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公开(公告)号：CN114926417A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210496277.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种高密度柔性FPC表面弱划痕的显微成像检测方法及系统，该方法包括下述步骤：获取高密度柔性FPC基板图像序列；基于图像关键角点匹配方法将获取的高密度柔性FPC基板图像序列拼合成基板图像；对拼合后的基板图像进行预处理并执行拓扑映射，在相应的拓扑空间基于搜索规则筛选策略确定弱划痕的区域位置，规定向右、向下方向分别为X轴和Y轴正方向，将预处理后的拼合基板图像进行离散化处理，其中对应于坐标的位置为点集合，坐标中像素点值为点集值；当点集合同时满足搜索规则则被标记为异常点，基于异常点集标记基板图像中弱划痕的位置区域。本发明对弱划痕有较好的识别能力，且实时性和准确率较现有方法有明显提高。
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公开(公告)号：CN114881934A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210384125.3
申请日：2022-04-13
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的柔性IC基板表面缺陷分层分类方法，该方法包括下述步骤：构建基于神经网络的柔性IC基板缺陷分层分类树状模型，包括根节点、分支节点和叶节点；根节点对不同批次IC基板进行身份辨识并选择性激活对应分支节点模型；分支节点对应不同的批次，每个分支节点模型通过均衡概率分布的数据集组织策略结合支持向量机对IC基板健康状态进行二分类，叶节点协同根节点对输出的缺陷数据进行分类并溯源缺陷位置，利用基于多尺度特征稠密金字塔连接的YOLOv3检测器执行缺陷分类和位置溯源。本发明实现IC基板多批次身份识别和缺陷类型快速分类和定位，提高了深度学习模型在非平衡数据集下的学习性能及缺陷检测准确率。
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公开(公告)号：CN107546262A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710581574.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。
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公开(公告)号：CN107302027A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710537847.7
申请日：2017-07-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/41725 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成；所述有源层由一层绝缘体层和一层半导体层构成，其中半导体层靠近栅极绝缘层；所述的绝缘体层材料为具有绝缘特性的二元氧化物AO，半导体层为具有半导体特性的四元氧化物BCDO，其中A、B、C、D代表不同的金属元素。本发明采用不同的两种氧化物堆叠起来而成为薄膜晶体管的有源层，能够在室温下通过磁控溅射方式制备，制备工艺简单，且不需要退火处理，所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性。
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公开(公告)号：CN115035056A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210604905.4
申请日：2022-05-31
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于微分几何的柔性IC基板线路刻蚀缺陷检测方法及系统，该方法包括以下步骤：获取柔性IC基板图像；将图像转换为灰度图像作为处理对象；图像预处理；使用Jacob Eliosoff准则的摩尔邻域边界跟踪算法提取轮廓并对轮廓进行高斯平滑；使用基于欧式距离权重因子的双向差分法计算轮廓曲率，根据轮廓曲率的变化和变化的方向判断是否存在过刻蚀或欠刻蚀缺陷。本发明通过线路轮廓曲率的变化检测刻蚀缺陷，将刻蚀缺陷检测问题转化为线路轮廓提取和轮廓曲率计算问题，可用于解决柔性IC基板线路过刻蚀和欠刻蚀缺陷的检测问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111986264A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010647015.2
申请日：2020-07-07
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种空间曲面特征的微分几何视觉识别系统，包含：Frenet相机标定系统，包括基于活动标架理论的相机非线性模型，以及以相机和标定板的相对位置关系为依据的相机内外参数求取方法；曲面图像采集系统，包括两台相机构成的双目立体视觉测量系统，用于采集空间立体实物图像；曲面特征参数计算模块，包括基于微分几何工具的曲面特征计算，并通过曲率特征分析空间曲面和奇异曲面的几何性质。本发明将曲面活动正交标架场和曲面基本公式运用于模式识别领域，一方面在保证标定精度的前提下降低了相机标定的复杂性；另一方面为以机器视觉工具分析曲面几何特性提供了新途径，简单易行。
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公开(公告)号：CN105679833B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610020616.4
申请日：2016-01-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In。有源层通过脉冲激光沉积方式制备而成，且不需要退火。本发明能够以低温工艺制备出高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN105679833A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610020616.4
申请日：2016-01-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In。有源层通过脉冲激光沉积方式制备而成，且不需要退火。本发明能够以低温工艺制备出高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN114926417B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210496277.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种高密度柔性FPC表面弱划痕的显微成像检测方法及系统，该方法包括下述步骤：获取高密度柔性FPC基板图像序列；基于图像关键角点匹配方法将获取的高密度柔性FPC基板图像序列拼合成基板图像；对拼合后的基板图像进行预处理并执行拓扑映射，在相应的拓扑空间基于搜索规则筛选策略确定弱划痕的区域位置，规定向右、向下方向分别为X轴和Y轴正方向，将预处理后的拼合基板图像进行离散化处理，其中对应于坐标的位置为点集合，坐标中像素点值为点集值；当点集合同时满足搜索规则则被标记为异常点，基于异常点集标记基板图像中弱划痕的位置区域。本发明对弱划痕有较好的识别能力，且实时性和准确率较现有方法有明显提高。
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公开(公告)号：CN107507866B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201710582068.9
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/22
Abstract: 本发明属于柔性显示器件技术领域，公开了一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述多晶氧化物柔性薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。本发明的薄膜晶体管有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，通过诱导层表面的金属离子诱导多晶氧化物半导体晶化，改善结晶性，提升薄膜晶体管的性能，能够在室温下实现高性能的柔性薄膜晶体管。
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