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公开(公告)号：CN104600560A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510028646.5
申请日：2015-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种基于集成外腔半导体激光器的宽带混沌光发射器，包括：一集成外腔半导体激光器；一三端口光环形器，其端口2与集成外腔半导体激光器连接，用于接收反馈回路的光信号传递给集成外腔半导体激光器，同时接收集成外腔半导体激光器产生的光信号送入反馈回路，且保证反馈回路中的光信号单行传输；一光耦合器，其端口1与三端口光环形器的输出端口3连接，用于将集成外腔半导体激光器输出经由端口光环形器的光信号按照预设的功率比一部分送入反馈回路，一部分输出，该光耦合器的端口2与三端口光环形器的端口1连接，形成反馈回路，该光耦合器的端口3为混沌光信号输出端口。
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公开(公告)号：CN104503023A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410809706.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02B6/29344
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片，涉及少模光通信领域，该芯片包括：单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元，其中：单纵模激光器单元用于产生基模光信号；多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号；光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列；调制器阵列包括多个调制器，分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑，器件体积减小，相对于分立器件，缩小了电互连距离，稳定性好，为进一步提高通信容量打下了基础。
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公开(公告)号：CN102651535A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210154197.5
申请日：2012-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法，该双波长分布反馈集成激光器用于探测CO与CH4的浓度，该方法包括：在掺杂磷化铟衬底上制作长条形介质掩膜图形；在掺杂磷化铟衬底上外延生长有源增益区和复合光栅层，在该复合光栅层上制作光栅；在该光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层，并制作串行条形波导结构或并行条形波导耦合结构；其余按标准激光器管芯工艺和光纤耦合工艺完成后续制作，得到双波长分布反馈集成激光器。利用本发明提供的方法制作的双波长分布反馈集成激光器，结合目前通用的宽谱红外探测器及电路处理技术，能够将CO和CH4两种气体浓度的检测合并于同一仪器内，实现对CO与CH4两种气体浓度的快速检测和预警。
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公开(公告)号：CN102055133B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910237090.5
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤2：在激光器区域制作布拉格光栅，然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层；步骤3：在外延片上刻蚀脊型光波导，使用He离子注入提高隔离区电阻，然后钝化及平坦化表面，最后制作p型和n型电极。本发明工艺简单，可靠性高，消除了热电子对激光器性能的影响，提高了激光器的特征温度，可实现对激光器和调制器一定程度的独立优化。
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公开(公告)号：CN102044844B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010564545.7
申请日：2010-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在增益层上，其表面形成有取样光栅结构，该取样光栅光栅结构位于无源波导之上；一p-InP层制作在InGaAsP上限制层上；一p-InGaAsP刻蚀阻止层制作在p-InP层上；一上p-InP盖层制作在p-InGaAsP刻蚀阻止层上；一p-InGaAs接触层制作在上p-InP盖层上，其上形成有不同区段的隔离沟；一金属电极制作在p-InGaAs接触层的上表面，形成光栅分布布拉格反射可调谐激光器；其中该光栅分布布拉格反射可调谐激光器分为分布放大前取样光栅区、增益区、相区和分布放大的后取样光栅区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101807616B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010113777.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101609857A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810115183.6
申请日：2008-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤4：在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层；步骤5：在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形掩模图形结构；步骤6：在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下腐蚀出燕尾槽；步骤7：腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件的表面生长第二SiO2层；步骤8：在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面平整；腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层；步骤9：在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极；步骤10：将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电极；步骤11：清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。
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公开(公告)号：CN100461472C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510056278.1
申请日：2005-04-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：一衬底片；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在衬底片上，在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形；一缓冲层，该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间；一下限制层，该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上；一多量子阱层，该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上，形成能带结构空间变化的半导体多量子阱层结构；一上限制层，该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上；一包层，该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上；一接触层，该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。
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公开(公告)号：CN1870368A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200510073984.7
申请日：2005-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为：在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅；采用窄条选择外延生长技术自动生成铝铟镓砷(AlInGaAs)应变补偿多量子阱窄条台形有源区，并用铟磷(InP)将该台面包覆起来；台形有源区形成后，大面积生长p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓铟砷(InGaAs)接触层，然后对台形有源区两侧进行离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)。
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公开(公告)号：CN1848464A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510056278.1
申请日：2005-04-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：一衬底片；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在衬底片上，在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形；一缓冲层，该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间；一下限制层，该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上；一多量子阱层，该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上，形成能带结构空间变化的半导体多量子阱层结构；一上限制层，该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上；一包层，该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上；一接触层，该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。
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