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公开(公告)号：CN109326646B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810853646.2
申请日：2018-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H10B10/00 , H01L21/336
Abstract: 半导体装置包括：鳍状结构，沿着第一轴延伸；第一源极/漏极结构，位于鳍状结构的第一末端部分；以及约束层，位于鳍状结构的第一末端部分的第一侧，其中第一源极/漏极结构包括第一部分位于第一侧，且第一部分包括沿着第二轴的较短延伸宽度；以及第二部分位于与第一侧反向的第二侧，且第二部分包括沿着第二轴的较长延伸宽度。
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公开(公告)号：CN107316904B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710270429.6
申请日：2017-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施例是一种结构，其包括位于衬底上方的第一鳍；位于衬底上方的第二鳍，第二鳍相邻于第一鳍；环绕第一鳍和第二鳍的隔离区，隔离区的第一部分位于第一鳍和第二鳍之间；沿着第一鳍和第二鳍的侧壁并且位于其上表面的上方的栅极结构，栅极结构界定了第一鳍和第二鳍中的沟道区；位于栅极结构侧壁上的栅极密封间隔件，栅极密封间隔件的第一部分位于在第一鳍和第二鳍之间的隔离区的第一部分上；以及邻近栅极结构的第一鳍和第二鳍上的源极/漏极区。本发明实施例涉及FinFET及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107316904A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710270429.6
申请日：2017-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施例是一种结构，其包括位于衬底上方的第一鳍；位于衬底上方的第二鳍，第二鳍相邻于第一鳍；环绕第一鳍和第二鳍的隔离区，隔离区的第一部分位于第一鳍和第二鳍之间；沿着第一鳍和第二鳍的侧壁并且位于其上表面的上方的栅极结构，栅极结构界定了第一鳍和第二鳍中的沟道区；位于栅极结构侧壁上的栅极密封间隔件，栅极密封间隔件的第一部分位于在第一鳍和第二鳍之间的隔离区的第一部分上；以及邻近栅极结构的第一鳍和第二鳍上的源极/漏极区。本发明实施例涉及FinFET及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105280635A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410770314.X
申请日：2014-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76235 , H01L21/76232 , H01L29/0649 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括半导体衬底和浅沟槽隔离(STI)。STI包括与半导体衬底相连接的侧壁。STI从半导体衬底的底部突出，并且STI包括与半导体衬底的底部接触的底面、与底面相对的顶面。底面的宽度大于顶面的宽度。
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公开(公告)号：CN104810400B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410770302.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括主体结构、介电结构、栅极结构和源极或漏极区。在主体结构上方形成栅极结构。源极或漏极区嵌入在主体结构中并位于栅极结构旁边，并且邻接介电结构且延伸超出介电结构。源极或漏极区包括与主体结构的晶格常数不同的应力源材料。源极或漏极区包括在介电结构的顶部处的第一水平之上形成的第一区和包括在第一水平下且邻接相应的介电结构形成的向下的锥形侧壁的第二区。本发明还涉及在小平面区下方具有向下的锥形区的晶体管的嵌入式源极或漏极区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990441A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510801400.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、半导体鳍、栅极堆叠件和外延结构。半导体鳍设置在衬底中。半导体鳍的一部分从衬底凸出。栅极堆叠件设置在从衬底凸出的半导体鳍的部分的上方。外延结构设置在衬底上并紧邻栅极堆叠件。外延结构具有背对衬底的顶面，并且该顶面具有至少一个具有从约5纳米到20纳米范围的曲率半径的弯曲部分。
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公开(公告)号：CN105810738A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610023757.1
申请日：2016-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L29/165
Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构。形成隔离绝缘层，使得鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。在部分鳍结构上方形成栅极结构。在鳍结构的两侧处的隔离绝缘层中形成凹槽。在未由栅极结构覆盖的部分鳍结构中形成凹槽。鳍结构中的凹槽和隔离绝缘层中的凹槽形成为使得从隔离绝缘层的最上表面测量的鳍结构中的凹槽的深度D1和隔离绝缘层中的凹槽的深度D2满足0≤D1≤D2(但是D1和D2不同时为0)。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN105742344A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510802511.X
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅电极。半导体器件结构也包括邻近栅电极的源极/漏极结构。半导体器件结构还包括位于栅电极的侧壁上方的间隔件元件，并且间隔件元件具有上部和下部，上部具有第一外表面，下部具有第二外表面。第一外表面和栅电极的侧壁之间的横向距离基本上相同。第二外表面和栅电极的侧壁之间的横向距离沿着从下部的顶部朝着半导体衬底的方向增大。本发明的实施例还涉及具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。
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公开(公告)号：CN111668217A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010473668.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105810738B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201610023757.1
申请日：2016-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L29/165
Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构。形成隔离绝缘层，使得鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。在部分鳍结构上方形成栅极结构。在鳍结构的两侧处的隔离绝缘层中形成凹槽。在未由栅极结构覆盖的部分鳍结构中形成凹槽。鳍结构中的凹槽和隔离绝缘层中的凹槽形成为使得从隔离绝缘层的最上表面测量的鳍结构中的凹槽的深度D1和隔离绝缘层中的凹槽的深度D2满足0≤D1≤D2(但是D1和D2不同时为0)。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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