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公开(公告)号：CN100384038C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510004571.3
申请日：2005-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/0265 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S2304/00
Abstract: 一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤2：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤3：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量子阱层；步骤4：二次外延完成整个电吸收调制激光器结构的生长。
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公开(公告)号：CN100391067C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510090643.0
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1750336A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510004571.3
申请日：2005-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/0265 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S2304/00
Abstract: 一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤2：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤3：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量子阱层；步骤4：二次外延完成整个电吸收调制激光器结构的生长。
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公开(公告)号：CN100461472C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510056278.1
申请日：2005-04-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：一衬底片；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在衬底片上，在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形；一缓冲层，该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间；一下限制层，该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上；一多量子阱层，该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上，形成能带结构空间变化的半导体多量子阱层结构；一上限制层，该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上；一包层，该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上；一接触层，该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。
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公开(公告)号：CN1917311A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510090643.0
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。
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公开(公告)号：CN1848464A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510056278.1
申请日：2005-04-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：一衬底片；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在衬底片上，在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形；一缓冲层，该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间；一下限制层，该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上；一多量子阱层，该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上，形成能带结构空间变化的半导体多量子阱层结构；一上限制层，该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上；一包层，该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上；一接触层，该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。
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公开(公告)号：CN1630149A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200310122343.7
申请日：2003-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：1)在InP衬底上同一次外延中先后生长InP缓冲层、下波导层、量子阱A、InP刻蚀阻止层和多量子阱B；2)采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱B，留下多量子阱A；3)全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和InP盖层；4)采用全息曝光发有选择地在激光器区制作光栅，然后全面积外延生长光栅掩盖层、1.2Q刻蚀阻止层、p型InP光限制层以及电接触层。
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