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公开(公告)号：CN106356269A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610984994.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
CPC classification number: H01J27/022 , H01J27/08
Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN106353259A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610984993.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了含氘电极真空弧离子源瞬态氘分子气压的测量方法，包括以下步骤：步骤一、向真空弧离子源的真空腔添加示踪气体；步骤二、测量放电前通入真空腔的示踪气体气压；步骤三、测量放电后某一瞬间示踪元素和氘原子的光谱强度，并计算此时示踪元素与氘原子两者光谱强度的比值；步骤四、采用放电前测得的示踪气体气压除以步骤三所获得的光谱强度比值，得到步骤三测量时刻的瞬时氘分子气压。本发明还公开了实施上述测量方法的装置。本发明应用时能在不干扰放电的前提下快速得到局域瞬态氘分子气压。
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公开(公告)号：CN104944375A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510291419.1
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C01B6/02
Abstract: 本发明公布了一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，包括（a）采用金属钛作为原料制造电极源片工件，并对其表面进行预处理；（b）将步骤（a）得到的预处理电极源片工件在真空下进行高温退火；（c）将退火后的电极源片工件进行吸氢反应；（d）设置降温曲线使得吸氢反应进行一定时间，将吸氢后的工件进行冷却至室温，得到成品电极源片。本发明生产出的电极源片表面均匀的氢化层没有宏观裂纹，在强磁脉冲放电的情况下，各个部位的氢化层受到的外部冲击是一样的，不会发生并形成喷裂，大大提升了产品的放电稳定性，也极大地延长了电极源片的寿命。
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公开(公告)号：CN208721594U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821523191.X
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本实用新型公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204596745U
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201520348250.4
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型涉及离子迁移谱仪离子门控制技术领域，具体公开了一种离子迁移谱仪离子门控制器，离子门控制器包括高压电源、给电极环供电的分压电阻电路、两路可调电源，分压电阻电路一端连接高压电源、另一端接地，所述分压电阻电路包括多个串联的分压电阻，两路可调电源的输出端各连接一个离子门电极。本实用新型可对离子门两个电极的电位进行任意调节，可以对离子门进行对称或者非对称控制，控制效果好；整个电路的信号控制无需悬浮在高压下，结构简单，应用方便；可以调整离子门两个电极之间的电极差，可适配于多种离子迁移谱仪，通用性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203930077U
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201420212147.2
申请日：2014-04-28
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 含混合离子束流的H+离子截面信号采集系统，涉及高能物理技术，本实用新型包括：沿光路顺次设置的离子源和闪烁体、光学透镜、分幅相机；离子源和闪烁体位于真空腔中，离子源固定设置于离子源固定体，闪烁体固定设置于靶材固定体，离子源固定体和靶材固定体具有电能接口；所述闪烁体靠近离子源的一侧表面设置有金属膜。本实用新型的有益效果是，同时具备杂质重离子成分过滤和时间-空间分辨的H+束流截面诊断能力、能有效降低高压下绝缘击穿的危险并真实模拟近靶表面环境电场。
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公开(公告)号：CN208113046U
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201820728190.2
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种离子源设备，该离子源采用了阳极筒的沉台孔结构，结合下沉式或喷管式的准直器及阴极配合这种间隙结构，能够有效增加阴极与准直孔之间的距离，增加准直器面对阴极部分的表面积，提升准直器上冷凝阴极金属蒸汽的有效体积，削弱由于阴极金属蒸汽冷凝带来的影响；阴阳极组成的放电结构有效的提升了负氢离子的生产效率，同时也减少了阴极材料的蒸发速率；在不改变阳极筒长度的前提下，将准直器安装在阳极筒内部，可以使离子源内气压保持在一个更高的值，从而降低外界对离子源的供气量，有效减少束流在加速器中的输运损失，有效提升了离子源的放电稳定性与放电寿命，以此有效提升离子源设备的工作寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203830725U
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201420289844.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B22F3/14
Abstract: 本实用新型涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备装置，包括热压成型装置，热压成型装置包括模具、上冷却环、上压砧、下压砧、套筒、加热电阻丝、支撑台，其中：下压砧设置在支撑台上，套筒设置在下压砧上，下压砧上端部分伸入套筒内；模具设置在套筒内；加热电阻丝缠绕在套筒外壁；上压砧和上冷却环设置在套筒上方，上压砧下端伸入套筒内，上冷却环包覆在上压砧外；支撑台和上冷却环上均开设一圈水冷孔道，水冷孔道的轴向与套筒相同，水冷孔道两侧分别连接有进水口和出水口。本实用新型对金属氢化物粉末热压成型制备电极，能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷，制备的电极强度高、成分更均匀，并且电极制备时间短。
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公开(公告)号：CN203761670U
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201420166941.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本实用新型公开了一种中子发生器，所述中子发生器包括：密封型绝缘筒，所述密封型绝缘筒具有两端，分别为第一端和第二端，在所述密封型绝缘筒内的所述第一端处设有一离子发生源，在所述第二端连接有一电源，在所述密封型绝缘筒内设有一加速筒，在所述加速筒的内设有一靶片和一偏压电阻，所述靶片位于所述偏压电阻水平方向的左侧，所述靶片和所述偏压电阻连接，且所述偏压电阻与所述第二端连接，其中，在所述加速筒内设有一栅网，所述栅网与所述加速筒连接，所述栅网位于所述离子发生源与所述靶片之间，实现了在中子发生器尺寸较小时能够有效抑制次级电子，并且抑制次级电子效果较好的技术效果。
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公开(公告)号：CN206134644U
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201621208603.1
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本实用新型还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本实用新型整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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