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公开(公告)号：CN103603018B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310500309.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 复旦大学
IPC: C25D5/18 , C25D7/12 , C25D7/04 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体互连工艺技术领域，具体涉及一种脉冲电镀方法及其应用。本发明方法包括：若干个阶段，每个阶段包括若干个周期；每个周期为施加一个正向脉冲，再施加一个反向脉冲，反向脉冲的电流大于正向脉冲的电流，反向脉宽短于正向脉宽，反向脉间和正向脉间相同；其中，每个阶段中的正向脉间和反向脉间不变；后一个阶段的正向脉间短于前一个阶段的正向脉间。其优点在于反向的脉冲电流来加速离子浓度恢复，两次脉冲之间的电流关断时间提供一个弛豫时间，并且此周期中的退镀过程也提高了镀层表面平整性。本发明方法可用于金属互连结构的制备中。
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公开(公告)号：CN103579126B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310548612.X
申请日：2013-11-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种U型结构的半浮栅器件及其制造方法。本发明在U形凹槽形成后，保留原先的硬掩膜层；先通过淀积第一层多晶硅并回刻来定义出器件浮栅开口区域的位置，然后淀积第二层多晶硅；在对多晶硅进行刻蚀后，剩余的第二层多晶硅和第一层多晶硅形成器件的浮栅，之后再去除掉硬掩膜层；同时，在源漏接触区形成之后把控制栅牺牲层去除，再淀积金属栅极，使得U型结构的半浮栅器件可以集成金属栅极和高介电常数材料栅介质。本发明采用自对准工艺，过程简单且稳定，可控性强，降低生产成本，而且可以精确控制浮栅的宽度，降低器件尺寸。
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公开(公告)号：CN103258734B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310181432.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。
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公开(公告)号：CN105287046A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510608329.0
申请日：2015-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: A61F2/02
Abstract: 本发明属于人工神经技术领域，具体为一种全碳基神经突触仿生器件及其制造方法。本发明的全碳基神经突触仿生器件包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层、以及位于阻变功能层之上的顶电极，其中，所述底电极和顶电极为石墨烯，所述阻变功能层为氧化石墨烯。本发明的全碳基神经突触仿生器件以石墨烯作为器件的底电极和顶电极，以氧化石墨烯作为阻变功能层，可以实现对神经突触的学习与记忆功能的模拟。另外，可以通过调节上、下两层石墨烯带的宽度对器件的尺寸进行精确控制，降低功耗，同时提高集成密度。
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公开(公告)号：CN105161617A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510608779.X
申请日：2015-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于阻变存储器技术领域，具体为一种平面结构的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器具有形成于阻变功能层的两端的石墨烯电极，利用石墨烯材料的高迁移率特性，实现阻变存储器的低功耗运行。平面结构的阻变存储器有利于导电细丝形状的观察，有助于对阻变存储器的机理研究。本发明采用电焦耳热熔断的方法在石墨烯纳米带靠近中间的位置获得了几十纳米的空隙，从而形成石墨烯电极。基于原子层沉积工艺中阻变功能层在石墨烯上的侧向生长的特性，形成阻变功能层。该方法简单、有效、节约原材料成本，可实现对阻变存储器器件尺寸的调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102623459B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210102964.8
申请日：2012-04-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/66742 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管存储器及其制备方法，该存储器以栅电极为衬底，从下至上依次有：电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、器件的有源区，及源、漏电极；该电荷阻挡层为通过原子层淀积的方法生长的Al2O3薄膜；该电荷俘获层为双层金属纳米晶结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的第一金属纳米晶层、绝缘介质层及第二金属纳米晶层；该电荷隧穿层为对称叠层结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的SiO2/HfO2/SiO2或Al2O3/HfO2/Al2O3叠层结构薄膜；该器件的有源区为采用磁控溅射的方法生长的IGZO薄膜，采用标准的光刻工艺和湿法刻蚀的方法形成IGZO有源区。本发明提供的薄膜晶体管存储器，擦写窗口大、数据保持性能好，擦写速度快、阈值电压稳定，制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN104183651A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410402668.9
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66446 , H01L29/42324 , H01L29/42336 , H01L29/66825 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。
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公开(公告)号：CN102569066B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210001675.9
申请日：2012-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/22 , H01L29/66356 , H01L29/7391
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。
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公开(公告)号：CN103681478A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310700297.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53233 , H01L21/76838 , H01L23/5329
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种铜互连结构以及制备方法。本发明依托于原有的铜互连结构，采用双层Ru/TiAlN结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层结构。具体制备步骤为：使用原子层淀积方法，先在绝缘介质层上淀积一层TiAlN薄膜，再淀积一层Ru薄膜，最后可直接电镀铜获得铜互连结构。由于在TiN薄膜中加入了Al，可以获得非晶态的TiAlN薄膜，使其能够有比TiN薄膜更好的Cu扩散阻挡性能。本发明使用致密度高的非晶态TiAlN薄膜，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，提供了理想的扩散阻挡性和热稳定性，为22nm及其以下工艺技术节点的铜互连技术提供了一种更为切实可靠的方案。
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