公开(公告)号：CN1321436C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410074199.9

申请日：2004-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 金子尚史 ,  冈崎元哉 ,  户岛宏至

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/82

CPC classification number: G06F17/5068

Abstract: 根据本发明的一个方案，提供一种模拟电路图形评估方法，该方法包括：以各自状态在各自的几何结构限定参数中出现相同次数的方式，通过结合多个各自具有至少两个状态的几何结构限定参数，来设计模拟半导体集成电路的电路图形的模拟电路图形集合体；在衬底上形成模拟电路图形集合体；以及评估形成的模拟电路图形集合体。

公开(公告)号：CN1770423A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510105721.X

申请日：2005-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 ,  伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/165

Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体器件的制造方法包括：在其表面具有凹槽部分的衬底上形成镀膜，以通过镀敷方法填埋所述凹槽部分；在所述镀膜上形成压应力施加膜，所述压应力施加膜由具有与构成所述镀膜的金属的热膨胀系数相比 60％或更小的热膨胀系数的材料构成；热处理，通过所述压应力施加膜向所述镀膜施加压应力；以及去除所述压应力施加膜和没有填埋在所述凹槽部分中的所述镀膜。

公开(公告)号：CN1747154A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510102579.3

申请日：2005-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田享 ,  田窪知章 ,  高桥健司 ,  青木秀夫 ,  沼田英夫 ,  金子尚史 ,  江泽弘和 ,  松尾美惠 ,  池上浩 ,  大村一郎

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898

Abstract: 晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。

公开(公告)号：CN1702827A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510078832.6

申请日：2005-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  金子尚史 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  依田孝 ,  关根诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。

公开(公告)号：CN1606149A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410089959.3

申请日：2004-10-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村光广 ,  片野真希子 ,  伊藤彰子 ,  松下贵哉 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：利用碳氟化合物气体对半导体晶片进行干蚀刻，该半导体晶片包括形成于半导体衬底上并被绝缘膜覆盖的铜层，以便部分除去该绝缘膜，从而至少局部暴露该铜层的表面。对至少局部暴露其表面的铜层进行氮等离子体处理。将具有氮等离子体处理的铜层的半导体晶片暴露于大气中，并接着对该半导体晶片进行表面处理。

公开(公告)号：CN1477706A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133104.1

申请日：2003-07-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫本浩二 ,  吉田健司 ,  金子尚史

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体集成电路器件中，当下互连的宽度或体积不大于给定值时，给出一个通孔接触，多级互连的上、下互连通过它而相连。当下互连的宽度和体积超过给定值时，给出多个通孔接触，它们以不大于给定值的规则间距排列在包括在下互连中的空位有效扩散区中。

公开(公告)号：CN100521134C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN02821110.3

申请日：2002-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝 ,  IBIDEN股份有限公司

Inventor： 竹腰清 ,  保坂久富 ,  荻原顺一 ,  初鹿国彦 ,  臼井孝公 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  井户义幸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2862 ,  G01R1/0433 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/286 ,  G01R31/2865 ,  G01R31/2867 ,  G01R31/287 ,  G01R31/2886

Abstract: 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。

公开(公告)号：CN100364045C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510078832.6

申请日：2005-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  金子尚史 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  依田孝 ,  关根诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。

公开(公告)号：CN1327479C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200410038320.2

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松田哲朗 ,  金子尚史

IPC: H01L21/00 ,  C25D5/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C25D5/02 ,  C25D5/022 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H05K3/107 ,  H05K3/423 ,  H05K2203/0392

Abstract: 本发明公开了制造电子器件的方法，包括：在基础部件的表面上形成凹进部分，在基础部件的在其上将要形成镀膜的表面上形成导电种子层，以及在这样的条件下把所述种子层作为公共电极进行电解电镀处理以形成镀膜：在基础部件的所述凹进部分以外的表面上形成抑制电解电镀的物质，其中通过氧化处理、氮化处理和氧氮化处理中的至少一种提供抑制电解电镀的物质。

公开(公告)号：CN1835198A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610007336.6

申请日：2006-02-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 金子尚史 ,  松尾美惠 ,  江泽弘和

IPC: H01L21/60 ,  B23K3/00 ,  B23K101/36 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K2101/40 ,  B29C65/222 ,  B29C65/229 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/43 ,  B29C66/472 ,  B29C66/818 ,  B29C66/81811 ,  B29C66/8362 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  Y10T29/49211 ,  Y10T29/49826 ,  H01L2224/0401

Abstract: 根据本发明的实施例，公开了一种接合方法，包括以下步骤：在第一主体上设置第二主体，其中在所述第一主体与所述第二主体之间插入凸起；以及通过使加热元件在所述第一主体与所述第二主体之间通过，以通过所述加热元件熔化所述凸起，利用所述凸起电和机械地接合所述第一主体和所述第二主体，其中所述加热元件被加热到构成所述凸起的材料的熔点或熔点之上。