一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112768140B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202011608047.8

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用。所述方法如下:将退火处理后的银纳米线透明导电膜作为阴极,铂电极作为阳极,银|氯化银电极作为参比电极,含九水合硝酸铝的溶液作为电解液,通过三电极系统恒电压模式在银纳米线透明导电膜上电沉积氧化铝保护层,漂洗,退火得到氧化铝防护银纳米线透明电极。本发明通过控制反应速率改良电沉积工艺,将氧化铝精准沉积在银纳米线表面,不影响透光区域,并通过沉积过程促进银纳米线之间的接触,以高平整度的表面避免了包覆层的光吸收,实现了稳定性与光电性能的提升,极大简化了银纳米线防护工艺与柔性透明电极的制备成本,促进了柔性电子的发展。

    一种柔性基板半嵌入式栅极薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111129161A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911353459.9

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域,公开了一种柔性基板半嵌入式栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括柔性基板和柔性基板上的栅极,所述柔性基板上设有矩形凹槽,所述栅极下部矩形区域刚好嵌入至矩形凹槽内,栅极上部梯形区域凸出于矩形凹槽外。与现有的堆栈式底栅顶接触的薄膜晶体管和全嵌入式栅极的薄膜晶体管结构相比,本发明有利于绝缘层薄膜和有源层薄膜的内部及接触界面的缺陷减少,提高器件的性能。且本发明在对嵌入栅极后的柔性基板进行表明清洗时,可有效去除可能存在于凹槽内边角处的杂质和清洗剂,洁净度更高,器件质量更好。

    一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN109346242B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201811147467.3

    申请日:2018-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法,具体制备步骤为:将PVP和乙二醇加入反应器中,加热搅拌溶解;向反应器中加入NaCl乙二醇溶液;在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液,然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min,结束反应后离心分离产物,制得银纳米线,将银纳米线分散于乙醇中;将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理,离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面,随后进行退火处理,得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺,制得的银纳米线产率达到80%,制得的透明电极平均透过率为91.9%、方阻为45.7Ω/sq。

    一种低成本电致变色器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109581776A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201910002034.7

    申请日:2019-01-02

    Abstract: 本发明属于光电器件领域,公开了一种低成本电致变色器件及其制备方法。将氯化钨溶于无水乙醇中得到前驱体溶液,然后旋涂在带有透明导电电极的玻璃衬底上,静置30~60min后在100~300℃的温度下退火处理,得到WO3电致变色薄膜,然后加入到锂离子电解液中,在外加电场条件下着色,取出后干燥,得到锂化的电致变色层,然后旋涂加热熔化后的PEO,盖上另一层带有透明导电电极的玻璃衬底进行封装,得到低成本电致变色器件。本发明通过的溶液法得到氧化钨电致变色薄膜,并通过锂化法省去电解质层这一部分,简化了电致变色器件的结构,降低了加工难度,同时也能节约生产成本,有利于大规模的工业生产。

    一种高调制能力结晶三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108863101B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201810637117.9

    申请日:2018-06-20

    Abstract: 本发明属于电致变色薄膜技术领域,公开了一种高调制能力结晶三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法。将钨粉与过氧化氢溶液混合反应,得到钨酸溶液;然后加入硅酸四乙酯、PEO、无水乙醇,加热搅拌混合均匀,得到前驱体溶液;在洗净的ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液,然后在450℃~550℃的温度下退火处理3h以上,直至薄膜由灰黑色变为透明,PEO碳化分解完全,得到掺杂SiO2的结晶WO3电致变色薄膜。本发明所得WO3薄膜具有高比表面积、高孔洞率,提高了结晶态薄膜的透射率调制能力,克服了传统溶液法制备的结晶态WO3薄膜低透射率调制能力的缺点。

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