公开(公告)号：CN102543891A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210001549.3

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  曹成伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/8254

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制备方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，特别适用于基于柔性衬底的存储器器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。

公开(公告)号：CN102569066B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201210001675.9

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  曹成伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/329

CPC classification number: H01L29/22 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。

公开(公告)号：CN102543891B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201210001549.3

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  曹成伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/8254

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制备方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，特别适用于基于柔性衬底的存储器器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。

公开(公告)号：CN102569066A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210001675.9

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  曹成伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/329

CPC classification number: H01L29/22 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。

公开(公告)号：CN102412301A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110309367.8

申请日：2011-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包微宁 ,  曹成伟 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直结构的纳米线隧穿场效应晶体管的制备方法。在水浴环境下生长所需的ZnO纳米线，不需要高温高压环境，溶液配置简单，生长方便，价格低廉，并且直接将纳米线构成垂直结构的MOS器件，可以避免后期的纳米线处理。本发明结构简单，制造方便，成本较低，而且利用网格可以使生长的纳米线沟道与以此制造的垂直结构的MOSFET阵列排布可控，便于直接完成大规模MOSFET阵列的制造。