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公开(公告)号：CN104183594A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410404475.7
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183594B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410404475.7
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
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公开(公告)号：CN104183651B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410402668.9
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。
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公开(公告)号：CN104167450A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410403932.0
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种半浮栅功率器件。该半浮栅功率器件包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管；一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该二极管的阴极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的源极或沟道区连接；一个电容器，该电容器的一端与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该电容器的另一端与外部电压信号连接。本发明的半浮栅功率器件结构简单，适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
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公开(公告)号：CN104167450B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410403932.0
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种半浮栅功率器件。该半浮栅功率器件包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管；一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该二极管的阴极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的源极或沟道区连接；一个电容器，该电容器的一端与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该电容器的另一端与外部电压信号连接。本发明的半浮栅功率器件结构简单，适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
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公开(公告)号：CN104183651A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410402668.9
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66446 , H01L29/42324 , H01L29/42336 , H01L29/66825 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。
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