公开(公告)号：CN109309063A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710804579.0

申请日：2017-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄立朴 ,  普翰屏 ,  潘信瑜 ,  许森贵

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06519 ,  H01L2224/09519 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14519 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/30519 ,  H01L2224/33519 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/351 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381

Abstract: 一种半导体封装包括管芯、保护层、多个第一导电性通孔、多个第二导电性通孔、多个导热性通孔以及连接图案。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上。所述多个第一导电性通孔及所述多个第二导电性通孔延伸穿过所述保护层并分别接触所述第一接垫及所述第二接垫。所述多个导热性通孔设置在所述保护层之上。所述导热性通孔中的每一个与所述第一导电性通孔及所述第二导电性通孔间隔开。所述连接图案设置在所述保护层上且连接所述第一导电性通孔及所述导热性通孔。所述导热性通孔通过所述连接图案及所述第一导电性通孔连接到所述第一接垫。

公开(公告)号：CN111192858A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910232291.X

申请日：2019-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  陈志华 ,  潘信瑜 ,  蔡豪益 ,  庄立朴 ,  郭庭豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。

公开(公告)号：CN113808960B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202110693215.6

申请日：2021-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗登元 ,  庄立朴 ,  潘信瑜

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/16 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了封装结构及其形成方法。一种方法包括在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器。使用第一电连接器，将集成电路管芯接合至插件晶圆的第一面。邻近集成电路管芯，将加强件结构连接至插件晶圆的第一面。在平面图中，加强件结构覆盖第二电连接器。用第一密封剂密封集成电路管芯和加强件结构。将插件晶圆和加强件结构单个化，以形成堆叠结构。本申请的实施例提供了集成电路封装件和方法。

公开(公告)号：CN111192858B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201910232291.X

申请日：2019-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  陈志华 ,  潘信瑜 ,  蔡豪益 ,  庄立朴 ,  郭庭豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。

公开(公告)号：CN115497929A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210137523.5

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  谢政杰 ,  江宗宪 ,  江慧君 ,  黄子松 ,  曾明鸿 ,  庄立朴 ,  翁崇铭 ,  于宗源 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第一侧。第二半导体晶粒上的第一绝缘包封体封装了第一半导体晶粒。TSV的末端与第一绝缘包封体的表面共面。介电层结构覆盖了第一半导体晶粒和第一绝缘包封体。导体结构延伸穿过介电层结构并与硅穿孔接触。第二绝缘包封体与第二半导体晶粒、第一绝缘封装和介电层结构接触。

公开(公告)号：CN119833490A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411906009.9

申请日：2024-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴懿轩 ,  庄立朴

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了封装结构及其形成方法。封装结构包括第一再分布结构以及附接至第一再分布结构的第一侧并且彼此间隔开的第一封装组件和第二封装组件。封装结构还包括附接至第一再分布结构的第二侧的第一半导体管芯以及密封剂。封装结构还包括形成在第一半导体管芯上方的热扩散器层，并且热扩散器层的热导率大于密封剂的热导率。封装结构还包括穿过热扩散器层形成的导电部件以及形成在热扩散器层上方的第二再分布结构。此外，第二再分布结构通过导电部件电连接至第一半导体管芯。

公开(公告)号：CN113808960A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110693215.6

申请日：2021-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗登元 ,  庄立朴 ,  潘信瑜

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/16 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了封装结构及其形成方法。一种方法包括在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器。使用第一电连接器，将集成电路管芯接合至插件晶圆的第一面。邻近集成电路管芯，将加强件结构连接至插件晶圆的第一面。在平面图中，加强件结构覆盖第二电连接器。用第一密封剂密封集成电路管芯和加强件结构。将插件晶圆和加强件结构单个化，以形成堆叠结构。本申请的实施例提供了集成电路封装件和方法。

公开(公告)号：CN119965170A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510071543.0

申请日：2025-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林信霆 ,  庄立朴 ,  赖致廷

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/38 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  G02B6/12

Abstract: 本公开提供了半导体封装件及其形成方法。半导体封装件包括氧化物层以及位于氧化物层的第一侧上的波导和光子组件。半导体封装件还包括与光子组件相邻并且配置为向光子组件提供热能的加热器元件。半导体封装件还包括位于氧化物层的与第一侧相对的第二侧上的再分布结构。再分布结构包括多个介电层和位于介电层中的导电部件。此外，半导体封装件包括嵌入再分布结构的介电层中并且直接位于光子组件下方的热电冷却器件。

公开(公告)号：CN119852246A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411939078.X

申请日：2024-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄立朴 ,  吴懿轩 ,  赖致廷 ,  林信霆 ,  陈琮瑜

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 在实施例中，器件包括：中介层，包括：前侧再分布结构；背侧再分布结构；密封剂，位于前侧再分布结构和背侧再分布结构之间；互连管芯，位于密封剂中；以及热储管芯，位于密封剂中，热储管芯邻近互连管芯；存储器器件，附接至前侧再分布结构，存储器器件在平面图中与热储管芯重叠；以及逻辑器件，附接至前侧再分布结构，逻辑器件和存储器器件每个在平面图中与互连管芯重叠。本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119833485A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411906019.2

申请日：2024-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴懿轩 ,  陈琮瑜 ,  赖致廷 ,  庄立朴 ,  林信霆

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H10D80/30

Abstract: 提供了封装结构及其形成方法。提供了封装结构。封装结构包括：再分布结构；以及第一封装组件和第二封装组件，在第一方向上附接至再分布结构并且在第二方向上彼此间隔开。封装结构还包括：底部填充物，形成在再分布结构上方的第一封装组件和第二封装组件的下部部分周围；以及模制层，形成在底部填充物上方以及第一封装组件和第二封装组件的上部部分周围。此外，模制层包括基底材料和嵌入在基底材料中的填充物。此外，填充物的热导率大于约400W/mK。