-
公开(公告)号：CN102377109B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110356474.6
申请日：2011-11-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。
-
公开(公告)号：CN102290481B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110256554.4
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘，形成环状结构；一增透膜层，制作在正面接触电极的环状结构内，并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层，制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层，该介质钝化层为点状，形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极，制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。
-
公开(公告)号：CN102496853A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110415079.0
申请日：2011-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形，该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模，在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区，刻蚀深度到达InP包层的表面；步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；步骤8：将InP衬底减薄，在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜，另一端蒸镀高反射膜，完成自脉动器件管芯的制作。
-
公开(公告)号：CN102280513A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110119980.3
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
-
公开(公告)号：CN102227005A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110155465.0
申请日：2011-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法，包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层，在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法，形成n型掺杂层，环形n型掺杂层形成PN结保护环，圆形n型掺杂层形成PN结光敏区；在硫系环境下，采用超快激光脉冲辐照n型硅靶材表面的方法，在圆形PN结光敏区的表面形成硅纳米点层；在硅纳米点层上面淀积一层增透膜层；光刻增透膜层，在增透膜层的表面形成环形电极窗口；在环形电极窗口上制备光敏区正面接触电极；在保护环上制备正面接触电极；在p型硅基衬底的背面制备背面接触电极，完成器件的制作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101807616B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010113777.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN102377109A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110356474.6
申请日：2011-11-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。
-
公开(公告)号：CN101882636B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010175445.5
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN102227005B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110155465.0
申请日：2011-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法，包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层，在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法，形成n型掺杂层，环形n型掺杂层形成PN结保护环，圆形n型掺杂层形成PN结光敏区；在硫系环境下，采用超快激光脉冲辐照n型硅靶材表面的方法，在圆形PN结光敏区的表面形成硅纳米点层；在硅纳米点层上面淀积一层增透膜层；光刻增透膜层，在增透膜层的表面形成环形电极窗口；在环形电极窗口上制备光敏区正面接触电极；在保护环上制备正面接触电极；在p型硅基衬底的背面制备背面接触电极，完成器件的制作。
-
公开(公告)号：CN101882636A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010175445.5
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.03 seconds)
