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公开(公告)号：CN107705884A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710785173.2
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01B5/14 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01B13/0016
Abstract: 本发明属于电极材料技术领域，公开了一种基于银纳米线的透明导电纸及其制备方法。所述制备方法为：将木质纤维素纤维在氧化体系及碱性条件下均质氧化处理，得到纤维素纳米纤维悬浮液，将悬浮液成膜，干燥，得到纳米纸；然后将银纳米线的异丙醇溶液涂覆到纳米纸上，干燥，得到银纳米线透明导电薄膜；最后将所得薄膜进行退火处理，得到基于银纳米线的透明导电纸。本发明采用纳米纸作为基底，然后涂覆银纳米线溶液，可以得到方阻值为50Ω/□左右和光透过率为70％左右的银纳米线透明导电纸。
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公开(公告)号：CN107170832A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710447622.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/443 , H01L21/477
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/443 , H01L21/477 , H01L29/66969
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，然后在350℃～450℃空气中进行退火处理，最后在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。本发明通过退火处理后，可在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。
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公开(公告)号：CN108863101B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810637117.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34 , G02F1/1524
Abstract: 本发明属于电致变色薄膜技术领域，公开了一种高调制能力结晶三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法。将钨粉与过氧化氢溶液混合反应，得到钨酸溶液；然后加入硅酸四乙酯、PEO、无水乙醇，加热搅拌混合均匀，得到前驱体溶液；在洗净的ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后在450℃～550℃的温度下退火处理3h以上，直至薄膜由灰黑色变为透明，PEO碳化分解完全，得到掺杂SiO2的结晶WO3电致变色薄膜。本发明所得WO3薄膜具有高比表面积、高孔洞率，提高了结晶态薄膜的透射率调制能力，克服了传统溶液法制备的结晶态WO3薄膜低透射率调制能力的缺点。
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公开(公告)号：CN107805787B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710785172.8
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为：将基板清洗和烘干，然后送入磁控溅射设备真空仓中，进行抽气，使本底真空度达到目标值；设置溅射参数，调控脉冲波形的频率和占空比，在室温下对IGZO靶材进行脉冲直流溅射，得到所述IGZO半导体薄膜。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲波形，在室温下对同一块IGZO靶材进行脉冲直流溅射，具有工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力，以及能够实现人为调控半导体薄膜特性以应用于不同领域的技术优势。
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公开(公告)号：CN109449199A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811131561.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L21/443 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示领域中薄膜晶体管技术领域，公开了一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述全铝透明栅极薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成，所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。本发明的AZO/Al/AZO/Al/AZO堆叠栅极薄膜在室温下制备，且具有高透明度，高导电性等优点，该堆叠栅极材料安全无毒，制备成本低，可大面积制备，可广泛应用于透明TFT以及其他透明电子器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109180017A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810980744.2
申请日：2018-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34 , G02F1/1523
Abstract: 本发明属于电致变色器件技术领域，具体涉及一种溶液法低温制备WO3电致变色薄膜的方法。所述方法包括如下制备步骤：将氯化钨溶于无水乙醇中，离心搅拌后，得到前驱体溶液；在衬底上旋涂前驱体溶液，在空气中静置30～60min，然后在100～300℃的温度下退火处理1～2h，得到WO3薄膜。本发明通过将氯化钨溶于无水乙醇中离心后得到前驱体，可以在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，能够在低温下得到氧化钨电致变色薄膜，使得低温制备电致变色器件成为可能，同时本方法的工艺流程和所需的设备条件相对简单，有利于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN108863101A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810637117.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电致变色薄膜技术领域，公开了一种高调制能力结晶三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法。将钨粉与过氧化氢溶液混合反应，得到钨酸溶液；然后加入硅酸四乙酯、PEO、无水乙醇，加热搅拌混合均匀，得到前驱体溶液；在洗净的ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后在450℃～550℃的温度下退火处理3h以上，直至薄膜由灰黑色变为透明，PEO碳化分解完全，得到掺杂SiO2的结晶WO3电致变色薄膜。本发明所得WO3薄膜具有高比表面积、高孔洞率，提高了结晶态薄膜的透射率调制能力，克服了传统溶液法制备的结晶态WO3薄膜低透射率调制能力的缺点。
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公开(公告)号：CN108511348A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810354534.2
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种PEN柔性衬底透明薄膜晶体管及其制备方法。将玻璃基底清洗，烘干后用OCA胶贴上一层PEN；在PEN层上通过射频磁控溅射沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到PEN柔性衬底透明薄膜晶体管。本发明采用AZO作为TFT器件的栅极和源漏电极，所得TFT器件具有高性能、高透明度且无毒的优点。
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公开(公告)号：CN107749423A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710947177.6
申请日：2017-10-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、聚酰亚胺柔性基底层、SiO2缓冲层、源/漏电极、非晶掺硅氧化锡有源层、SiO2栅绝缘层，Si3N4栅绝缘层和栅极构成；其中，源/漏电极位于有源层和SiO2栅绝缘层两侧，Si3N4栅绝缘层覆盖于SiO2栅绝缘层上表面并与源/漏电极接触。本发明的TFT器件采用非晶掺硅氧化锡作为有源层，并将器件功能层置于层叠结构的中心面，在弯曲时使得功能层受到最低应力或者无应力，无需退火即可获得不错的器件性能，具有较强的抗弯折特性，可促进柔性电子器件的发展。
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公开(公告)号：CN107507866A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710582068.9
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/22
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/22 , H01L29/66522 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于柔性显示器件技术领域，公开了一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述多晶氧化物柔性薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。本发明的薄膜晶体管有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，通过诱导层表面的金属离子诱导多晶氧化物半导体晶化，改善结晶性，提升薄膜晶体管的性能，能够在室温下实现高性能的柔性薄膜晶体管。
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