掺杂剂。该结部与栅极相邻。本发明还提供了一种用于制造FinFET结构的方法。