公开(公告)号：CN103606564B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201310318168.2

申请日：2013-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  崔兴美 ,  陈笋

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出电编程‑紫外光擦除的存储器件结构及其制备方法。以重掺杂的N型单晶硅片为衬底，并作为栅的引出电极；以致密性较好的氧化物绝缘体作存储器的电荷阻挡层；以电荷缺陷较多的薄膜材料或纳米晶作为电荷俘获层；以致密性较好且禁带宽度较大的氧化物绝缘体作存储器的隧穿层；以IGZO薄膜用作存储器的导电沟道，通过光刻、湿刻定义有源区并形成导电沟道；通过光刻、金属淀积及剥离技术，完成源、漏极的加工；测试时，在栅电极上加正脉冲实现对器件的编程操作；用紫外光照射器件，同时不加任何偏压，实现对器件擦除。本发明解决了基于IGZO沟道的TFT存储器擦除不了的问题；提高了器件的擦除效率和工作速度；扩大了基于IGZO沟道TFT存储器的应用空间。

公开(公告)号：CN102593065B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201210066084.X

申请日：2012-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  崔兴美 ,  陈笋 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/8256 ,  H01L21/443

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法。本发明主要步骤有：采用重掺杂的P型单晶硅片为衬底，并作为栅的引出电极；采用ALD方法生长Al2O3薄膜，用作存储器的电荷阻挡层；用ALD淀积金属纳米晶，作电荷俘获层；采用ALD的方法淀积SiO2/HfO2/Al2O3叠层结构，用作存储器的隧穿层；采用ALD的方法淀积IGZO薄膜，通过光刻和湿法刻蚀工艺形成有源区，用作导电沟道；通过光刻工艺形成源、漏区域，然后淀积一层金属，并结合lift-off技术，完成源、漏极的加工。本发明能很好地调控沟道的电学特性，提高存储器性能的大面积均匀性，并可改善存储器的数据保持特性和耐受性等可靠性。

公开(公告)号：CN102623459A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210102964.8

申请日：2012-04-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  陈笋 ,  崔兴美 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管存储器及其制备方法，该存储器以栅电极为衬底，从下至上依次有：电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、器件的有源区，及源、漏电极；该电荷阻挡层为通过原子层淀积的方法生长的Al2O3薄膜；该电荷俘获层为双层金属纳米晶结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的第一金属纳米晶层、绝缘介质层及第二金属纳米晶层；该电荷隧穿层为对称叠层结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的SiO2/HfO2/SiO2或Al2O3/HfO2/Al2O3叠层结构薄膜；该器件的有源区为采用磁控溅射的方法生长的IGZO薄膜，采用标准的光刻工艺和湿法刻蚀的方法形成IGZO有源区。本发明提供的薄膜晶体管存储器，擦写窗口大、数据保持性能好，擦写速度快、阈值电压稳定，制备工艺简单。

公开(公告)号：CN103606564A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310318168.2

申请日：2013-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  崔兴美 ,  陈笋

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11563 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提出电编程-紫外光擦除的存储器件结构及其制备方法。以重掺杂的N型单晶硅片为衬底，并作为栅的引出电极；以致密性较好的氧化物绝缘体作存储器的电荷阻挡层；以电荷缺陷较多的薄膜材料或纳米晶作为电荷俘获层；以致密性较好且禁带宽度较大的氧化物绝缘体作存储器的隧穿层；以IGZO薄膜用作存储器的导电沟道，通过光刻、湿刻定义有源区并形成导电沟道；通过光刻、金属淀积及剥离技术，完成源、漏极的加工；测试时，在栅电极上加正脉冲实现对器件的编程操作；用紫外光照射器件，同时不加任何偏压，实现对器件擦除。本发明解决了基于IGZO沟道的TFT存储器擦除不了的问题；提高了器件的擦除效率和工作速度；扩大了基于IGZO沟道TFT存储器的应用空间。

公开(公告)号：CN102618843A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210079451.X

申请日：2012-03-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  崔兴美 ,  陈笋

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体公开了一种采用原子层淀积（ALD）技术生长非晶铟镓锌氧化物薄膜的方法。主要生长步骤有：生长ZnO的反应源为二乙基锌，氧化剂可采用水或双氧水；生长Ga2O3的反应源为六(二甲基氨基)二镓，氧化剂为水；生长若干个循环的In2O3，生长In2O3的反应源为环戊二烯基铟，氧化剂为水和氧气的混合物或臭氧；根据需要多次重复上述步骤，即可获得所需要的一定厚度的IGZO薄膜。生长过程中反应腔的温度控制在100-300oC范围内。另外，上述步骤可任意排序组合。本发明所生长的IGZO薄膜具有很好的均匀性、致密性和保形性，并且适合大面积淀积，在薄膜晶体管、薄膜晶体管存储器以及透明电子器件领域具有广泛的应用。

公开(公告)号：CN102593065A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210066084.X

申请日：2012-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  崔兴美 ,  陈笋 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/8256 ,  H01L21/443

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法。本发明主要步骤有：采用重掺杂的P型单晶硅片为衬底，并作为栅的引出电极；采用ALD方法生长Al2O3薄膜，用作存储器的电荷阻挡层；用ALD淀积金属纳米晶，作电荷俘获层；采用ALD的方法淀积SiO2/HfO2/Al2O3叠层结构，用作存储器的隧穿层；采用ALD的方法淀积IGZO薄膜，通过光刻和湿法刻蚀工艺形成有源区，用作导电沟道；通过光刻工艺形成源、漏区域，然后淀积一层金属，并结合lift-off技术，完成源、漏极的加工。本发明能很好地调控沟道的电学特性，提高存储器性能的大面积均匀性，并可改善存储器的数据保持特性和耐受性等可靠性。

公开(公告)号：CN102623459B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210102964.8

申请日：2012-04-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  陈笋 ,  崔兴美 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管存储器及其制备方法，该存储器以栅电极为衬底，从下至上依次有：电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、器件的有源区，及源、漏电极；该电荷阻挡层为通过原子层淀积的方法生长的Al2O3薄膜；该电荷俘获层为双层金属纳米晶结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的第一金属纳米晶层、绝缘介质层及第二金属纳米晶层；该电荷隧穿层为对称叠层结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的SiO2/HfO2/SiO2或Al2O3/HfO2/Al2O3叠层结构薄膜；该器件的有源区为采用磁控溅射的方法生长的IGZO薄膜，采用标准的光刻工艺和湿法刻蚀的方法形成IGZO有源区。本发明提供的薄膜晶体管存储器，擦写窗口大、数据保持性能好，擦写速度快、阈值电压稳定，制备工艺简单。