公开(公告)号：CN103258734A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310181432.2

申请日：2013-05-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  谭再上 ,  张卫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。

公开(公告)号：CN103258734B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310181432.2

申请日：2013-05-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  谭再上 ,  张卫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。

公开(公告)号：CN104022074B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410240798.7

申请日：2014-06-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  谭再上 ,  范仲勇 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜的制备方法。本发明以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔中工作压强、前驱体配比等工艺参数，沉积得到无机-有机复合薄膜；然后对该薄膜进行适当的热退火处理，使得部分有机组分发生热分解，由此获得含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜。该薄膜介电常数为2.5~2.9，在1 MV/cm场强下的漏电流密度处于10-8~10-9 A/cm2数量级范围内，击穿场强大于2 MV/cm，且具有优异的力学性能。该方法操控简单，与现有集成电路后端互连工艺完全兼容，是互连介质的理想候选者。

公开(公告)号：CN104201149A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410423510.X

申请日：2014-08-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  谭再上 ,  范仲勇 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76828 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5329

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种含氟的多孔低介电常数复合薄膜及其制备方法。本发明以TEOS和LIMO作为液态源前驱体，以C2F6作为氟源，采用PECVD工艺，通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔中工作压强、前驱体与氟源配比等工艺参数，沉积得到含氟的无机-有机复合薄膜；然后对该薄膜进行适当的热退火处理，使得部分有机组分发生热分解，由此获得含氟的多孔低介电常数复合薄膜。在100℃高温下测试，该薄膜的介电常数为2.37~2.75，在1MV/cm场强下的漏电流密度处于10-8~10-9A/cm2数量级范围内。此外，该类薄膜还具有优异的力学性质。本发明工艺操控简单，与现有集成电路后端互连工艺完全兼容，是互连介质的理想候选者。

公开(公告)号：CN104201149B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410423510.X

申请日：2014-08-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  谭再上 ,  范仲勇 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种含氟的多孔低介电常数复合薄膜及其制备方法。本发明以TEOS和LIMO作为液态源前驱体，以C2F6作为氟源，采用PECVD工艺，通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔中工作压强、前驱体与氟源配比等工艺参数，沉积得到含氟的无机-有机复合薄膜；然后对该薄膜进行适当的热退火处理，使得部分有机组分发生热分解，由此获得含氟的多孔低介电常数复合薄膜。在100℃高温下测试，该薄膜的介电常数为2.37~2.75，在1 MV/cm场强下的漏电流密度处于10-8~10-9 A/cm2数量级范围内。此外，该类薄膜还具有优异的力学性质。本发明工艺操控简单，与现有集成电路后端互连工艺完全兼容，是互连介质的理想候选者。

公开(公告)号：CN104022074A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410240798.7

申请日：2014-06-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  谭再上 ,  范仲勇 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜的制备方法。本发明以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔中工作压强、前驱体配比等工艺参数，沉积得到无机-有机复合薄膜；然后对该薄膜进行适当的热退火处理，使得部分有机组分发生热分解，由此获得含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜。该薄膜介电常数为2.5~2.9，在1MV/cm场强下的漏电流密度处于10-8~10-9A/cm2数量级范围内，击穿场强大于2MV/cm，且具有优异的力学性能。该方法操控简单，与现有集成电路后端互连工艺完全兼容，是互连介质的理想候选者。