公开(公告)号：CN103311219B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310058749.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  陈洁 ,  陈英儒 ,  于宗源

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06515 ,  Y10T29/4902

Abstract: 提供了一种电感器器件和形成电感器器件的方法。在一些实施例中，电感器器件包括所设置的后钝化互连(PPI)层和凸块下金属化(UBM)层，每个都设置在衬底之上。PPI层形成线圈和伪焊盘。伪焊盘设置在线圈的大部分周围，以使线圈免受电磁干扰。UBM层的第一部分电连接至线圈并且被配置成与电连接件相接合。本发明还提供了一种用于后钝化互连的电感器。

公开(公告)号：CN104051332A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410088870.9

申请日：2014-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  于宗源 ,  郑明达 ,  吕文雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L2224/13

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件的封装器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造封装器件的方法包括：在衬底上方形成互连布线，以及在部分互连布线上方形成导电球。在导电球和衬底上方沉积模塑材料，以及从衬底的划线区域上方去除模塑材料的一部分。

公开(公告)号：CN102479758B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110210784.7

申请日：2011-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  杨宗颖

IPC: H01L23/31 ,  H01L27/02 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了一种用于减少蚀刻残留物的结构。该结构包括两个沟槽之间的相交区域的布局。首先，具有梯形转角的较大相交区域可以替换为将两个沟槽进行垂直相交。该布局减小了相交区域，并且降低了不完全蚀刻材料留在相交区域的可能性。该结构还包括一种可选方式，在相交区域中填充未蚀刻的较小梯形区域或者多个未蚀刻的方形区域，从而减小了相交点处的开口区域，从而降低了具有不完全蚀刻材料的可能性。

公开(公告)号：CN103311224A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310014921.9

申请日：2013-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  陈宪伟 ,  于宗源 ,  陈英儒

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/30 ,  H01L22/32 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/11015 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014

Abstract: 提供一种用于测试电连接的系统和方法。在一个实施例中，可以制造一个或者多个浮置焊盘与凸块下金属化结构电连接。然后可以执行测试以经过浮置焊盘测量凸块下金属化结构的电特性以便测试缺陷。取而代之，传导连接可以形成于凸块下金属化上，并且可以对传导连接和凸块下金属化一起执行测试。

公开(公告)号：CN103151322A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210193484.7

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  梁世纬

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种晶圆级芯片尺寸半导体器件，包括：半导体管芯、第一凸块底部金属结构和第二凸块底部金属结构。在半导体管芯的角部区域或边部区域上形成具有第一包围件的第一凸块底部金属结构。在半导体管芯的内部区域上形成具有第二包围件的第二凸块底部金属结构。第一包围件大于第二包围件。本发明还提供了一种晶圆级芯片尺寸封装件的UBM结构。

公开(公告)号：CN103094137A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210025465.3

申请日：2012-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  梁世纬

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L24/14 ,  G06F2217/40 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 在一种改进半导体器件的球强度的方法中，接收将形成为半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案。该图案包括相互交叉的多列和多行。球布置在列和行的交叉点处。球图案的区域中的球布置被修改，使得该区域不包括孤立球。本发明还提供了一种球强度改进的方法以及半导体器件。

公开(公告)号：CN103050461A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210192147.6

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  李明机

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明提供了钝化后互连结构。

公开(公告)号：CN102479758A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110210784.7

申请日：2011-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  杨宗颖

IPC: H01L23/31 ,  H01L27/02 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了一种用于减少蚀刻残留物的结构。该结构包括两个沟槽之间的相交区域的布局。首先，具有梯形转角的较大相交区域可以替换为将两个沟槽进行垂直相交。该布局减小了相交区域，并且降低了不完全蚀刻材料留在相交区域的可能性。该结构还包括一种可选方式，在相交区域中填充未蚀刻的较小梯形区域或者多个未蚀刻的方形区域，从而减小了相交点处的开口区域，从而降低了具有不完全蚀刻材料的可能性。

公开(公告)号：CN118173453A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410178579.4

申请日：2024-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  苏安治 ,  蔡豪益 ,  于宗源 ,  邓博元 ,  翁崇铭 ,  许喆翔

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/29

Abstract: 一种制造封装件的方法包括形成第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括第一聚合物层和第一电连接件，第一电连接件的至少一部分位于第一聚合物层中。第二封装组件包括第二聚合物层和第二电连接件，第二电连接件的至少一部分位于第二聚合物层中。将第一封装组件接合至第二封装组件，其中第一聚合物层接合至第二聚合物层，并且第一电连接件接合至第二电连接件。本发明的实施例还提供了封装件。

公开(公告)号：CN115497929A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210137523.5

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  谢政杰 ,  江宗宪 ,  江慧君 ,  黄子松 ,  曾明鸿 ,  庄立朴 ,  翁崇铭 ,  于宗源 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第一侧。第二半导体晶粒上的第一绝缘包封体封装了第一半导体晶粒。TSV的末端与第一绝缘包封体的表面共面。介电层结构覆盖了第一半导体晶粒和第一绝缘包封体。导体结构延伸穿过介电层结构并与硅穿孔接触。第二绝缘包封体与第二半导体晶粒、第一绝缘封装和介电层结构接触。