公开(公告)号：CN107230611A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710070303.4

申请日：2017-02-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田代功 ,  片冈秀直 ,  冈山芳央 ,  横山信之 ,  鹰巢良史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的课题在于，在III族氮化物的制造中将RAMO4基板容易地再利用。解决方法为一种III族氮化物结晶制造方法，其具有：准备RAMO4基板的工序，所述RAMO4基板包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)，在侧部具有切口；在所述RAMO4基板上使III族氮化物结晶生长的工序；和以上述切口为起点使所述RAMO4基板劈开的工序。

公开(公告)号：CN107104039A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710068257.4

申请日：2017-02-07

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 鹰巢良史 ,  冈山芳央 ,  石桥明彦 ,  田代功 ,  上田章雄 ,  信冈政树 ,  领木直矢

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B29/22 ,  C30B29/40 ,  H01L33/20

CPC classification number: B24B7/22 ,  C30B29/22 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2056 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN102870209B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180019475.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 齐藤浩一 ,  冈山芳央 ,  柳瀬康行

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 在通过晶圆级工艺技术制造电路装置的情况下，抑制半导体衬底的弯曲。为使设于半导体衬底（50）的元件电极（52），和被薄型化前的铜板（200）所连接的突起电极（32）电连接，在以130℃以下的温度（第1温度）贴合半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）后，在将铜板（200）薄膜化为布线层的厚度的状态下，以170℃以上的高温（第2温度）压接半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）。此后，通过使薄膜化后的铜板（200）布线成形，来形成布线层（再布线）。

公开(公告)号：CN105463576A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510617542.8

申请日：2015-09-24

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  桑原凉 ,  山下富生 ,  森勇介 ,  今出完

IPC: C30B29/38 ,  C30B1/10

CPC classification number: C30B25/10 ,  C01B21/0632 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明提供制造高品质的III族氮化物晶体的制造装置及制造方法。本发明提供一种III族氮化物晶体制造装置，其具备：腔室；向所述腔室内供给含氮元素气体的含氮元素气体供给口；将III族元素的化合物气体向所述腔室内供给以使其与所述含氮元素气体混合的化合物气体供给口；将混合后的所述化合物气体和所述含氮元素气体向所述腔室外排出的排出口；用于在所述化合物气体与所述含氮元素气体的混合点的下游侧、并且在所述排出口的上游侧保持种基板的支持物；加热所述种基板的第一加热器；和对从所述混合点到所述种基板的空间以比所述第一加热器高的温度进行加热的第二加热器。