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公开(公告)号：CN111081662A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911398441.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开一种芯片模块、电子模组及制备方法，一种芯片模块，包括：散热器、芯片和封装体；其中，散热器包括安装底座和散热部，安装底座具有安装面，散热部与安装底座背离安装面的表面连接；芯片固定安装于安装面，芯片远离安装面的表面具有多个电极，每个电极连接有引出部件；封装体包覆芯片和安装底座，其中，散热部延伸至封装体外，每个引出部件延伸至封装体外。上述芯片模块以散热器中安装底座作为芯片的载体，并利用封装体将芯片和安装底座封装为一个整体，芯片与散热器的安装底座之间始终保持良好的热接触，散热较好，且组装至电路板时操作简单快捷。
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公开(公告)号：CN110858574A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201810961402.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片的封装结构，用以解决现有技术中存在IGBT芯片会由于底座的热膨胀系数大而发生翘曲，进而导致器件失效的问题。本发明中的超薄芯片的封装结构，在引线框架的芯片座上开设预定形状大小的芯片槽，在芯片槽内装配热膨胀系数小于芯片座的第一垫片，所述芯片焊接在第一垫片之上，且第一垫片与芯片之间电连接。如此，由于第一垫片的人膨胀系数小于引线框架，芯片与第一垫片的封装应力较为匹配，在温度发生变化时，第一垫片发生的翘曲会小于引线框架的翘曲，进而设置在第一垫片上的芯片的翘曲也会变小，故而由于封装应力不匹配而导致芯片内部晶胞损伤，的可能性便小，提高器件封装结构良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN110784097A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911221560.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/567
Abstract: 本公开提供了一种驱动器及智能功率模块，包括输出端，用于输出驱动功率模块的驱动信号；可调电阻，第一端连接所述输出端，第二端连接功率模块的控制端，第三端接收外部输入的调节信号所述可调电阻根据所述调节信号改变阻值进而调节所述功率模块控制端的阻值。上述结构极大的增大了驱动器与功率模块之间的参数匹配，能够控制智能功率模块的开关速率，解决了应用端EMC、开关损耗及模块发热的问题等。
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公开(公告)号：CN110610934A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910877562.7
申请日：2019-09-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L23/495 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件、其封装结构及其制作方法和封装方法。该功率半导体器件包括元胞区和终端区，元胞区包括多个元胞，各元胞包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极位于衬底的相对的两侧，在垂直于衬底的方向上，第一电极远离衬底的一侧表面与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H1，终端区中与衬底距离最大的一点与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H2，H1大于H2。在采用上述功率半导体器件的封装工艺中，由于器件中的元胞区与终端区之间具有高度差，从而在采用键合部实现发射极和集电极连接时，能够保证键合部与终端区之间具有一定的安全距离，避免了键合部与终端区接触而形成短路，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110379720A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910625696.X
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/49 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种DCB衬板的制作方法，包括以下步骤：S10：在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽；S20：将第二金属布置在所述凹槽内部；S30：将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。通过该方法制作的IGBT模块，克服了不同材质之间键合所导致的CTE值不匹配等问题，不但使键合更加牢固，还减少了模块在工作过程中产生的微裂纹等问题。
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公开(公告)号：CN110223924A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910636287.X
申请日：2019-07-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装方法、晶圆级芯片封装单元和晶圆，本发明在对晶圆进行加工前直接在具有切割道的晶圆的表面覆盖树脂使树脂与切割道接触并高温硬化，在后续对晶圆进行加工过程中，晶圆受到其表面固化的树脂的保护，能够防止晶圆在加工过程中易破裂的问题。通过上述方法能够一次完成晶圆表面所有树脂的覆盖并高温硬化，缩短了生产周期和降低成本。
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公开(公告)号：CN110148566A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910477626.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/04
Abstract: 本申请提供了一种堆叠结构的智能功率模块，包括引线框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、连接桥和包封体。第一芯片设置在引线框架上，其包括导电层、设置在导电层下方的非功能层、以及容置在非功能层下部的功能层，其中，非功能层设有导电孔，导电孔用于将导电层和功能层电性连接，并且导电孔用于将导电层与引线框架电性连接；第二芯片和第三芯片均设置在第一芯片的上方，且第二芯片和第三芯片均与第一芯片的导电层电性连接；连接桥与第二芯片和第三芯片以及导电层电性连接；包封体用于封装第一芯片、第二芯片、第三芯片和连接桥以及部分引线框架。本申请降低了智能功率模块的占板面积。
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公开(公告)号：CN108878391A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810578880.9
申请日：2018-06-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种智能功率模块结构及其制造方法。该智能功率模块结构包括基板(1)、芯片单元、预成型焊料(2)和封装材料(3)，芯片单元设置在基板(1)上，预成型焊料(2)与芯片单元电性连接，封装材料(3)封装在基板(1)、芯片单元和预成型焊料(2)外，预成型焊料(2)露出封装材料(3)。根据本发明的智能功率模块结构，能够实现智能功率模块的无引脚设计，便于智能功率模块实现自动化焊接，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113394114B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010164755.0
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H10D80/30
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。
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公开(公告)号：CN110828388B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201810910248.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。
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