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公开(公告)号：CN102947945A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201080065818.1
申请日：2010-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种通过层叠折射率调整层、金属多孔膜和光电转换层而配置的太阳能电池。所述太阳能电池具有这样的结构，其中：金属多孔膜位于光辐射侧；金属多孔膜与光电转换层直接接触；金属多孔膜具有多个穿过其的开口部分。折射率调整层至少部分覆盖金属多孔膜的表面和开口部分的内表面；以及折射率调整层具有包括端点值的1.35到4.2的折射率。如果采用经过纳米处理的金属膜作为太阳能电池的电极，太阳能电池因电场增强效应而有效地进行光电转换。
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公开(公告)号：CN101978507B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980109384.8
申请日：2009-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池，包括：第一电极层，形成于基底上；生成层，形成于所述第一电极层上；以及第二电极层，形成于所述生成层上，所述第一电极层和所述第二电极层的至少之一为光透明的金属电极层，所述金属电极层具有穿过所述金属电极层的多个开口。所述金属电极层包括金属部，所述金属电极层的任意两个金属部彼此连续、无切割部分，所述金属电极层的膜厚度在10nm至200nm的范围中，且所述开口的大小等于或小于用于生成电的光的波长的1/2。
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公开(公告)号：CN102741988A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080031490.1
申请日：2010-05-12
Applicant: 株式会社东芝 , 旭化成电子材料株式会社
IPC: H01L21/312 , C08F297/00 , C08L25/02 , C08L33/06 , C08L53/00 , H01L21/3065 , H01L33/22
CPC classification number: C08L33/06 , C08F220/14 , C08F297/02 , C08L25/06 , C08L35/06 , C08L53/00 , C08L2205/03 , G03F7/0002 , H01L2933/0091 , C08L2666/02 , C08F212/08
Abstract: 本发明提供能够直至光的波长程度稳定地形成图案的图案形成用树脂组合物、使用了该组合物的海岛结构图案的形成方法及实现高发光效率特性的发光元件的制造方法。一种图案形成用树脂组合物，其是包含(a)包含含芳香环的聚合物和聚(甲基)丙烯酸酯作为嵌段部分的规定的嵌段共聚物；(b)规定的含芳香环的聚合物的均聚物；以及(c)规定的聚(甲基)丙烯酸酯的均聚物的图案形成用树脂组合物，其中，含芳香环的均聚物(b)和聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为0质量％～90质量％，并且该嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物部分和含芳香环的均聚物(b)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为10质量％～60质量％。
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公开(公告)号：CN102194954A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010520326.9
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、使用其的发光装置以及制造该半导体发光器件的方法。根据实施例的半导体发光器件包括衬底、化合物半导体层、具备特定开口的金属电极层、光提取层以及反电极。光提取层具有20至120nm的厚度，且至少部分地覆盖金属电极层的金属部分；或者光提取层具有褶皱结构，并至少部分地覆盖金属电极层的金属部分。褶皱结构具有凸起，该凸起被设置为它们的顶点之间的间距为100至600nm，且这些顶点从金属电极层的表面起算的高度为200至700nm。
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公开(公告)号：CN1747191A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510098858.7
申请日：2005-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 在一种半导体发光器件中，半导体发光部件具有其上形成有多个凸面结构的光提取表面。每个凸面结构具有构成折射指数梯度结构的锥形平台部分、构成衍射光栅结构的圆柱形部分、以及构成折射指数梯度结构的锥形部分。所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面开始设置。凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长。圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112444275B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202010160142.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01D5/241 , G01P15/125
Abstract: 提供能够提高灵敏度的传感器。根据一个实施方式，传感器包括基体、第1结构体及第2结构体。第1结构体包括第1固定部、第1导电部及多个第1电极。第1固定部被固定于基体。第1导电部被保持于第1固定部。第1导电部在第1方向上与基体分离。多个第1电极被保持于第1导电部。从多个第1电极中的一个朝向多个第1电极中的另一个的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第2结构体包括第2导电部及多个第2电极。第2导电部被固定于基体。多个第2电极被保持于第2导电部。多个第2电极中的一个位于多个第1电极中的一个与多个第1电极中的另一个之间。多个第1电极中的一个的沿着第1方向的第1电极长度比第1导电部的沿着第1方向的第1导电部长度短。
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公开(公告)号：CN102947945B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080065818.1
申请日：2010-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种通过层叠折射率调整层、金属多孔膜和光电转换层而配置的太阳能电池。所述太阳能电池具有这样的结构，其中：金属多孔膜位于光辐射侧；金属多孔膜与光电转换层直接接触；金属多孔膜具有多个穿过其的开口部分。折射率调整层至少部分覆盖金属多孔膜的表面和开口部分的内表面；以及折射率调整层具有包括端点值的1.35到4.2的折射率。如果采用经过纳米处理的金属膜作为太阳能电池的电极，太阳能电池因电场增强效应而有效地进行光电转换。
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公开(公告)号：CN104465818A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478643.7
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/022433 , H01L31/0328 , H01L31/035281 , H01L31/078 , Y02E10/50
Abstract: 本公开内容提供了一种光电转换元件，包括层叠了第一金属层、第一半导体层、第二半导体层和第二金属层的光电转换层。第一金属层或第二金属层包含多孔金属薄膜，多孔金属薄膜具有穿过膜的多个开口。每一个开口都具有平均大于等于80nm2且小于等于0.8μm2的面积，多孔金属薄膜具有大于等于2nm且小于等于200nm的厚度。第二半导体层的带隙比第一半导体层的带隙小，具有与所述第一半导体层相反的极性，且位于距所述多孔金属薄膜5nm以内处。
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公开(公告)号：CN104465817A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478173.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/03044 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/06 , Y02E10/547
Abstract: 本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B)，所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中，所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上，所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。
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